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國立陽明交通大學 材料科學與工程學系所 王誠佑所指導 林諺聰的 氧化銦與金屬有機骨架 MIL-53-NH2之異質結構於光觸媒水分解產氫之研究 （2021），提出UPS valence band關鍵因素是什麼，來自於氧化銦、金屬有機骨架、光催化、水分解產氫、異質結構。
而第二篇論文國立清華大學 動力機械工程學系 陳玉彬、洪哲文所指導 蔡懷文的 計算量子力學對於PLED元件材料之光電特性分析與實驗驗證 （2021），提出因為有 密度泛函理論、聚噻吩、最高佔據分子軌道、最低未佔據分子軌道、能隙的重點而找出了 UPS valence band的解答。
氧化銦與金屬有機骨架 MIL-53-NH2之異質結構於光觸媒水分解產氫之研究
為了解決UPS valence band 的問題，作者林諺聰 這樣論述：
摘要 iAbstract iiContents iiiList of Tables viList of Figures viiChapter 1 Introduction 11-1 background 11-2 Photocatalysts 31-3 Motivation 5Chapter 2 Literature Review 72-1 Mechanism of photocatalytic water splitting 72-2 Development and improvement of photocatalyst
92-3 Metal-organic framework (MOF) 162-3-1 MOF as photocatalyst 182-3-2 MOF-based Heterojunction 20Chapter 3 Experimental Procedure 223-1 Chemicals 223-2 Synthesis of In2O3 / MIL-53-NH2 233-2-1 Synthesis of In2O3 233-2-2 Synthesis of MIL-53-NH2 synthesis 233-2-3 Synthesis
of In2O3 / MIL-53-NH2 synthesis 233-3 Characterization 243-3-1 Powder X-ray Diffractometer (PXRD) 243-3-2 Scanning Electron Microscope (SEM) 253-3-3 Field emission transmission electron microscopy (TEM) 253-3-4 N2 adsorption-desorption isotherm 253-3-5 X-ray photoelectron spectrosc
opy (XPS) / Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy (UPS) 263-3-6 UV-visible diffuse reflectance spectroscopy (UV-vis DRS) 263-3-7 Photoluminescence spectroscopy (PL) 273-4 Photocatalytic hydrogen generation measurement 273-5 Site-selective deposition 28Chapter 4 Results and Discussion
294-1 Material characteristics 294-1-1 PXRD 294-1-2 SEM 314-1-3 TEM 334-1-4 N2 adsorption-desorption isotherm 374-1-5 XPS 394-1-6 UV-Vis DRS 434-1-7 Steady-state PL 454-2 Photocatalytic hydrogen evolution 474-2-1 Hydrogen generation application 474-2-2 Cycle test
504-3 Photocatalytic mechanism 53Chapter 5 Conclusions 59References 60
計算量子力學對於PLED元件材料之光電特性分析與實驗驗證
為了解決UPS valence band 的問題，作者蔡懷文 這樣論述：
本論文使用時間獨立密度泛函理論(time-independent density functional theory, TI-DFT)與時間相依密度泛函理論(time-dependent density functional theory, TD-DFT)計算方法，模擬計算高分子發光二極體（polymer light-emitting diodes, PLED）當中的高分子材料聚噻吩(polythiophene, PT)的光電特性，並且用實驗驗證此理論計算方法的合理性。首先建構噻吩(thiophene, T)之單體(monomer, T1)分子，利用此參數計算各單體分子及其衍生物之最佳化結構
，振動頻率、單點能量等資訊，進而獲得最高佔據分子軌道 (HOMO) 能量，最低未佔據分子軌道 (LUMO) 能量、能隙(band gap)、分子軌域(molecular orbital）與吸收光譜(absorption spectrum)以及進行激發態計算而得到放射光譜(emission spectrum)的性質。量子模擬計算當中增加單體數量由一個(T1)至十個(T10)，十五個(T15)，二十個單體(T20)，二十五個單體(T25)，三十個單體(T30)，除了可以利用計算得到各別的能隙，且隨著單體的增加，LUMO能量逐漸降低，而HOMO能量逐漸增加。再藉由外插法獲得高分子聚噻吩之能隙趨近於2
eV與文獻的實驗數值吻合。本論文實驗部分藉由紫外-可見光光譜量測、光激發螢光光譜(photoluminescence, PL)量測驗證高分子聚噻吩吸收光譜、放射光譜的波長數值與能隙值也可以藉此做推算。除此之外能隙值也可以用電化學當中的循環伏安法(cyclic voltammetry, CV)得到。而紫外光電子能譜儀(ultraviolet photoelectron spectroscopy，UPS)的實驗結果可以證實最高佔據分子軌道 (HOMO)實際數值。藉由實驗結果可以證實適用此類高分子材料的計算模擬參數，PLED發光材料若需要不同顏色的放光需求就可以藉由調整聚噻吩的取代基來達成。