Micro LED IC的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

無線電合訂本（64周年版上）（2019年第1期-第6期）

為了解決Micro LED IC的問題，作者《無線電》編輯部 這樣論述：

《〈無線電〉合訂本（64周年版·上）》囊括了《無線電》雜誌2019年第1～6期所有欄目的全部內容，包含專題以及創客、製作、裝備、火腿、入門、教育、史話等欄目的所有文章，其中有熱門的開源硬體、智慧控制、物聯網應用、機器人製作、人工智慧應用等內容，也有經典的電路設計、電學基礎知識等內容，還有豐富的創客活動與創客空間的相關資訊。這些文章經過整理，按欄目、期號等重新分類編排，以方便讀者閱讀。與部分文章相關的來源程式、印製電路板圖等資料請到目錄所示的下載平臺下載。 本書內容豐富，涉及電子技術廣泛，文章精練，實用性強，適合廣大電子愛好者、電子技術人員、創客及相關專業師生閱讀。 《無線

電》於1955年創刊，是國內電子及無線電通信類報刊中創刊最早、發行量最大的知名科普雜誌，累計發行量超過3億冊，現為國內發行量最大的創客實體雜誌，曾獲“國家期刊獎”、“公眾喜愛的科普期刊”稱號。   《無線電》雜誌堅持“科普創新實踐 分享”的理念，為讀者提供涵蓋創客空間介紹、創意製作專案、電子科普知識、工具儀錶資訊、創科教育動態、電子技術前沿資訊及行業活動資訊等豐富的內容。 專題 SPECIAL 科學家為什麼一直造衛星——專訪天儀星空設計師 天儀小姐姐（002） 衛星天線上為什麼會有刻度？　陳險峰（005） 不僅要上天　還要去探月 ——哈工大微衛星團體解讀“龍江二號”　黃家和

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20　世紀磁帶答錄機進化史（6） 臺式盒裝磁帶答錄機　田浩（496） 電子史：從紅色到白色，這一步，LED走了30年　馬懂煤（502）

Micro LED IC進入發燒排行的影片

評選被動矩陣式OLED顯示器供應商模糊多準則評估之研究

為了解決Micro LED IC的問題，作者蔡伶涓 這樣論述：

國際經貿情勢變動影響著全球供應鏈的變化，近期的國際貿易戰及新冠肺炎疫情等因素，而貿易戰進展到科技戰，將出現分鏈、雙元供應鏈與斷鏈三種情境，連帶影響臺灣在全球供應鏈的布局與定位，更影響了企業的佈局與全球供應鏈體系。現今全球供應鏈日益複雜且分散，根據BSI(英國標準協會)調查，企業僅能了解供應商15%的資訊，其餘85%的訊息則幾乎一無所知，35% 的製造商非常擔心供應鏈中斷。在此企業對於供應商資訊掌握不足的情況之下，更容易因為供應商行為，造成自身商譽損害或因自然災害、無預警的倒閉等供應鏈風險造成供貨中斷而面臨營運風險。然而國與國之間的貿易衝突不斷，將有加速讓產業重構的可能性，其中又以中小企業、傳

統企業，從集中的大量生產變成分散式的小量生產，進一步使得成本增加，供應商的評選與企業的關係發展有重要的鏈結。本研究對於評選被動矩陣式OLED顯示器供應商模糊多準則評估進行研究，將應用以模糊德菲法與模糊層級分析法作為研究分析方法，藉此篩選出影響採購被動矩陣式OLED顯示器供應商成為策略夥伴評估之因素，本研究分析以產品創新能力、價格、敏捷反應、交期、客戶服務能力、質量控管、製造靈敏性之研究構面，此研究除了探討過去重要的構面準則，另外加入產品創新性、敏捷反應及製造靈活性加以探討研究，並針對細項重要準則進行研究，研究結果準則可幫助企業提升產業競爭力及策略訂定參考研究價值。

電子構裝散熱理論與量測實驗之設計(二版)

為了解決Micro LED IC的問題，作者林唯耕 這樣論述：

　　林唯耕教授專業著作《電子構裝散熱理論與量測實驗之設計》於2020年全新改版，修正初版中的錯誤，並增加了全新的章節〈如何測量熱管、均溫板或石墨片的有效Keff值〉。 　　本書針對一般業界或專業領域人士所欲了解的部分提供詳盡介紹，至於一般熱交換器製造、鰭片設計等，由於坊間已有許多專業書籍，本書將不再贅文說明。本書第1章簡單介紹電子構裝散熱，特別是CPU散熱歷史的演變。第2章在必須應用到的熱傳重要基本觀念上做基礎的介紹，以便讓非工程領域的人亦能理解，了解熱之性質與物理行為後才能知道如何散熱，以及散熱之方法、工具、量測及理論公式。第3章旨在敘述流力的基本觀念，重要的是如何計算

