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國立陽明交通大學 電子研究所 林鴻志所指導 葉宇婕的 具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析 （2021），提出GLC250 保養關鍵因素是什麼，來自於薄膜電晶體、多晶矽、雷射結晶、T型閘極、射頻元件。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 林鴻志、李佩雯所指導 黃歆蘋的 T 型閘極多晶矽薄膜電晶體之關閉狀態漏電流機制與特性研究 （2021），提出因為有 薄膜電晶體、多晶矽、T 型閘極、場效傳導機制、場效傳導活化能的重點而找出了 GLC250 保養的解答。
具有綠光雷射結晶多晶矽通道之T型閘薄膜電晶體射頻特性分析
為了解決GLC250 保養 的問題，作者葉宇婕 這樣論述：
本論文中，我們研究具有T型閘極、空氣邊襯及矽化閘/源/汲極多晶矽薄膜電晶體的射頻特性。為了提升多晶矽薄膜的晶粒尺寸，我們使用綠光奈秒雷射來製備厚度為50 nm與100 nm的多晶矽薄膜。結果顯示厚度為100 nm的薄膜能得到等效尺寸大於1 μm的晶粒大小，遠優於50 nm厚的多晶矽薄膜。我們於元件製作時採用了新穎的T型閘極技術，不僅降低元件的閘極電阻，也使電晶體具有比微影技術解析極限更小的閘極線寬，使轉導得以大幅提升。我們也分別利用高溫的快速熱退火及低溫的微波退火來活化源汲極雜質。在通道厚度為100 nm並以快速熱退火進行源汲極活化的多晶矽薄膜電晶體中，對最小通道長度達124 nm之元件，截
止頻率可達59.7 GHz，最大震盪頻率亦可達34 GHz。具有相同通道厚度並以微波退火來活化雜質的電晶體中，當通道長度微縮至102 nm，元件的截止頻率更高達63.6 GHz，最大震盪頻率亦可達29.7 GHz。相較過往文獻報導的多晶矽薄膜元件，我們以微波活化源汲極的薄膜電晶體達到了最高的截止頻率。
T 型閘極多晶矽薄膜電晶體之關閉狀態漏電流機制與特性研究
為了解決GLC250 保養 的問題，作者黃歆蘋 這樣論述：
摘要 iAbstract iiContents iiiFigure Captions vTable Captions viiiChapter 1 Introduction 11.1 Background 11.1.1 Overview of silicon-base thin-film transistors 11.1.2 T-gate thin-film transistors 31.1.3 Off-state current conduction mechanisms in poly-Si TFTs 4
1.2 Motivation of the Study 61.3 Organization of the Thesis 7Figures 8Chapter 2 Device Fabrication and Measurement Setup 102.1 Green nanoseconds-laser Crystallization (GLC) 102.2 Device Fabrication 112.2.1 Fabrication of conventional-gate TFT 112.2.2 Fabricatio
n of T-gate TFT 122.3 Measurement Setup and Electrical Characterization 132.3.1 Transconductance 142.3.2 Threshold voltage 142.3.3 Subthreshold swing 142.3.4 Field-effect mobility 15Tables 16Figures 17Chapter 3 Results and Discussion 203.1 Basic Electrica
l Characteristics 203.1.1 Basic electrical characteristics of T-gate TFTs 213.1.2 Basic electrical characteristics of conventional-gate TFTs 213.2 Conduction Mechanisms of Off-state Leakage Current 223.2.1 T-gate TFTs with SPC channel 223.2.2 T-gate TFTs with GLC channe
l 233.2.3 Conventional-gate TFTs with SPC channel 243.2.4 Comparisons between splits 243.3 Simulation of Doping Profiles 253.3.1 Adjustment of wing thickness 273.3.2 Adjustment of implant dose 283.3.3 Situations of mixing above two factors 28Tables 30Figures
31Chapter 4 Conclusions and Future Work 494.1 Conclusions 494.2 Future Work 50References 53