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Spectral, Photon Counting Computed Tomography: Technology and Applications

為了解決Philips LED的問題，作者 這樣論述：

Katsuyuki ＂Ken＂ Taguchi, Ph.D. is Professor in The Russell H. Morgan Department of Radiology and Radiological Science, The Johns Hopkins University School of Medicine. He has pioneered and implemented algorithms for prototypes and commercial scanners such as multi-slice CT in 1998, cardiac CT in 200

0, and 256-slice CT in 2002. Due to those seminal works and his significant contribution, Dr. Taguchi has received IEEE Nuclear and Plasma Sciences Society 2008 Young Investigator Medical Imaging Science Award. Ira Blevis is Principal Scientist in Philips Healthcare developing semiconductor radiatio

n detectors and Photon Counting CT based on them. Recent progress with the detectors led to a prototype PC scanner based on CZT which served as a basis for an EU H2020 grant awarded to develop a full size prototype for clinical use; Ira served a term as Director of the Philips Project and serves as

Philips PI on the Grant.Krzysztof (Kris) Iniewski is managing R&D development activities at Redlen Technologies Inc., a compound semiconductor detector company based in British Columbia, Canada. During his 12 years at Redlen he managed development of highly integrated CZT detector products in medica

l imaging and security applications.

Philips LED進入發燒排行的影片

應用無橋式升降壓型功率因數修正器及LLC諧振式轉換器於USB電力傳輸

為了解決Philips LED的問題，作者陳俊宇 這樣論述：

摘 要 iABSTRACT ii致謝 iv目錄 v圖目錄 x表目錄 xxix第一章 緒論 11.1 研究動機及目的 11.2 研究方法 111.3 論文內容架構 12第二章 先前技術之動作原理與分析 132.1 前言 132.2 有橋式升降壓型功率因數修正電路架構與其動作原理 132.3 諧振式轉換器架構與特性 182.3.1 串聯諧振式轉換器 182.3.2 並聯諧振式轉換器 202.3.3 串並聯諧振式轉換器 222.4 USB Power Delivery 25第三章 所提無橋式升降壓型功率因數修正電路與LLC諧振式轉換器之動作原理與分析 263

.1 前言 263.2 電路符號定義及假設 263.3 所提電路之工作原理與數學分析 293.3.1 無橋式升降壓型功率因數修正電路之運作行為 303.3.2 無橋式升降壓型功率因數修正電路之電壓轉換比 333.3.3 無橋式升降壓型功率因數修正電路之電感電流邊界條件 353.3.4 無橋式升降壓型功率因數修正電路之實際電壓轉換比 373.3.5 LLC諧振轉換電路之運作行為 383.3.6 LLC之電壓增益 533.3.7 LLC電壓增益與K值關係 553.3.8 電壓增益與品質因素Q關係 57第四章 系統之硬體電路設計 584.1 前言 584.2 系統架構 5

84.3 架構之系統規格 604.4 系統設計 614.4.1 輸入端之差動濾波器設計 614.4.2 電感L1與電感L2設計 68(A) 電感L1與L2之感量 68(B) 電感L1與L2之磁芯選用 724.4.3 輸出電容Co1設計 754.4.5 模擬變載輸出電壓變動量量測 764.4.6 諧振槽參數設計 79(A) 變壓器Tr之匝數比n 79(B) 輸出等效阻抗Rac 79(C) 品質因數Q 80(D) 諧振元件Lr、Cr、Lm參數 84(E) 磁性元件Lm、Lr繞製 854.4.5 輸出電容Co2設計 924.4.6 同步整流器IC說明 934.4

.7 功率開關與二極體之選配 95(A) 升降壓型功率因數修正器之開關元件選配 96(B) LLC諧振式轉換器之開關元件選配 974.4.7 驅動電路設計 984.5 電壓偵測電路設計 994.6 元件總表 102第五章　軟體規劃及程式設計流程 1035.1 前言 1035.2 程式動作流程 1035.2.1 ADC取樣與資料處理 1045.2.2 移動均值濾波模組 1065.2.3 PI控制器模組與限制器模組 1085.2.4 控制開關訊號模組 110第六章 模擬與實作波形 1126.1 前言 1126.2 電路模擬結果 1126.2.1 電路於15W功率

等級之模擬波形圖 1146.2.2 電路於27W功率等級之模擬波形圖 1196.2.3 電路於45W功率等級之模擬波形圖 1246.2.4 電路於100W功率等級之模擬波形圖 1296.3 所提功率因數修正電路的實驗波形圖 1356.3.1 單級功率因數修正電路於16.6W功率等級之實驗波形圖 136(A) 輸入電壓85V之波形量測 136(B) 輸入電壓110V之波形量測 139(C) 輸入電壓220V之波形量測 142(D) 輸入電壓264V之波形量測 1456.3.2 單級功率因數修正電路於30W功率等級之實驗波形圖 148(A) 輸入電壓85V之波形量測 148

