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以高密度電漿 ICP-CVD 製備磷摻雜 NiO 寬能隙透明導電薄膜

為了解決NIO stock的問題，作者林虹君 這樣論述：

　　本論文探討以感應式耦合電漿輔助化學氣相沉積系統 (Inductively coupled plasma-chemical vapor deponsition, ICP-CVD) 以不同磷摻雜時間製備之氧化鎳 (NiO) 寬能系透明導電膜，以探討透光率與導電性之 P-doped NiO 薄膜。　　首先在玻璃基板上利用脈衝直流磁控濺鍍系統 (Pulsed DC magnetron sputtering) 以不同通氧量鍍製本質氧化鎳薄膜，再以快速熱退火處理系統 (Rapid Thermal annealing, RTA) 進行不同溫度的退火處理，最後再利用感應式耦合電漿輔助化學氣相沉積系統中

PH3/H2 混合氣體進行摻雜處理，探討改變不同 PH3/H2 摻雜量與退火溫度製備的 NiO 薄膜。此外本研究還有以N型矽基板製備異質接面元件。　　分析上藉由紫外光/可見光分光光譜儀 (UV-Vis) 分析其光學能隙變化，隨著摻雜時間的升高，能隙也有提升的趨勢。原子力顯微鏡 (Atomic force microscopy, AFM) 分析其表面粗糙度，退火溫度提高，表面更趨於平滑、TEM及FESEM分析表面與截面薄膜結晶程度。電性分析則利用霍爾量測 (Hall Effect) 分析其電學性質，發現具有P型導體特性與不低的電洞遷移率、電壓/電流半導體量測儀分析其pn電流特性，發現元件在照光

時比未照光時高出三倍電流量以及極少的漏電流、量測其載子生命週期及開路電壓等。　　探討未來應用於太陽能電池之表面鈍化與背向電場薄膜應用的可能性。