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SIMS 表面分析的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦李克駿,李克慧,李明逵寫的 半導體製程概論(第四版) 和羅吉宗的 薄膜科技與應用(第五版)都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自全華圖書 和全華圖書所出版 。
國立清華大學 核子工程與科學研究所 葉宗洸、王美雅所指導 傅肇偉的 不同水化學對高熵合金與鎳基超合金在超臨界水環境下的腐蝕行為研究 （2021），提出SIMS 表面分析關鍵因素是什麼，來自於鎳基超合金、高熵合金、超臨界水、高溫腐蝕。
而第二篇論文逢甲大學 材料科學與工程學系 林煒淳所指導 羅煒竣的 應用表面分析技術研究MAPbI3鈣鈦礦薄膜衰退機制:利用熱和紫外光降解 （2020），提出因為有 鈣鈦礦、降解、紫外光、熱、歐傑電子光譜儀、飛行時間二次離子質譜儀、機制的重點而找出了 SIMS 表面分析的解答。
半導體製程概論(第四版)
為了解決SIMS 表面分析 的問題，作者李克駿,李克慧,李明逵 這樣論述：
全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。全書通用於大專院校電子、電機科系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程作為教材。 本書特色 1.深入淺出說明半導體元件物理和積體電路結構、原理及製程。 2.從矽導體之物理概念開始，一直到半導體結構、能帶作完整的解說，使讀者學習到全盤知識
。 3.圖片清晰，使讀者一目瞭然更容易理解。 4.適用於大學、科大電子、電機系「半導體製程」或「半導體製程技術」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。
不同水化學對高熵合金與鎳基超合金在超臨界水環境下的腐蝕行為研究
為了解決SIMS 表面分析 的問題，作者傅肇偉 這樣論述：
超臨界水反應器（Supercritical Water-Cooled Reactor, SCWR）為第四代核反應器設計之一。當水的溫度與壓力超過臨界點（374℃、22.1MPa）會達到第四相，即超臨界態。在此操作溫度壓力下的核反應器具有眾多優點，例如：比輕水式反應器更高的熱轉換效率，可達到45%左右（現今輕水式反應器的熱轉換效率為33%），此外，由於在此操作溫度下，水並不會發生相變化，因此整體的反應器設計可以更簡化與輕巧，進而降低建廠成本並有效提升電廠整體的安全性；然而，超臨界水也存在一些缺點，除了可以無限溶解非極性氣體以外，高運轉以及高功率密度會使水的輻射分解效應更為嚴重。因此，若能知道添
加還原劑可以有效抑制超臨界水化學環境的腐蝕性，便能更明確的發展出在此環境下適用的金屬材料。本論文選用三種鎳基超合金以及兩種高熵合金，分別為Haynes 282、Haynes 224、Inconel 617、Al0.2Co1.5CrFeNi1.5Ti0.3以及Al0.15CoCrFeNi，將五種合金試片置於壓力25MPa、溫度650℃的超臨界水中進行腐蝕試驗，並設三種水化學條件，分別為溶氧濃度低於100ppb的除氧環境、溶氧濃度超過19ppm的飽和溶氧環境以及溶氫濃度約在1ppm的溶氫環境。實驗時間長達1500小時，每500小時會取出試片進行分析。分析項目除了測量試片的重量變化，也會針對試片表面
使用掃描式電子顯微鏡（Scanning Electron Microscopy, SEM）觀察氧化物形貌、能量散射X射線光譜（Energy Dispersive Spectroscopy, EDS）分析氧化物組成，最後再使用拉曼光譜分析儀判定氧化物的晶體結構及使用聚焦離子束顯微鏡（Focused Ion Beam, FIB）觀察試片的橫截面以及氧化層的厚度。實驗結果表明五種合金在三種水化學環境下都呈現了質量增加的情形，且隨著實驗時間的增加，增重情形逐漸趨緩並漸趨穩定，氧化層的厚度則在具還原性的溶氫環境中最薄；唯一例外是HEA2會在飽和溶氧的環境下發生質量損失，經過SEM表面分析發現其在氧化初期
