TMD的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

Anisotropic 2D Materials and Devices

為了解決TMD的問題，作者 這樣論述：

Presenting recent progress in anisotropic 2D materials research, reader is introduced to phosphorene and its arsenic alloys, monochalcogenides of group IV elements in the form of MX (M = Ge, Sn and X = S, Se, Te), low-symmetry transition-metal dichalcogenide (TMD) materials such as rhenium disulp

hide (ReS2) and rhenium diselenide (ReSe2), and organic 2D materials. Providing detailed synthesis protocols and characterization techniques for these various anisotropic 2D materials, readers will learn their specific technological scopes for next generation electronics, optoelectronics and biomedi

cal applications, challenges and future directions. Edited by an leading expert, contributors cover enhanced many-body interactions and high binding energy 1D particle dynamics to showcase design of high-performance optoelectronic devices; anisotropic polariton for designing polariton based laser sy

stems; applications in bio-imaging, cancer diagnosis and therapies, drug delivery and release, and antibacterial performance; and finally, their potential in nano-electro-mechanical devices. Considering all these areas in detail, this book is a useful reference to the scientific communities working

in related research fields, especially for materials scientists, chemists, physicists and electronics/electrical/energy engineers. This book may also be of use to those in chemical academia and industry more broadly.

TMD進入發燒排行的影片

二維過渡金屬二硫屬化物及其異質結構之光學研究

為了解決TMD的問題，作者許浩哲 這樣論述：

過去幾年，二維材料在光電元件中展現出新的光電特性，使其成為未來光電元件的新星。單層二維材料具有發光效率極高的優點，後續衍生出二維材料異質結構。在我們之前的研究中，我們探索了TMD單層及其異質結構的光學特性。在這些工作中，通過機械剝離法從散裝材料中獲得二維TMD，為了獲得大尺寸的單層，採用了所謂的金輔助剝離。雖然發現金輔助剝離法可用於製備大面積單層，但在金沉積過程中，單層表面會被金原子或製造過程中使用的化學物質損壞。表面降解在異質結構的製備中更為關鍵，我們無法從金輔助剝離法製備的TMD 異質結構中獲得對於層間激子一個完整並且深入的理解。在這項工作中，我們使用了一種利用PDMS的典型且更簡單的剝

離方法，並最大限度地減少了化學過程，以確保兩個TMD單層堆疊的清潔表面，並顯著改善了TMD異質結構的層間相互作用。在此兩種單層表面乾淨以及角度正確的堆疊下，我們的成就在於觀察到二硒化鉬與二硒化鎢的異構物層間激子低溫下自旋軌道分裂，然後在100-150K時量子效應消失產生相變，以及觀察到二硫化鎢與二硒化鎢的異構物層間激子，此異構物在2018年以前有許多團隊進行嘗試，然而皆未觀察到層間激子，我們常溫下也並未觀察到層間激子，然而進行低溫量測下我們發現了層間激子，其具有相當低的束縛能，解釋了為何常溫下無法觀測。這項工作幫助我們更深入地了解單層材料和TMD異質結構的靜態和動態特性。

我的人生施工中：跨界工地的信仰反思

為了解決TMD的問題，作者毛樂祈 這樣論述：

人生被迫跨界，原來是信仰的移地訓練！   　　為了陪伴妻子孩子在異域工作與生活， 　　小老百姓神學家勇敢放棄生活舒適圈，展開北美新生活探險！ 　　但是，當固定薪水不再、過往種種肯定逐一淡去， 　　明星高中籃球健將、頂大畢業新銳海歸、神學思考秀異作家 　　的光環時明時滅，還得在不熟悉的工地掙扎求生時， 　　如何不看自己是失意的魯蛇，而是神手中正在創造的傑作， 　　就成了最真實的挑戰──   　　原以為步入鋸刀、塗料、建築垃圾的工地現場後， 　　人生就此下放到職涯發展邊陲地帶， 　　作者卻意外發現不管是縱橫商場、教授提琴、寫書講道 　　或是離鄉背井的建築工作，都只是斜槓過程中的暫時風景； 　　

