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國立臺北科技大學 化學工程與生物科技系化學工程碩士班 林律吟所指導 林冠憲的 銅摻雜二硫化錫應用於鈉離子電池與銅鈷硫化物複合氫氧化鎳應用於超級電容器 (2021),提出Nano X1關鍵因素是什麼,來自於鈉離子電池、二硫化錫、超級電容器、銅鈷硫化物。

而第二篇論文國立陽明交通大學 電子物理系所 周苡嘉所指導 周易的 以掃描穿透式電子顯微鏡分析高熵合金與金屬矽化物之原子級微結構 (2021),提出因為有 耐退火高熵合金、晶格畸變、短程有序、掃描穿透式電子顯微鏡、金屬矽化物、電子能量損失儀、能量過濾穿透式電子顯微鏡的重點而找出了 Nano X1的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了Nano X1,大家也想知道這些:

ThinkPad使用大全:商用筆電王者完全解析

為了解決Nano X1的問題,作者GalaxyLee 這樣論述:

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銅摻雜二硫化錫應用於鈉離子電池與銅鈷硫化物複合氫氧化鎳應用於超級電容器

為了解決Nano X1的問題,作者林冠憲 這樣論述:

隨著科技和電動車的發展,擁有成本低和高效率的能量儲存裝置是基本需求,而鈉離子電池相比於鋰離子電池有較低的成本,而超級電容器具有高功率密度的特點,因此是值得選擇的儲能裝置,但是電池無法承受大電流的充放電,如電動車再啟動或是煞車時,瞬間產生的大電流就適合用超級電容器來做能量的釋放或儲存,本論文主要探討應用於鈉離子電池與超級電容器的儲能材料。二硫化錫(SnS2)被認為是有潛力的鈉離子電池的負極材料,因為二硫化錫具有高理論電量、低成本和層間距大,但是其導電性較差和充放電過程的體積變化大,限制了在實際的應用,本研究利用了銅摻雜方法、結構設計和無黏著劑電極改善其缺點,透過組成鈕扣型電池來量測電化學性能,

實驗結果表明,經過優化的銅摻雜量(2%)的二硫化錫,在0.1 A/g的電流密度下為1092.8 mAh/g,而未摻雜的二硫化錫為436.4 mAh/g,有著顯著的提升,在130次的循環充電與放電後,得到63%的電量保留率。在超級電容器的材料中,二元金屬硫化物具有更多的氧化還原反應和高電導性,銅鈷硫化物(CuCo2S4)就是其中的代表,氫氧化鎳(Ni(OH)2)有高理論電容和在鹼性電解液中有良好的穩定性,但其導電性較差使其在高倍率性能表現較不好,本研究將不同層數的氫氧化鎳複合在銅鈷硫化物的表面,經過優化的3層氫氧化鎳複合銅鈷硫化物,在7 A/g的電流密度下有609.0 F/g,而銅鈷硫化物為32

2.0 F/g,氫氧化鎳為388.9 F/g,另外也將優化的3層氫氧化鎳複合銅鈷硫化物和活性碳組成非對稱超級電容器,在0.8 kW/kg的功率密度有22.5 Wh/kg的能量密度,最後在8000次的循環充電與放電後,得到77%的電容保留率。

以掃描穿透式電子顯微鏡分析高熵合金與金屬矽化物之原子級微結構

為了解決Nano X1的問題,作者周易 這樣論述:

在本實驗中,有兩種高熵合金被製備,分別是NbTaTiV與NbTaTiVZr,其微觀結構在掃描式電子顯微鏡(SEM)之下,呈現的是等軸長且均質的晶粒結構,其晶體結構由X光繞射(XRD)、同步輻射X光繞射(Synchrotron diffraction)與穿透式電子顯微鏡(TEM)分析,呈現單一相的體心立方結構。其機械性質以拉升試驗機(tensile test)進行量測,對應NbTaTiV的降伏強度(yield strength)為1278百萬帕斯卡(MPa),而NbTaTiVZr的降伏強度為1589百萬帕斯卡,其強度相較其他合金都是非常高的,為了解釋NbTaTiV與NbTaTiVZr的高強度,

由晶格畸變(lattice distortion)所造成的強化也納入機械強度的模擬,結果顯示晶格畸變的強化量,對於NbTaTiVZr為906.81百萬帕斯卡,而NbTaTiV則為431.48百萬帕斯卡,NbTaTiVZr的強化量為NbTaTiV的2.1倍。為了量測晶格畸變係數,理論值與計算值的晶格畸變係數被定義與計算,對於NbTaTiV與NbTaTiVZr其數值分別為0.1186埃(Å)與0.1831埃,但是這個方法使用預設的參數來計算,當預設的狀態不符合時結果會大幅偏離實際值;因此掃描穿透式電子顯微鏡(STEM)的高環角暗場像(HAADF)的特性,如真實空間解析與原子序對比被使用,來直接量測

晶格畸變與高熵合金中元素分布狀況。直接量測的結果顯示,NbTaTiV與NbTaTiVZr的晶格畸變係數分別為0.1140埃與0.1546埃,NbTaTiV的結果與理論計算非常吻合,而且由原子柱的強度分布來判斷,其元素分布相當隨機;而對於NbTaTiVZr,其晶格畸變係數小於理論值15%,由原子隨機分布性的降低推論, NbTaTiVZr中具有短程有序結構,使得晶格畸變程度降低。在室溫與1173 K下11.8%形變的NbTaTiV與4.2%形變的CrMoNbV也由穿透式電子顯微鏡與掃描穿透式電子顯微鏡進行觀察,發現其中大部分的差排(dislocation)屬於刃差排(edge dislocatio

n),而由此判斷,刃差排是NbTaTiV與CrMoNbV中主要的強化機制來源,其結果與一般預期的結果不同,一般預期體心立方的晶體是以螺旋差排(screw dislocation)來進行強化。二矽化鈷與矽之異質結構特性也被以掃描穿透式電子顯微鏡的高環角暗場像(HAADF-STEM)、能量損失光譜儀(EELS)與近邊精細結構能量損失模擬(ELNES)進行分析,藉由掃描穿透式電子顯微鏡的高環角暗場像之影像,異質結構的模型被建立,此結構用來模擬並解釋矽L2,3的特殊介面峰。