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高端應聘︰咨詢行業求職面試全攻略

為了解決aluminum中文的問題，作者咨詢的天空 這樣論述：

匯集︰3大案例面試分析框架，5條面試化險為夷的秘招， 6大簡歷篩選標準，9道案例面試真題，11條案例面試技巧，匯集5大類案例面試備戰資料。 本書是求職應聘類圖書中比較高端行業的指導書，主要是提供咨詢行業求職應聘技巧方面的經驗與成功面試的秘招。咨詢行業屬于出租頭腦的行業，咨詢公司針對客戶存在的問題，綜合大量相關的數據資料，去粗取精，去偽存真，構思解決方案，直接向公司高層提出既台情台理又富有創意的建議，這也正是為什麼咨詢公司特別重視進行案例分析面試的原因。而想應聘進入咨詢公司，案例面試無異于是扮演咨詢顧問角色的一次實戰演習。 本書在介紹有關咨詢公司的基本知識以外，更針對性很強地

對應聘咨詢公司面試作周密指導與幫助，例如，咨詢公司（也就是一般的高端行業）需要怎麼樣的人才？其基本職業素養是哪些？外企應聘者簡歷制作的竅門，簡歷的篩選、案例面試的準備等等。本書所列的成功應聘案例，相對其他同類書，更具體，更貼切目前的行業需要與應聘須知，而書中收錄的面試成功者的經驗，也更體現了本書的實用性。 序 前言 第1篇 CEO的搖籃——管理咨詢行業 1.1 什麼是管理咨詢行業 1.咨詢的定義 2.咨詢行業的發展 3.咨詢公司的組織結構 4.高昂的咨詢費用 5.管理咨詢業的發展與挑戰 1.2 管理咨詢公司的誘人前景 1.3 全球管理咨詢公司概況

1.咨詢公司的種類 2.麥肯錫（McKinsey & Company）︰“本土化”最成功的咨詢公司 3.波士頓咨詢（Boston Consulting Group，簡稱BCG）︰極具創新精神的顧問公司 4.貝恩（Bain & Company）︰致力于企業價值提升的咨詢公司 5.科爾尼（A.T.Kearney）︰最注重戰略與運營整合的咨詢公司 6.羅蘭‧貝格（Roland Berger）︰歐洲最大的咨詢公司 7.埃森哲（Accenture）︰管理咨詢和技術咨詢結合最完美的咨詢公司 8.畢博管理咨詢（BeaI’ing Point）︰咨詢實施兼顧系統整合 9.凱

捷（Capgemini）︰擅長公共服務與電信業咨詢 10.中國本土管理咨詢業 11.北大縱橫管理咨詢公司 12.新華信管理咨詢公司 13.遠卓管理顧問公司 1.4 管理咨詢公司需要怎樣的人才 1.創造新思想的激情 2.為客戶服務的激情 3.對人的激情 第2篇 磨礪簡歷，敲開漫漫征途第一關 2.1 自我推銷——一般外企簡歷制作的竅門 1.人生的第一份簡歷，該從何時開始準備 2.如何寫好有針對性的簡歷 3.HR是如何篩選簡歷的 4.推薦的簡歷樣本 5.簡歷中的取舍 6.面試官最不能容忍的幾種簡歷 7.修改！修改！再修改！ 2.2 知己知

彼——管理咨詢公司的簡歷篩選到底有哪些標準 1.教育背景 2.學習成績 3.英語能力 4.課外活動以及所獲的榮譽 5.社團工作 6.實習經歷 2.3 出類拔萃——經管類和非經管類學生的簡歷如何出彩 1.經管類和非經管類學生的簡歷優劣勢比較 2.理工科學生如何準備自己的簡歷 第3篇 千里之行，始于足下 3.1 你必須掌握的經濟管理知識 1.4P理論 2.固定成本（Fixed Cost），變動成本（Variable Cost），直接成本（Direct Cost），間接成本（Indireet Cbst） 3.波士頓矩陣 4.波特五力分析模型 5

.三種基本競爭戰略 6.M&A的基本知識 7.產品生命周期 8.價值鏈分析 9.企業管理 10.營銷分析 11.兼並與收購 3.2 你必須積累的行業知識 1.醫藥行業 2.汽車行業 3.航空行業 3.3 你必須記住的關鍵數字 3.4 咨詢行業常用的工作方法和理念 1.構建問題 2.設計分析 3.數據收集 4.解釋結果 5.闡明理念 6.客戶管理 3.5 案例面試備戰資料 1.各大咨詢公司網站 2.信息資源類網站 3.中文入門書籍 4.Case book 5.頂尖商學院案例面試教材 第4篇 熟諳制勝案例面試的

