國立中興大學 食品暨應用生物科技學系所 謝昌衛所指導 胡育寧的 金滑菇 (yellow strain Flammulina velutipes) 多醣組成分分析及其活性評估 (2018),提出Hda 5000關鍵因素是什麼,來自於金滑菇、多醣、分級沉澱、氧化壓力。
而第二篇論文國立交通大學 工學院碩士在職專班半導體材料與製程設備組 潘扶民所指導 李明修的 濕式清洗製程改善快閃記憶體金屬佈線與通道連接電阻降低研究 (2009),提出因為有 58nm快閃記憶體、鋁銅金屬、側向蝕刻的重點而找出了 Hda 5000的解答。
金滑菇 (yellow strain Flammulina velutipes) 多醣組成分分析及其活性評估
為了解決Hda 5000 的問題,作者胡育寧 這樣論述:
黃色品系金針菇 (Flammulina velutipes, F. velutipes) 在台灣被稱為金滑菇,由於其獨特的口感與白色品系之金針菇完全不同,逐漸受到歡迎。然而,關於金滑菇的組成分分析、抗氧化活性及應用於化妝品的功效性評估的研究甚少。第一階段以熱水萃取後,以酒精分層澱析進行純化得三個片段,分別命名為FVY-40、FVY-60和FVY-80,金針菇的三個片段分別命名為FVW-40、FVW-60和FVW- 80,另外一組為水萃後以最終酒精濃度 80 % 進行酒精沉澱,得到金滑菇的FVY-C及金針菇的FVW-C,分析金滑菇的化學組成成分,評估抗氧化活性及保濕性質,並與市面上常見之白色品
系的金針菇進行比較,尋找較有潛力的化妝品原料。第二階段進一步透過小鼠成纖維細胞 (L929) 確定是否具有細胞毒性外,以過氧化氫 (Hydrogen peroxide, H2O2) 為誘導模組,評估成纖維細胞中活性氧的產生量及存活率保護試驗,以增生試驗及畫痕試驗評估金滑菇樣品是否具有維持皮膚結構之潛力,結果顯示,在化學成分中,隨著酒精濃度上升,多醣含量、葡聚醣含量、醣醛酸含量下降,在體外抗氧化試驗中,FVY-80與FVW-80分別為兩個品系中最佳之片段,DPPH 自由基清除試驗中,兩者之IC50分別為 1.57 mg/mL及 2.80 mg/mL;ABTS自由基清除試驗中,兩者之IC50¬分別
為 1.52 mg/mL 及 2.24 mg/mL;螯合亞鐵試驗中,兩者之IC50分別為 0.62 mg/mL 及 0.96 mg/mL;還原力試驗中,兩者之IC50分別為 0.86 mg/mL 及 0.86 mg/mL,與金針菇多醣相比,金滑菇多醣具有較好的抗氧化能力。根據組成分分析,FVY-80 和FVW-80 的總醣含量分別為 37.51 % 和 36.58 %,β-葡聚醣含量分別為 16.68 % 和 13.55 %,醣醛酸含量分別為 1.71 % 和 1.68 %,蛋白質含量分別為 35.85 % 和 25.95 %。FVY-80 的總化學組成含量高於FVW-80,這可能是FVY-8
0 優於FVW-80 的原因。在保濕試驗中,所有樣品皆具有比甘油佳的保水能力。在第二階段中,所有樣品在 0.5 mg/mL 下對細胞皆無細胞毒性,H2O2 誘導後金滑菇多醣及金針菇多醣具有有效減少細胞內的活性氧生成量之效果,且具有良好的氧化損傷存活率保護作用,對於維持皮膚之完整性能力上,兩者多醣具有促進細胞增生及細胞遷移之效果,其中又以FVY-80 為最佳片段,因此,FVY-80 具有潛力作為一個良好的抗氧化劑、抗氧化損傷保護劑應用於化妝品原料中。
濕式清洗製程改善快閃記憶體金屬佈線與通道連接電阻降低研究
為了解決Hda 5000 的問題,作者李明修 這樣論述:
在高密度快閃記憶體元件上,為了從有邊界通道金屬線製程上,獲得更小的晶格尺寸,所以使用無邊界通道製程,但是IMD內金屬介電層物質,將會因為蝕刻和蝕刻後清洗,而被侵蝕後退。這將會導致Rv電阻值升高,和EM電子遷移信賴度產生的問題〔1〕。關於這個狀況,在58nm快閃記憶體元件上,利用氨化物和氟化物的化學品來進行研究,我們發現鋁銅金屬側蝕狀況會因為氨化合物與鋁金屬反應形成氧化鋁/鋁金屬/氨化合物的膠狀物質,附著於鋁銅金屬表面上方式來減輕其狀況。縮短氨化合物清洗時間以及足夠的異丙醇浸潤,產生類似膠狀物質在去離子水清洗時,將可減少鋁銅金屬側蝕狀況在四甲基氫氧化銨與雙氧水混合物方式,金屬蝕刻後的聚合物物質
將可因為氫氧基與鋁反應產生氫氧化鋁物質而去除;而雙氧水將會與鋁銅金屬表面產生氧化物層使來避免金屬腐蝕。另外,利用稀釋的硫酸/雙氧水加微量氫氟酸化合物(DSP+) 清洗鋁及氧化鋁表面聚合物物質,DSP+本身氟離子〔F-〕會與鋁金屬反應形成鋁氟化合物(AlFx)然後在去離子水清洗這一步被帶走,而硫酸與雙氧水會讓鋁銅金屬表面形成氧化物質,讓氫氟酸在去離子水清洗後不致於因殘留而繼續侵蝕鋁銅金屬,鋁銅金屬側蝕現象在DSP+清洗後依然還是存在的。