就產生了氧化物剝落的現象。另一方面，經過FIB分析可以知道Al2O3及Cr2O3是在這五種合金試片上主要生成之氧化物，具有優秀的抗腐蝕能力，其外部生成的尖晶石氧化物會因為環境中溶氧的濃度高低而有量的差別。另外，HEA1及HEA2在除氧及溶氫環境下都未發生孔蝕情形；相較之下鎳基超合金在溶氫環境下的孔蝕情形就較為嚴重，顯示高熵合金優秀的抗孔蝕能力。
薄膜科技與應用(第五版)
為了解決SIMS 表面分析 的問題，作者羅吉宗 這樣論述：
薄膜技術的進展和表面界面物理導入，使電子元件實現了輕薄短小，且有效控制半導體材料和固態元件之品質。坊間有多種薄膜技術叢書，但多僅闡述製作技術。本書將引導對薄膜有興趣者認識真空、電漿、長膜機制，製作高品質薄膜的要件，薄膜品質之鑑定和薄膜製作技術如何改善電子元件功能等。本書前四章介紹薄膜沉積所用到的真空、電漿、熱力、動力等薄膜生長機制；第五、六章介紹高品質薄膜對元件電性之影響；第七、八章說明量測薄膜特性之技術與原理。是一本適合大學、科大機械、電機、化工、材料系三、四年級「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。 本書特色 1.薄
膜是實踐電子元件輕薄短小、低損耗能量之關鍵技術，使固態電子產品之進步發展得以靈活設計及精確控制其品質。 2.薄膜技術涉及多門學科領域，本書將薄膜的應用與製作薄膜所用到的真空技術、熱力、電漿科技皆有所涵蓋。 3.本書內容共為八章，前四章介紹薄膜製作技術所用到的各種裝備與物理機制，第五、六章說明如何製作高品質薄膜和薄膜品質對元件電性的影響，第七、八兩章說明量測薄膜特性的各種技術與原理。 4.適合大學、科大機械、電機、化工、材料系「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。
應用表面分析技術研究MAPbI3鈣鈦礦薄膜衰退機制:利用熱和紫外光降解
為了解決SIMS 表面分析 的問題，作者羅煒竣 這樣論述：
誌謝 II中文摘要 III英文摘要 IV目錄 VI圖目錄 VIII表目錄 XI第一章 緒論 11.1 前言 11.2 太陽能電池基本原理與架構 31.2.1 大氣質量(air mass) 41.2.2 太陽能電池電壓-電流曲線(I-V curve) 51.3各類型太陽能電池簡介與比較 91.3.1 矽基太陽能電池 91.3.2 化合物半導體太陽能電池 101.3.3 新興太陽能電池 121.4 鈣鈦礦太陽能電池介紹 181.5 鈣鈦礦的穩定性 201.5.1 MAPbI3的水氣和氧氣穩定性 201.5.2 MAPbI3的熱穩定性 211.5.3 MAPb
I3的白光穩定性 231.6 研究動機 28第二章 材料製備與分析方法 292.1 化學藥品 292.2 甲基胺碘化鉛(MAPbI3)鈣鈦礦薄膜製備 292.2.1 MAPbI3 鈣鈦礦薄膜前驅液之製備 292.2.2 MAPbI3 鈣鈦礦薄膜之製備 302.3 MAPbI3薄膜穩定性實驗架設 302.4 材料之鑑定與特徵分析 312.4.1 場發射高真空高解析度掃描式電子顯微鏡 (FE-SEM) 322.4.2 多功能微區X光薄膜繞射儀 (MXRD) 342.4.3 紅外線光譜儀 (FTIR) 362.4.4 歐傑電子光譜儀(AES) 382.4.5 X射線光電子能
譜儀(XPS) 412.4.6 飛行時間二次離子質譜儀(ToF-SIMS) 43第三章 實驗結果與討論 463.1 熱對MAPbI3鈣鈦礦薄膜降解 463.1.1 熱降解晶體結構與官能基之變化 463.1.2 熱降解表面形貌之變化 483.1.3 熱降解歐傑元素分佈與局部光譜之變化 503.1.4 熱降解定量與定性分析 533.1.5 熱降解機制 573.1.6 利用ToF-SIMS印證熱降解機制 583.2 紫外光對MAPbI3鈣鈦礦薄膜降解 593.2.1 紫外光降解晶體結構與官能基之變化 603.2.2 紫外光降解表面形貌之變化 623.2.3 紫外光降解歐傑元
素分佈與局部光譜之變化 633.2.4 紫外光降解定量與定性分析 653.2.5紫外光降解機制 693.2.6 利用ToF-SIMS印證紫外光降解機制 70第四章 結論 724.1 結論 724.2 未來研究方向 73參考文獻 75