秘招 4.1 行為面試——一般外企公司面試的準備 1.面試前第三天——對目標公司做盡職調查 2.面試前第二天——10個最常見問題的準備 3.面試前一天——實際演練 4.2 案例面試——管理咨詢公司特有的面試類型 4.3 案例面試種類有哪些 1.市場規模估計（Market Sizing/Estimation） 2.商業運營（Business Operation） 3.商業戰略（Business Strategy） 4.書面案例（Written Case） 5.腦筋急轉彎（Brainteaser） 4.4 應對案例面試有哪些分析框架 1.基本的分析框架

2.常用的分析框架 3.高級的分析框架 4.5 應對案例面試有哪些技巧 1.傾听問題 2.做筆記 3.澄清問題 4.不作事先的假設 5.保持目光的接觸 6.學會開口要時間 7.向面試官說明你的思路，提出你解決問題的框架 8.注意口頭表達，想好再說，學會用數字說話，用圖表說話 9.大聲思考（Think aloud） 10.表現出熱情，積極的態度（passionate，proactive），穩定沉著 11.快速總結你的結論 4.6 小試牛刀——案例面試題目剖析和點評 1.加油站（Gas Station） 2.信用卡（Credit Ca

rd） 3.中國電信市場（China Teleeom market） 4.化學甜味劑制造商案例（Chemical Sweetener Manufacturer） 5.農業工具制造案例（Agricultural Equipment Manufacturing） 6.鋁罐制造商案例（Aluminum Can Manufacturer） 7.混凝土制造商案例（Concrete Manufacturer） 8.本土銀行業需求分析案例（Local Banking Demand） 9.匹薩市場案例（Pizza Market） 4.7 化險為夷——如何在案例面試中應對自己的弱項

1.遇到生疏問題，導致過于緊張、腦子一片空白 2.遇到熟悉問題，過于自信，導致思維的跳躍 3.生搬硬套思維框架 4.不領會面試官的暗示（hint） 5.過分護衛自己的觀點，而不接受別人的建議 4.8 實戰面經分享 1.第一篇 面經——理工科學生對于市場規模估計類案例（market sizing）的見解 2.第二篇 面經——某頂尖咨詢公司面試過程全記錄 3.第三篇 面經——2007年咨詢求職小結 4.第四篇 面經——海闊天空在勇敢以後，我的求職路 5.第五篇 面經——咨詢求職歷程中的一點心得 第5篇 獨家采訪——那些成功跨入頂級咨詢公司的“牛人”

5.1 恍若夢境，天道酬勤 5.2 知己知彼，百戰不殆 5.3 拾遺補缺，把握良機 5.4 想好了再跳！ 5.5 機會垂青自信、有準備、了解自己的人 5.6 自信是可以練出來的，商業嗅覺是可以培養的 附錄1 2009年全球管理咨詢公司排名 附錄2 全球各大咨詢公司簡介 附錄3 一位咨詢顧問的一天 附錄4 模擬案例面試網站 附錄5 常見問題匯總 致謝 案例面試口袋寶 記得在8年前我剛進大學的時候，听到我們學校有人畢業去了寶潔，去了IBM，令我們整屆的新生無比地羨慕和崇拜。無一不把能迸入世界5O0強企業作為自己整個大學4年奮斗的目標。4年前，我們有

人听到了一些陌生的公司名稱——“麥肯錫”貝恩”、“波士頓咨詢”，並在校園中傳播了開來。在中國，由于不少企業的招搖撞騙，“咨詢”和“忽悠”經常被畫為等號。所以我們很多學生還是對此望而卻步，直到我們知道了咨詢行業在美國是大學生畢業第一向往的行業，是整個職業生涯開端最好的第一份工作，我們也慢慢了解到了那些頂級的咨詢公司在美國只招哈佛、斯坦福、沃頓等前10名的名校，而在咨詢公司待過二三年的人可以非常容易地跳槽去任何想去峋公司。然而對于我們中國學生來說，最有吸引力的就是咨詢行業的工資水平，第一年新員工的工資就可以遠遠超過世界500強企業工作了四五年的人。不少頂級咨詢公司工作第二年就可以達到年薪40萬，這

對我們過去的觀念是一個極大的沖擊。短短1年的時間，所有人都開始把能進入咨詢行業作為自己畢生的夢想了。 確實，我們有些人成功了。而我也親眼看到了自己的朋友在進入咨詢行業後巨大的進步。我的一位同學畢業進入了一家世界前5大的咨詢公司，之後便看他被送去美國迸行培訓，經常坐商務艙甚至頭等艙飛來飛去，出入五星級酒店，光鮮亮麗地給企業老總做報告，建議共公司應該如何發展。工作短短一年便跳槽去了一家世界500強企業作企業戰略，一年後申請到哈佛MBA去了美國。這樣的例子可以說是所有咨詢公司初級咨詢師的典型道路，也成為大學生夢寐以求的職業生活。 然而並非所有人都能實現這個夢想。每年頂級咨詢公司都

