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國立陽明交通大學 電子物理系所 張文豪所指導 葉涵的 二維原子層二硒化鉑材料生長、物性分析及元件應用 （2020），提出YD Express (ACS)關鍵因素是什麼，來自於二硒化鉑、大面積成長、多晶薄膜、單層單晶薄膜。
而第二篇論文國立臺灣大學 物理學研究所 陳永芳、許芳琪所指導 鄒振洋的 超快垂直式雙極有機光電晶體 （2017），提出因為有 垂直夾層式電極、超快光響應、光通訊、有機太陽能電池、電阻式隨機存取記憶體、光電晶體的重點而找出了 YD Express (ACS)的解答。
二維原子層二硒化鉑材料生長、物性分析及元件應用
為了解決YD Express (ACS) 的問題，作者葉涵 這樣論述：
本論文旨在研究二維二硒化鉑之原子層材料，包含生長方法、材料特性分析以及元件應用。利用化學氣相沉積法可以在藍寶石基板上合成出大面積且厚度均勻(表面粗糙度< 1 nm)的二硒化鉑多晶薄膜，其成長溫度可以遠低於一般二維材料的生長溫度，且藉由控制成長溫度和時間，可以有效地控制二硒化鉑薄膜之厚度。可調變的厚度範圍從單層(0.8 nm)至塊材厚度(21 nm)。以二硒化鉑多晶薄膜為通道材料製作成電晶體，其元件特性並不理想。另一方面，厚層二硒化鉑可降低與金屬之間的接觸電阻達 772 ????∙μm。為了提高元件特性，本研究開發了一種成長出單晶單層的二硒化鉑於金膜 (晶相 (111) 上的方法，其成長溫度(
380 oC) 遠低於一般合成單層二維材料所需的度溫。以單晶單層的二硒化鉑做為通道材料，電晶體元件之開關比可大於 106 且電子遷移率可達到 2.5 cm2/Vs。此外，以單晶單層二硒化鉑做為襯底可以提高上層透過硒化形成多層二硒化鉑之結晶性。利用這樣的特性，我們設計出在單晶單層的二硒化鉑上以硒化製程選擇區域成長多層二硒化鉑的製程並做出半導體-金屬同質介面電晶體。不同於先前 n 型元件，半導體-金屬同質介面電晶體呈現雙載子電荷傳輸特性。
超快垂直式雙極有機光電晶體
為了解決YD Express (ACS) 的問題，作者鄒振洋 這樣論述：
本研究提出了一個新穎的雙電極光電晶體結構之概念。藉由結合電阻式隨機存取記憶體與有機體異質接面太陽能電池的功能整合形成垂直式串疊結構來實現光電晶體的行為與效應。有機太陽能電池能夠有效地吸收光能量並且產生光電流，而電阻式隨機存取記憶體則扮演了電阻大小可切換的電阻器。與典型的光電晶體相比，我們全新的設計具有幾個吸引人的特性，其中包含超快的光響應時間、可調製的光電流輸出以及溶液製成的主動層。上述所說的光電流輸出及電阻式隨機存取記憶體狀態切換等行為只需要兩個垂直夾層式電極便能夠實現，而這是有利於高速光通信、電路微型化與節省能源消耗的。不僅如此，這種新穎的光電晶體結構具有其獨特的邏輯特性，使其在光通訊的
應用中具有很大的潛力。