壓力阻力，從壓力阻力才能算出空氣流量。第4章探討一般封裝IC後之接端溫度TJ之理論解法。第5章討論一些實例的工程解法，包括自然對流、強制對流下溫升之計算，簡介風扇及風扇定律、風扇性能曲線、鰭片之阻抗曲線，以及如何利用簡單的區域分割理論求取鰭片之阻力曲線。第6章至第9章則注重實務經驗，尤其是實驗設計，其中包括理論設計及實驗之技巧。第6章說明如何設計一個測量熱阻的測試裝置（Dummy heater）。第7章解說AMCA規範下之風洞設計如何測量風扇性能曲線及Cooler系統（或鰭片）之阻抗曲線。第8章以熱管之理論與實務為主，逐一介紹其中重要之參數及標準性能，並說明量測之原理。第9章對LED散熱重要之

癥結做了觀念上的說明，注重於LED之內部積熱如何解決。二版新增的第10章則詳細敘述如何利用Angstrom方法量測熱管、均溫板、石墨片、石墨稀等物質之熱傳導係數K值。  

輸出級與靜態隨機存取記憶體之鰭式與閘極全包覆式電晶體設計

為了解決Micro LED IC的問題，作者吳奕廷 這樣論述：

本論文採用半導體製程與元件模擬軟體(Technology Computer Aided Design, TCAD)來研究現今鰭式電晶體(FinFET)所遭遇到的挑戰。和傳統的平面電晶體相比，鰭式電晶體所遭遇到的第一個挑戰是其橫向擴散金氧半電容元件(laterally-diffused MOSFET, LDMOS)的特性較差，這是因為其元件漂移區(drift region)的鰭式結構寬度很小(截面積不足)而導致了高導通電阻的產生，本論文的第三章提出了一種新的製程方法，將原本橫向擴散金氧半電容元件的鰭狀飄移區(fin-type drift region)改成完整的塊狀平面飄移區(bulk pla

nar drift region)，使得導通電阻可以大幅下降，而不減損崩潰電壓。鰭式電晶體所遭遇到的第二個挑戰是其等效通道寬度只能是非連續的特定值。由於整片晶圓上的所有鰭式電晶體的通道寬度(fin width)與高度(fin height)皆相同，改變鰭的根數是調變電晶體等效通道寬度的唯一方法。由於鰭的根數一定是整數，所以在固定電壓下，電晶體的電流也只能是不連續的特定值。對於靜態隨機存取記憶體來說，其上拉(pull-up)電晶體相較於閘門(pass-gate)電晶體的電流比例(上拉比例pull-up ratio)必須是某個小於1的特定值，才能有最好的寫入能力與良率。然而，當鰭式電晶體的電流只能

是特定值的時候，這個比例將難以被達成。本論文的第四章提出了一個新的方法以達成這個比例。藉由插入一個薄的氧化層在鰭通道內，將鰭通道將分割成上通道和下通道。接著，藉由重摻雜上拉電晶體的上通道使其不導通，上拉電晶體的導通電流將由僅存的下通道高度來決定，氧化層的位置越低，下通道高度就越低，上拉電晶體的導通電流由氧化層的位置來決定。鰭式電晶體所遭遇到的第三個挑戰，在於其短通道效應的抑制能力不足以應付元件的持續微縮。今天，大部份的學者專家都認為，當未來電晶體的閘極長度小於15奈米的時候，現有的鰭式電晶體將被閘極全包覆式電晶體(Gate-all-around transistor)所取代。然而，閘極全包覆式

電晶體的缺點在於，奈米線(nanowire)與奈米線間的垂直間距至少需要大於10奈米，才能提供足夠的空間來填充具有一定厚度的功函數金屬(work function metal)。因此，在一樣的元件高度下，所能堆疊的奈米線數目將十分有限，導通電流不高。僅管，有學者專家提出將奈米線拓寬成奈米片(nanosheet)來增加導通電流，這個方式會增加電晶體面積導致成本增加。本論文的第五章提出了一個新的高介電係數插入氧化層鰭式電晶體(high-permittivity inserted-oxide FinFET, iFinFET)來提升電流。藉由利用一個超薄(約3奈米厚)的高介電係數材料來取代原本奈米線間

10奈米間距的功函數金屬，相同元件高度下可以堆疊更多的奈米線。最後，本論文的第六章提出了一種新型態的混合靜態隨機存取記憶體。藉由使用高電流的插入氧化層鰭式電晶體當作閘門(pass-gate)與下拉(pull-down)電晶體，再使用低電流但低漏電的閘極全包覆式電晶體當做上拉(pull-up)電晶體，靜態隨機存取記憶體的上拉比率得以最佳化，使得良率提升，最小操作電壓下降，功率消耗減少，記憶體面積與存取時間保持不變。本論文的第六章也針對了最近提出的叉子記憶體(Forksheet SRAM)進行了完整的分析。