只在中國最好的高校各招三至十個最優秀的人，而投遞簡歷的人往往每所學校都有上千甚至上萬人。在其他人臨時抱佛腳地祈禱這千萬分之一的機會降臨時，有些人已經為面試做了大半年的準備了。 對在新東方學校模式教育下成長的大學生而言，什麼考試都會研究出個“秘籍”和“必考試題”來。讓我們可喜的是，這些頂級咨詢公司的筆試/面試也延續著美國人出題思路萬年不變的精華，確實是可以做足功夫來應對的。每次咨詢公司的筆試題思路變化並不大，之後的面試中那傳說中的“案例面試”無非也就七到九種主要的分析結構，把這些搞懂了在面試中的勝算會大大提高。那些大學成績拔尖的求職者往往自以為是，結果連筆試都沒有通過。而我看到的那些申

請成功孝卻都是那些成績並非頂尖，但卻在面試的準備中花了三四個月的功夫，其重視程庋不亞于高考的準備。 其實不僅我們中國人會應試，美國學生也是一樣的。我的很多美國同事和朋友當初都為了準備咨詢公司的面試買了無數的“面試寶典”，求教了自己所有的師兄師姐來“套題”。如果在美國有人以此建立一所“新東方學校”，其巨大的需求量也足以使其上市了。 本書的作者在這2年來一直在和我探討如何幫助更多的學生迸入好的公司，如何把我們自己的面試經驗教授給下面的學生。他在這點上已經做到了。他和他的咨詢同行們，作為我們中國學生畢業苴接進入頂級咨詢行業的第一代，把他們的面試體會和工作感想都融入到這本書中。我能

看到不遠的將來，有越來越多的學生會像他們那樣，經歷過世界上最好的公司的洗禮，在技能、實力、眼界、學歷上都不輸亍任何西方頂尖學校畢業的同齡人。 這一天的到來不遠了。 楊文杰 摩根大邐（香港）投資銀行部 國內知名求職培訓機構Career Jet創始人

aluminum中文進入發燒排行的影片

布里斯洛中間體自由基反應機制之理論研究

為了解決aluminum中文的問題，作者謝明修 這樣論述：

含氮雜環卡賓（N-heterocyclic carbene）催化之化學反應中，布里斯洛中間體（Breslow intermediate）扮演重要的催化角色。布里斯洛中間體能以親核基（nucleophile）或自由基（radical）之形式參與反應。本論文探討布里斯洛中間體之自由基特性及形成機制（mechanism），其自由基可從氫自由基轉移或直接氧化形成。安息香縮合反應（benzoin condensation）中，布里斯洛中間體將氫原子轉移至苯甲醛（benzaldehyde）以形成自由基，此自由基可結合形成安息香產物，或排除反應之副產物，使其重新進入催化反應。唯此路徑之反應能障高於傳統非自

由基路徑。此研究亦探討四種布里斯洛中間體之不同電子組態的位能面。其中烯醇鹽（enolate）形式能產生偶極束縛態（dipole-bound state），此為產生自由基之新路徑；拉電子基（electron-withdrawing group）以及立體障礙基（bulky groups）可穩定基態。另外，我們亦研究布里斯洛中間體之碎片化（fragmentation）與重組（rearrangement）。布里斯洛中間體之催化反應可能因其碳氮鍵斷裂而中止，形成碎片。我們證實其反應中可以形成自由基，亦可形成離子。反應趨向之路徑與布里斯洛中間體之羥基的質子化型態有關。碎片化反應亦可視為轉酮醇酶（tran

sketolase）中之噻胺（thiamin）催化反應中之副反應；此研究證實轉酮醇酶透過限制布里斯洛中間體之結構與質子化型態，使其碳氮鍵斷裂需更高之反應能量，進而抑制此副反應。

模擬電路版圖的藝術（英文版）

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為了解決aluminum中文的問題，作者[美[黑斯廷斯（Hastings，A．） 這樣論述：

作者Alan Hastings具有淵博的集成電路版圖設計知識和豐富的實踐經驗。本書以實用和權威性的觀點全面論述了模擬集成電路版圖設計中所涉及的各種問題及目前的最新研究成果。書中介紹了半導體器件物理與工藝、失效機理等內容；基于模擬集成電路設計所采用的3種基本工藝︰標準雙極工藝、CMOS 柵工藝和BiCMOS工藝，重點探討了無源器件的設計與匹配性問題，二極管設計，雙極型晶體管和場效應晶體管的設計與應用，以及某些專門領域的內容，包括器件合並、保護環、焊盤制作、單層連接、ESD結構等；最後介紹了有關芯片版圖的布局布線知識。 本書可作為相關專業高年級本科生和研究生教材，對于專業版圖設計人員也

