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國立中興大學 環境工程學系所 梁振儒所指導 廖家宏的 UV活化過硫酸鹽氧化除膠劑之可行性探討 （2020），提出UV膠 溢出關鍵因素是什麼，來自於除膠劑、IC封裝、除膠、高級氧化程序、紫外光、過硫酸鈉。
而第二篇論文明志科技大學 電子工程研究所 吳亞芬所指導 簡辰豈的 氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光元件之熱效應分析 （2012），提出因為有 多重量子能障、多重量子井、電激發光、熱效應、外部量子效率的重點而找出了 UV膠 溢出的解答。
UV活化過硫酸鹽氧化除膠劑之可行性探討
為了解決UV膠 溢出 的問題，作者廖家宏 這樣論述：
除膠劑(Degumming agent)是由氫氧化鉀、碳酸鉀、界面活性劑等物質所組成之化學溶液，主要使用於去除IC封裝(Integrated Circuit Packaging)製程中，以去除模壓(Molding)時溢出模具並附著於導腳上之樹脂。使用後的除膠劑廢液仍具有高鹼性、高總有機碳等特性，不易以傳統廢水處理程序處理後放流。本研究探討UV活化過硫酸鹽高級氧化程序處理除膠劑之可行性，此氧化程序可快速產生硫酸根自由基對目標污染物進行氧化破壞，達到去除污染物之目的，以期降低除膠劑廢液處理提供另一種方法。研究過程探討反應系統中過硫酸鈉(Sodium persulfate, SPS)濃度、UV強度
、不同pH等條件，對於除膠劑之去除效率的影響。由實驗結果顯示，除膠劑溶液於常溫環境下呈現穩定狀態，且在僅有調整pH、UV照射或添加SPS之控制組實驗中，其總碳值(Total carbon, TC)於120分鐘反應時間內皆未有明顯變化。在改變SPS濃度與UV強度之反應實驗中，可得知SPS 50 mM及UV 15 W條件下，反應系統具有較佳之TC去除效率。過多的SPS存在於反應系統內，會使除膠劑溶液去除效率受到抑制，且UV強度不足亦會使去除效率降低。不同pH條件(pH 2、7、10)實驗結果顯示，系統中經過180分鐘後，除膠劑溶液之TC去除分別為85 %、73 %、40 %，TC降解速率常數分別為
5.3、4.9、2.2 (10-3 min-1)，以及SPS消耗率分別為33 %、25 %、21 %，在由此得知酸性環境對除膠劑降解較有利，且能有效處理除膠劑水樣，研究成果可供作除膠劑廢液處理方法之一。
氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光元件之熱效應分析
為了解決UV膠 溢出 的問題，作者簡辰豈 這樣論述：
本論文主要是研究探討對具有與不具有多重量子能障(MQBs)，在氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多重量子井(MQW)發光二極體，做變溫與變電流電激發光光譜的量測，來研究此發光二極體的特性。加入多重量子能障結構的多重量子井的能障層，能減少載子溢出的現象，有效提高能障高度，使在作用層內的載子數量增加。我們也透過建立的數學模型，研究溫度和注入電流對氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多重量子井發光二極體的熱效應，在此模型中考慮到，包括熱躍遷、捕獲、輻射和非輻射複合等載子遷移機制。可以用此模型計算出來電激發光光譜隨溫度變化的趨勢，此模擬結果與實驗的數據趨勢相吻合。由實驗與理論分析的結果可以知道
，具有多重量子能障的結構樣品，有更好的發光強度，且接面溫度較低，隨注入電流增加其接面溫度上升的幅度也較小，證實能改善了發光二極體之光電特性。