(B) 輸入電壓110V之波形量測 152(C) 輸入電壓220V之波形量測 155(D) 輸入電壓264V之波形量測 1586.3.3 單級功率因數修正電路於50W功率等級之實驗波形圖 161(A) 輸入電壓85V之波形量測 161(B) 輸入電壓110V之波形量測 164(C) 輸入電壓220V之波形量測 167(D) 輸入電壓264V之波形量測 1706.3.4 單級功率因數修正電路於111W功率等級之實驗波形圖 173(A) 輸入電壓85V之波形量測 173(B) 輸入電壓110V之波形量測 177(C) 輸入電壓220V之波形量測 181(D) 輸入電壓264

V之波形量測 1846.3.5 單級功率因數修正電路實驗波形比較結果之小結 188(A) 16.6W之功率等級 188(B) 30W之功率等級 189(C) 50W之功率等級 189(D) 100W之功率等級 1906.4 所採用之LLC諧振式電路的實驗波形圖 1926.4.1 單級LLC諧振式電路於15W功率等級之實驗波形圖 1926.4.2 單級LLC諧振式電路於27W功率等級之實驗波形圖 1966.4.3 單級LLC諧振式電路於45W功率等級之實驗波形圖 2016.4.4 單級LLC諧振式電路於100W功率等級之實驗波形圖 2056.5 所提電路之變載測試 211

6.5.1 系統於15W功率等級之變載實驗波形圖 2116.5.2 系統於27W功率等級之變載實驗波形圖 2206.5.3 系統於45W功率等級之變載實驗波形圖 2296.5.4 系統於100W功率等級之變載實驗波形圖 2386.6 實驗相關參數量測 2496.7 損失分析 253(1) 開關S1~S7之損失 253(2) 二極體D1、D2、D3之損失 255(3) 磁性元件之損失 255(5) 電容元件之損失 257(6) 損失分析總結 258第七章　文獻比較 260第八章　結論與未來展望 2628.1結論 2628.2　未來展望 262參考文獻 263符號彙

編 272

Reliability of Organic Compounds in Microelectronics and Optoelectronics: From Physics-Of-Failure to Physics-Of-Degradation

為了解決Philips LED的問題，作者 這樣論述：

Willem Dirk van Driel has a >20-year track record in the reliability domain. Application areas range from healthcare, gas and oil explorations, semiconductors and my current position in Philips Lighting where he is responsible for Solid State Lighting reliability. Besides that, he holds a professor

position at the University of Delft, The Netherlands. His scientific interests are solid state lighting, microelectronics and microsystems technologies, virtual prototyping, virtual reliability qualification and designing for reliability of microelectronics and microsystems. He acts as the chair for

the organizing committee of the IEEE conference EuroSimE and has authored and co-authored more than 300 scientific publications, including journal and conference papers, book or book chapters and invited keynote lectures. He holds 20 patents. He is a certified DFSS Black Belt.In her PhD and Post-Do

c projects Dr. Yazdan Mehr has extensively worked on different aspects of LED-based products, i.e. materials, design, reliability, and degradation. She developed a deep understanding of correlation between design, materials, and degradation mechanism relationships in LEDs. As well, she has a solid b

ackground in Materials Engineering as Dr Yazdan Mehr performed her Master at Materials Engineering Department of TUDelft.

標準必要專利之研究－以FRAND授權承諾為中心

為了解決Philips LED的問題，作者劉舒容 這樣論述：

中文摘要近年來標準必要專利訴訟，例如Microsoft v. Motorola案、Huawei v. ZTE案、Qualcomm案等，乃國際間所關注之焦點。而各國之行政與司法部門所為之裁決，莫不影響著企業之專利布局與技術領先地位，以及全球經濟與產業之發展。然而，探究該等訴訟之內容，除了案件複雜性甚高之外，其中更涉及鉅額權利金之判斷，禁制令核發之標準，以及企業對自由競爭市場之影響。本文將以標準必要專利為主題，依序探討標準與專利結合之原因、標準必要專利所挾帶之風險、標準制定組織如何預防採行標準必要專利所產生之問題、專利權人於接受標準制定組織之智慧財產政策後，其所為的F/RAND授權承諾性質為何、

權利金又是如何計算。此外，在標準必要專利權人負有授權義務的情況下，專利權人是否尚得行使專利排他權而請求禁制令、各國對於標準必要專利案件之禁制令核發門檻有無不同、以及標準必要專利與競爭法之關連。