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國立中興大學 材料科學與工程學系所 林克偉所指導 陳穎嫻的 離子束轟擊[鐵/釩]薄膜之微結構及磁性質研究 （2014），提出Mii 110 Dcard關鍵因素是什麼，來自於磁性薄膜。

而第二篇論文國立中興大學 材料科學與工程學系所 林克偉所指導 黃怡娟的 【鐵/釩】雙層薄膜經離子束轟擊後之微結構與磁性質研究 （2014），提出因為有 鐵釩雙層、離子束、磁性的重點而找出了 Mii 110 Dcard的解答。

最後網站Mii - Dcard則補充：SYM mii110的logo爛到爆. 不囉嗦直接上圖，這是我兩側的機車logo，酸的人到底哪裡有障礙？我都強調我上一台十年老車都沒這個問題了，我要靠邀的點是和 ...

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離子束轟擊[鐵/釩]薄膜之微結構及磁性質研究

為了解決Mii 110 Dcard的問題，作者陳穎嫻 這樣論述：

"本研究利用雙離子束濺鍍系統(IBAD)製備Al/[Fe/V]/SiO2雙層薄膜，鋁層作為薄膜保護層，並利用輔助離子束(End Hall)轟擊鐵磁層，探討Al/[Fe/V]/SiO2雙層薄膜之微結構及磁性質。 X光繞射分析(XRD)得知晶體結構，由XRD分析圖發現Al/[Fe/V]/SiO2雙層薄膜在82.3°及42.1°處有繞射峰，於JCPDS Card 之Fe(211)與V(110)晶體平面處有繞射峰。鐵與釩皆為體心立方(b.c.c.)結構，利用Bragg’s law計算得到薄膜中鐵晶格常數a=2.98 A，與釩晶格常數a=3.03 A，與塊材理論值相近。接著利用穿透式電子顯微鏡(

TEM)進行晶粒尺寸分佈、膜厚及結構成分分析，利用TEM暗視野圖統計出平均晶粒尺寸約為9.5 nm， TEM橫截面圖可辨別本實驗試片有鋁、鐵、釩三層斷面及各層膜厚分別為鋁層膜厚約為1 nm；鐵層膜厚約為6 nm；釩層膜厚約為31 nm。磁性質方面，在外加磁場(12k Oe)利用震動樣品磁力計(VSM) 沿平行膜面量測薄膜磁性質於室溫(298K)及低溫(180K)，觀察到低溫時有較大的飽和磁化量，較高的剩磁比，而矯頑磁力則無明顯變化。"

【鐵/釩】雙層薄膜經離子束轟擊後之微結構與磁性質研究

為了解決Mii 110 Dcard的問題，作者黃怡娟 這樣論述：

本研究係針對利用離子束濺鍍系統( IBAD) 以二氧化矽(SiO2)基板所鍍著鋁/[鐵/釩](Al / [Fe/V])雙層薄膜，其中鋁層係屬該薄膜的防護層，並再經由離子束轟擊鐵磁層後進行其微結構及磁性質分析探討。 利用X光繞射儀進行X光繞射分析(X-ray Diffraction,XRD) Fe/V薄膜的晶體結構，並從繞射圖譜得知在其繞射角2θ分為82.3°(Fe)、42.1°(V)、33.1° ( Fe2O3)；於JCPDS Card 之鐵(211)、釩(110)、氧化鐵(104)的hkl晶面具有一繞射峰。而鐵與釩皆屬於體心立方晶體結構( Body-Centered Cubi

c Crystal Structure,BCC)，利用布拉格定律(Bragg’s law) 分別計算其晶面間距(dhkl)求得鐵、氧化鐵與釩的晶格常數a(Å)，鐵晶格常數a211=2.87 Å、釩晶格常數a110=3.03 Å，氧化鐵(Fe-oxide) 晶格常數a=5.05 Å, c=13.76 Å, c/a值為2.72。並將實驗計算值與塊材理論值(JCPDS Card)相比對可得知是相近的，亦驗證此實驗樣品含有氧與鐵結合形成氧化鐵(Fe-oxide)的存在。 再經由穿透式電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope, TEM) 觀察鍍膜微結構、

膜厚以及晶粒尺寸。從TEM橫截面圖中可清楚辨別四層斷面，分別為二氧化矽基板、釩、鐵(含部份氧與鐵結合形成之氧化鐵)、鋁和覆蓋在最上方之Epoxy，其鐵、釩、鋁各層膜厚分別為9.91 nm(氧化鐵膜厚1.69 nm)、26.1 nm、10.78 nm。透過暗視野圖統計出平均晶粒尺寸(grain size)約為9.8 nm。 最後利用震動樣品磁力計(VSM)在外加磁場(12 kOe) 並於室溫(298 K)及低溫(180 K)下量測薄膜的磁性質。在低溫(180 K)下之矯頑磁力有增加之現象為35.9 Oe，主要原因是於低溫(180 K)下，磁矩翻轉較不容易和鐵磁與反鐵磁界面交換耦合強

度增強所致。室溫(298 K)與低溫(180 K)下之交換偏壓場差異性不大，其交換偏壓場差為0.5 Oe，形成交換偏壓場原因可能是Fe與O結合後較容易形成Fe2O3，其磁性質具有反鐵磁性。但發現實驗樣品在低溫時其交換偏壓場無明顯變化，可能是實驗試片內所形成的Fe2O3較低。

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