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利用一鍋化法製備板狀二氧化鈰奈米片並探討其 在室溫下對氨氣感測特性

為了解決Honeywell 720的問題，作者盧宛渝 這樣論述：

本研究以乙醇酸鈰為前驅物在低溫下，藉由聚乙烯吡咯烷酮輔助一鍋化法，再經由高溫煅燒的處理，製備出板狀的CeO2奈米片材料，並塗佈在氧化鋁基板上製備出室溫型NH3氣體感測器。 此外，通過掃描式電子顯微鏡(SEM)、能量色散X射線光元素圖、X射線繞射儀(XRD)、N2氣體吸附-脫附測試，分析板狀CeO2奈米片的形態、相組成、晶體結構、比表面積和孔徑分布，並詳細討論板狀CeO2奈米片的形成過程，且探討在室溫下對NH3氣體的特性。 將製備好的板狀CeO2奈米片材料通入氨氣測試結果顯示， 50°C合成的板狀的CeO2奈米片比190°C合成的材料有較大的比表面積(99.77 m2/g)和孔徑(

20 Å)，在室溫下對低濃度(0.1ppm)的NH3氣體測試， 50°C合成的板狀的CeO2奈米片具有高感度值(11.8%)，同時在0.1到100 ppm測試中有極低的偵測極限(50 ppb)、良好選擇性、線性、再現性以及較好的長期穩定性等優點。

由美國法探討我國引進專利權間接侵害規範之可行性

為了解決Honeywell 720的問題，作者徐佳愉 這樣論述：

專利制度以權利的授予作為誘因鼓勵發明人將其創新技術公開，來達到促進整體產業、技術發展之目的。而專利權間接侵害有別於一般常見之直接侵權類型，行為人雖非直接侵害專利權本身，但其行為卻對於他人之專利侵權具有誘導、幫助作用，從而對於專利權人而言，間接侵權人實係侵害之源頭，若無法對其追究責任，恐將影響專利權之效力。是以，為了完整保護專利權人就其發明可得享有之利益，並維持專利制度之誘因功能，國際上諸多先進各國皆已設有專利間接侵權之相關規範，如美國、日本、韓國與德國等國家，然我國現行專利法卻仍付之闕如，故本研究希冀藉由對於美國法上間接侵權制度的探討，分析我國引進專利權間接侵害規範之可行性，並試圖提出將來立

法上之建議。 美國法之專利間接侵權制度係源自19世紀後期案例法上的共同侵權概念，並經由法院不斷地解釋與援用而逐漸發展成「輔助侵權原則」，具有一定的構成要件以及認定標準，惟此理論在發展過程中卻與後來實務所發展出的「專利權濫用原則」產生爭議，進而促使美國國會於1952年將存在於案例法上許久的「輔助侵權原則」明文化規定於美國專利法中，並進一步將專利間接侵權責任區分為引誘侵權及輔助侵權分別加以規範，輔助侵權之規範內容與原先案例法上所發展出的構成要件相似，引誘侵權則係以較廣泛的構成要件以規範涵蓋該些雖不符合輔助侵權之構成要件，但實則指示、促進或教唆他人侵權之行為。 我國現行專利法制中並無間接侵權

之概念存在，故專利權人多係援引民法第185條共同侵權責任之規定來主張行為人構成造意或幫助侵權，惟我國司法實務在依據民法之規定處理專利間接侵權案件時，有見解不一致之情形，主要在於「直接侵權存在」以及「主觀要件」之認定上，且多係不利於專利權人之舉證；又因為民法共同侵權之規定要件簡要，使得當事人及法院在訴訟上難以論及專利間接侵權特殊之行為態樣、行為客體與排除規範。從而民法之規定不但無法提供專利權人充足之訴訟誘因、亦不適合作為主張專利間接侵權責任之救濟途徑。 在距離本研究將近10年前，我國智慧財產局(下稱「智財局」)曾經擬定專利間接侵權之修正草案，惟當時主要考量到此項制度可能不利我國產業發展、相關

實務案例不足以及智財法院甫成立等顧慮，最終並未將專利間接侵權之規範納入專利法修正草案中。時至去年2017年年底，智財局方重啟我國引進專利權間接侵害規範之相關討論，本文對此持正面態度，並希冀本研究所提出之立法建議能提供將來立法時一個思考方向，蓋若能盡快建立符合我國國情之專利間接侵權制度，方使法院實務能透過重複地適用、解釋規範來累積相關見解，更能使我國專利制度藉由對於專利權的完整保護來促進社會公眾福祉之機制得以展現。