Nabla的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

世界第一簡單物理數學

為了解決Nabla的問題，作者馬場彩 這樣論述：

　　在歷史的長河中，物理學和數學總是同步發展著。 　　然而，到高中為止，「物理」和「數學」都被歸類為不同的科目，少有機會能體會到它們的「同步發展」。 　　本書的預設讀者是像作者一樣「不太擅長數學，卻想要學習物理學」的學生，透過比高中程度再稍難的數學，深入淺出地連結物理學，體會物理學與數學的息息相關，並盡可能地收錄大量的物理學例題，輔以漫畫特有的生動圖繪，幫助讀者能夠在腦海中不斷湧現用數學所描述的物理學世界。 　　也請來清華大學物理系林秀豪教授專門審訂，給予大家更專業的知識！ 　　基礎數學知識對於在大學學習的物理學是必不可少的。 　　然而，在數學課上並不經常涉及物理

學的應用，而且在大多數情況下，在物理課上也沒有多少時間來解釋數學。 　　本書針對高中和大學一、二年級所學的數學，如線性代數、微分和積分微積分、微分方程、複數等，通過漫畫和插圖，用視覺幫助學生獲得對公式和計算的清晰印象。 　　此外，還以實例的形式解釋了數學在物理學中的應用，可以從中理解數學和物理學之間的聯繫。  

Nabla進入發燒排行的影片

格雷么正矩陣性質探討

為了解決Nabla的問題，作者路子宏 這樣論述：

格雷么正矩陣為一種字集小、各列經離散傅立葉轉換具有低功率峰均比、於任何偶數階次都存在的么正矩陣，由格雷互補對序列建構生成。本研究將格雷么正矩陣依照各列包含單一格雷互補對序列或兩個格雷互補對序列，分成 Type A、Type B 兩種，探討建構、尺寸、字集、功率峰均比等性質。已知 Type A 格雷么正矩陣階次均為二的冪次方。本研究進行窮盡搜尋，生成格雷互補對序列，並使用快速搜尋法建構正交集合，成功找到非二的冪次方階次的六階 8-QAM Type A格雷么正矩陣，可用三個 minimal matrices 來代表。Type A 格雷么正矩陣各列功率峰均比上限為 2。Type B 格雷么正矩

陣可使用 BPSK、QPSK、8-QAM 格雷互補對序列於所有偶數階次生成，但沒有已知的列功率峰均比上限。本研究求出階次兩萬以下的 Type B 格雷么正矩陣列功率峰均比，最大值與平均值約為 8.7、5.5。顯示功率峰均比隨階次增加上升緩慢。 壓縮感知為一種利用訊號稀疏性來減少量測樣本，仍能重建訊號的方法。本研究以電腦模擬，比較各種么正矩陣在不同稀疏域做為壓縮感知量測矩陣的還原重建率效能。實數值的 BPSK Type A、Type B 格雷么正矩陣在各種稀疏域都可以達到基準 IID Gaussian 矩陣的效能，在頻域稀疏時可以達到 IID Complex Gaussian量測矩陣的效能。複

數值的 8-QAM Type B 格雷么正矩陣在不同稀疏域重建率都和 IID Complex Gaussian、Zadoff-Chu Transform Matrix 相近。模擬結果可看出格雷么正矩陣於壓縮感知的表現整體而言頗為優良。

電磁學天堂祕笈：輕鬆解析最實用的馬克士威方程式

為了解決Nabla的問題，作者DanielFleisch 這樣論述：

　　馬克士威方程式是有史以來最具影響力、最實用的方程式， 　　是我們每天都在使用的電子科技產品的基石！ 　　所有電磁學理論的內容，都包含在馬克士威方程式中。──費曼 　　馬克士威的理論是自牛頓以來，最出色、最有影響力的理論。──愛因斯坦 　　馬克士威電磁方程式……包羅一切光、電的現象，是更高一個層次的美。──楊振寧 　　在所有名聲響亮的科學方程式當中， 　　馬克士威方程式可說是有史以來最具影響力、最實用的方程式， 　　是我們每天都在使用的電子科技產品的基石。 　　馬克士威方程式包含四道著名的方程式： 　　電場的高斯定律、磁場的高斯定律、 　　法拉第定律、以及安培－馬克士威定律。 　

　在這本《電磁學天堂祕笈》裡， 　　每一道方程式都是單獨一章的主題， 　　作者夫雷胥教授用簡單易懂的語言， 　　仔細拆解方程式中每一個符號的物理意義， 　　清晰描述各個方程式的積分形式與微分形式， 　　並且提供解題的範例。 　　你不需要讀過幾百頁的物理教科書或電磁學教科書， 　　就能得到電磁學最主要的觀念。  

第一原理研究:鑽石與族四半導體彈性應變工程

為了解決Nabla的問題，作者周常棣 這樣論述：

彈性應變工程可以在奈米尺度半導體中大展鋒芒，藉助第一原理的密度泛函理論我們可以系統性的分析應變工程的影響。自然界最硬材料的鑽石近期成功在奈米尺度下被形變，此突破性進展也讓我們對鑽石的應變工程抱有興趣，我們也同時討論與鑽石同族之元素矽與锗。我們首先對計算的準確度與合理性進行討論，包括模型的建立、倒空間計算路徑確認與最重要的，交換-相干泛函的合理選用。我們首先將材料模型對常見的晶格方向，〈100〉、〈110〉和〈111〉方向，進行單軸拉伸應變，而後觀察能帶結構與能隙變化， 〈110〉方向單軸應變對三種材料的有最高的能隙對應變下降率，而在鑽石與矽的〈111〉方向單軸應變下，分別超過9%與13%會形

成間接-直接能隙轉換。我們也對鑽石與矽進行了單軸壓縮應變工程的研究，矽在單軸壓縮應變的影響下有著更顯著的能隙對應變的下降率。再來我們也討論了鑽石與矽的蒲松比分析，讓模擬與實際拉伸情況更加貼近，鑽石在小程度拉伸下可以視為單軸應變，而矽在考慮蒲松比後能隙下降率是大於單軸應變的效果。在論文的最後，我們研究了應變後鑽石的材料分析，包括了電荷密度分析、電荷局域函數分析、化學鍵結分析、聲子散射曲線分析與熱傳導性的改變。在不同觀點下，鑽石在小程度拉伸下依舊具備高度的化學與物理穩定性，鑽石的熱傳導率也會因為應變而下降。