而在職涯轉換，重作學徒的過程中， 　　看似不起眼的小人物開始透露出真實的存在感 ， 　　自己未被肯定的潛力與特質，以及忽略的生命課題， 　　也一一浮現，這才發現離開舒適圈，放膽冒險的移地訓練， 　　是培養基督徒道成肉身DNA的寶貴動力， 　　且肯定我們的生命，是上帝不間斷施工的美好禮物！

二維材料於邏輯元件與記憶體內運算應用

為了解決TMD的問題，作者鍾昀晏 這樣論述：

半導體產業在過去半個世紀不斷地發展，塊材材料逐漸面臨電晶體微縮的物理極限，因此我們開始尋找替代方案。由於二維材料天生的原子級材料厚度與其可抑制短通道效應能力，被視為半導體產業極具未來發展性材料。此篇論文為研究二維材料二硫化鉬的N型通道元件之製作技術與其材料的特性與應用。首先，我們使用二階段硫化製程所製備的二硫化鉬沉積高介電材料並使用X-射線能譜儀（XPS）與光致發光譜（PL）進行分析，量測二硫化鉬與四種高介電材料的能帶對準，參考以往製程經驗，可結論二氧化鉿是有潛力介電層材料在二硫化鉬上，並作為我們後續元件的主要閘極介電層。接著使用二階段硫化法製作鈮（Nb）摻雜的二硫化鉬，Ｐ型的鈮摻雜可提升載

子摻雜濃度用以降低金半介面的接觸電阻，透過不同製程方式製作頂部接觸和邊緣接觸的兩種金半介面結構，傳輸線模型(TLM)分析顯示出，邊緣接觸結構比頂部接觸結構的接觸電阻率低了兩個數量級以上，並藉由數值疊代方式得知層間電阻率是導致頂部接觸結構有較高接觸電阻率主因，並指出邊緣接觸之金半介面在二維材料元件的潛在優勢。在電晶體研究上，我們使用化學氣相沉積（CVD）合成的二硫化鉬成功製作出單層Ｎ型通道元件，將此電晶體與記憶體元件相結合，用雙閘極結構將讀（read）與寫（write）分成上下兩個獨立控制的閘極，並輸入適當脈衝訊號以改變儲存在電荷儲存層的載子量，藉由本體效應（Body effect）獲得足夠大的

記憶區間（Memory window），可擁有高導電度比（GMAX/GMIN = 50）與低非線性度（Non-linearity= -0.8/-0.3）和非對稱性（Asymmetry = 0.5），展示出了二維材料在類神經突觸元件記憶體內運算應用上的可能性。除了與記憶體元件結合外，我們亦展示二維材料電晶體作為邏輯閘的應用，將需要至少兩個傳統矽基元件才可表現的邏輯閘特性，可於單一二維材料電晶體上展現出來，並在兩種邏輯閘（NAND/NOR）特性作切換，二維材料的可折疊特性亦具有潛力於電晶體密度提升。我們進一步使用電子束微影系統製作奈米等級短通道元件，首先使用金屬輔助化學氣相沉積 (Metal-as

sisted CVD)方式合成出高品質的二維材料二硫化鎢 (WS2)，並成功製作次臨界擺幅（Subthreshold Swing, S.S.）約為97 mV/dec.且高達106的電流開關比（ION/IOFF ratio）的40奈米通道長度二硫化鎢Ｐ型通道電晶體，其電特性與文獻上的二硫化鉬N型通道電晶體可說是相當，可作為互補式場效電晶體。另一方面，深入了解二維材料其材料特性後，可知在厚度縮薄仍可保持極高的機械強度，有潛力作為奈米片電晶體的通道材料。故於論文最後我們針對如何透過對元件製作優化提供了些許建議。