走在汽車革命的路上論文書籍站
逢甲大學 電子工程學系 楊炳章所指導 簡偉翔的 應用於超寬頻接收機之低雜訊放大器設計 （2014），提出S22 Ultra 非滿版關鍵因素是什麼，來自於超寬頻、低雜訊放大器、雜訊指數。
而第二篇論文明新科技大學 電子工程研究所 楊信佳所指導 彭偉晏的 奈米製程於應變工程及FinFET元件特性的探討與低雜訊放大器電路設計 （2012），提出因為有 金氧場效電晶體、全面性應變矽、局部性應變、氮化矽接觸蝕刻停止層、低雜訊放大器、雜訊指數的重點而找出了 S22 Ultra 非滿版的解答。
應用於超寬頻接收機之低雜訊放大器設計
為了解決S22 Ultra 非滿版 的問題，作者簡偉翔 這樣論述：
在近年來，對於高速傳輸及高資料傳輸速率的無線通訊系統需求一直在增加。而超寬頻(UWB)技術可以以低消耗功率及高傳輸速率在短距離內做寬頻傳輸。低雜訊放大器在超寬頻接收器前端電路裡扮演了非常重要的腳色。一個好的超寬頻低雜訊放大器必須滿足幾個需求，如寬頻輸入匹配使得輸入反射達到最小，有足夠的增益來抑制雜訊，低雜訊指數(NF)來提高接收靈敏度，低消耗功率來增加電池壽命和小尺存來降低成本。 本篇論文所提出的超寬頻低雜訊放大器，其頻寬操作範圍在 3~9 GHz，在此模擬中使用 TSMC 0.18um RF CMOS製程，模擬結果顯示電路所能達到的最大增益為 22.6dB ，雜訊指數最低為1.5，輸入
及輸出反射係數在操作頻寬下皆小於 10dB，在1.8V的電壓供應下，此電路所消耗功率為 5.9mW。
奈米製程於應變工程及FinFET元件特性的探討與低雜訊放大器電路設計
為了解決S22 Ultra 非滿版 的問題，作者彭偉晏 這樣論述：
當元件尺寸縮小至奈米規格，除了能使電晶體能有效地提升速率之外，還能降低其製造成本，但在元件特性及製程技術上的要求格外嚴格。當傳統的互補式金氧場效電晶體(CMOSFET)在奈米技術上無法滿足電性上的要求時，應變工程的使用可解決此一問題，其中包括全面性應變(雙軸應變,Global Strain)與局部性應變(單軸應變, Local Strain)兩種的技術。本文中，在晶片上沉積矽鍺薄膜以形成應變通道，並於nMOSFET和pMOSFET閘極元件上，覆蓋氮化矽接觸孔蝕刻停止層(Contact Etch Stop Layer, CESL)以形成單軸應變，nMOSFET和pMOSFET通道受拉伸應力影響
，進而提高載子遷移率(Carrier mobility)，並增加元件的驅動電流。另外Fin-FET電晶體是將傳統平面式電晶體立起來的3D結構，閘極形成魚鰭的叉狀形結構，在電晶體兩側控制電路的接通與關閉，此種設計改善電路的控制性並減少其漏電流；也可大幅縮短電晶體閘長，Fin-FET製程技術將可取代高漏電流的傳統MOSFET元件，此研究針對單通道與十一個通道，以相同的離子佈值濃度卻有不同的離子佈值能量(20eV、15eV)製程所作成的不同元件，進行基本電性測量分析，找出較佳的製程參數，作為往後先進製程參考。 低雜訊放大器(Low noise amplifier, LNA)是接收器之前端放大，所扮
演的腳色舉足輕重，它不只可放大由天線所接收的訊號，更可抑止整個接收器系統的雜訊。本研究利用TSMC 90nm製程技術以及安捷倫 ADS(Advanced Design System)作高頻電路模擬完成設計。實驗中使用的輸入電壓為1.8V，當中LC TANK及前端LC濾波組達到選取中心工作頻率的效果，中心工作頻率由21.0GHz至30.0 GHz皆有20dB以上之順向增益(S21)，隔離度(S12)則小於-30dB，輸入與輸出阻抗匹配(S11, S22)可由Smith Chart看出，只是相關於中心工作頻率的雜訊指數(Noise Figure, NF)有較高的值。相信此實驗對於未來在通訊電路開發
上極為具有參考價值。