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國立成功大學 機械工程學系 陳鐵城所指導 許元瑋的 以分子動力學分析Cu-Al金屬玻璃阻障層與多晶銅間之擴散行為與機械性質 （2017），提出Palladium 小半 號關鍵因素是什麼，來自於分子動力學、金屬玻璃、擴散阻障層、銅鋁合金。
而第二篇論文國立高雄大學 化學工程及材料工程學系碩士班 楊證富所指導 陳茂安的 鋰摻雜氧化鎳薄膜沉積與應用於p-n接面元件製作 （2014），提出因為有 氧化鎳、鋰摻雜、Figure of Merit的重點而找出了 Palladium 小半 號的解答。
以分子動力學分析Cu-Al金屬玻璃阻障層與多晶銅間之擴散行為與機械性質
為了解決Palladium 小半 號 的問題，作者許元瑋 這樣論述：
隨著電子晶片的尺寸逐漸縮小，半導體前端晶圓製造方面面臨各式挑戰，後端電子封裝技術部分亦出現急需克服的屏障。例如電子封裝技術中銅與錫易於發生原子交互擴散行為，形成金屬間化合物及錫鬚晶，導致界面電阻率急劇升高進而使電子元件失效。本研究重點在於探討以銅鋁合金做為金屬玻璃阻障層與多晶銅間的擴散行為與機械性質。在理論模擬方法上，使用分子動力學模擬法與EAM勢能函數作為理論基礎，並配合開放式軟體LAMMPS作為工具，分析在不同系統溫度、冷卻速率及合金比例等條件下之銅鋁合金與多晶銅間的均方根位移、擴散系數及受單向拉伸時整體結構的應變分布、拉伸時空孔的破壞過程。結果顯示擴散行為方面，金屬玻璃結構較晶態結構熱
穩定性較佳，晶態結構於擴散模擬中在高溫時傾向出現急劇的擴散行為。擴散後剩餘非晶態結構比例越高之結構擁有最佳的擴散阻擋能力，因其不具有晶界等良好的擴散途徑；機械性質方面，金屬玻璃呈現較晶態結構差之機械強度，屬於較為延性的破壞行為。當上層晶態結構比例越高時，空孔破壞發生於銅鋁合金與多晶銅界面處，非晶態結構比例越高時，空孔破壞傾向發生於銅鋁金屬玻璃內部，此代表晶態結構機械強度較界面處及非晶態結構來的高。
鋰摻雜氧化鎳薄膜沉積與應用於p-n接面元件製作
為了解決Palladium 小半 號 的問題，作者陳茂安 這樣論述：
本研究利用射頻磁控濺鍍系統，以氧化鎳靶與氧化鎳摻雜鋰之複合靶，進行氧化鎳薄膜濺鍍沉積在玻璃(Eagle XG)與可撓式(PET)基板上，藉由改變濺鍍時氣氛比例(100、75、50、25% O2)、基板溫度(25、150、250、350℃)與摻雜不同鋰(2、4、6、12at%)成份進行比較，並利用Figure of Merit方程式找出其相較佳的條件製作NiO-ITO 導電膜之p-n異質接面二極體元件。使用儀器如：X光繞射儀、場發射掃描式電子顯微鏡、聚焦離子束、場發穿透式電子顯微鏡、X光光電子能譜儀、紫外光-可見光分光光度計、霍爾效應量測、四點探針量測與電流-電壓曲線。 實驗結果分析顯示
，利用Figure of Merit 方程式得知氧化鎳薄膜沉積於玻璃基板中在75%氧氣氣氛、基板溫度250℃與6at%的鋰摻雜量中光、電性值有較佳值，在可見光區(400~700nm)穿透率為60.07%，電阻率為5.25Ω-cm。而氧化鎳薄膜沉積於可撓式基板中在50%氧氣氣氛、基板溫度100℃與6at%的鋰摻雜量中光性與電性有較佳值，在可見光區(400~700nm)穿透率為56.46%，電阻率為29.4Ω-cm。