是一本極具價值的參考書。 1 Device Physics 1.1 Semiconductors 1.1.1.Generation and Recombination 1.1.2.Extrinsic Semiconductors 1.1.3.Diffusion and Drift 1.2 PN Junctions 1.2.1.Depletion Regions 1.2.2.PN Diodes 1.2.3.Schottky Diodes 1.2.4.Zener Diodes 1.2.5.Ohmic Contacts 1.3 Bipolar

Junction Transistors 1.3.1 Beta 1.3.2.I-V Characteristics 1.4 MOS Transistors 1.4.1.Threshold Voltage 1.4.2.I-V Characteristics 1.5 JFET Transistors 1.6 Summary 1.7 Exercises 2 Semiconductor Fabrication 2.1 Silicon Manufacture 2.1.1.Crystal Growth 2.1.2.Wafer Manufacturing 2.1.3.

The Crystal Structure of Silicon 2.2 Photolithography 2.2.1.Photoresists 2.2.2.Photomasks and Reticles 2.2.3.Patterning 2.3 Oxide Growth and Removal 2.3.1.Oxide Growth and Deposition 2.3.2.Oxide Removal 2.3.3.Other Effects of Oxide Growth and Removal 2.3.4.Local Oxidation of Silicon（

LOCOS） 2.4 Diffusion and Ion Implantation 2.4.1.Diffusion 2.4.2.Other Effects of Diffusion 2.4.3.Ion Implantation 2.5 Silicon Deposition and Etching 2.5.1.Epitaxy 2.5.2.Polysilicon Deposition 2.5.3.Dielectric Isolation 2.6 Metallization 2.6.1.Deposition and Removal of Aluminum 2.6

.2.Refractory Barrier Metal 2.6.3. Silicidation 2.6.4.Interlevel Oxide，Interlevel Nitride，and Protective Overcoat 2.7 Assembly 2.7.1 Mount and Bond 2.7.2 Packaging 2.8 Summary 2.9 Exercises 3 Representative Processes 3.1 Essential Features 3.1.1.Essential Features 3.1.2.Fabrication S

equence Starting Material N-Buried Layer Epitaxial Growth Isolation Diffusion Deep-N+ Base Implant Emitter Diffusion Contact Metallization Protective Overcoat 3.1.3.Available Devices NPN Transistors PNP Transistors Resistors Capacitors 3.1.4.Process Exte

nsions Up-Down Isolation Double-Level Metal Schottky Diodes High-Sheet Resistors Super-Beta Transistors 3.2 Fabrication Sequence 3.2.1. Essential fEATURES 3.2.2.fABRICATION sEQUENCE Starting Material Epitaxial Growth N-Well Diffusion Inverse Moat Channel Stop Impla

nts LOCOS Processing and Dummy Gate Oxidation Threshold Adjust Polysilicon Deposition and Patterning Source/Drain Implants Contacts Metallization Protective Overcoat 3.2.3.Available Devices NMOS Transistors PMOS Transistors Substrate PNP Transistors Resistors 3.2

.4.pROCESS eXTENSIONS Double-Level Metal Shallow Trench Isolation Silicidation Lightly Doped Drain（LDD）Transistors Extended-Drain，High-Voltage Transistors 3.3 Available Devices 3.3.1.Essential Features 3.3.2.Fabrication Sequence Starting Material N-Buried Layer Epitaxial

Growth N-Well Diffusion and Deep-N+ Base Implant Inverse Moat cHANNEL sTOP iMPLANTS locos pROCESSING AND dUMMY gATE oXIDATION Threshold Adjust Polysilicon Deposition and Pattern Source/Drain Implants Metallization and Protective Overcoat Process Comparison 3.3.3.Avai

lable Devices NPN Transistors PNP Transistors Resistors 3.3.4 Process Extensions Advanced Matel Systems Dielectric Isolation 3.4 Summary 3.5 Exercises 4 Failure Mechanisms 5 Resistors 6 Capacitors and Inductors 7 Matching of Resistors and Capacitors 8 Bipolar Transistors 9 Applic

ations of Bipolar Tansistors 10 Diodes 11 Field-Effect Transistors 12 Applications of MOS Transistors 13 Special Topics 14 Assembling the Die Appendices A．Table of Acronyms Used in the Text B．The Miller Indices of a Cubic Crystal C．Sample Layout Rules D．Mathematical Derivations E．Sources f

or Layout Editor Software Index 2001年7月間，電子工業出版社的領導同志邀請各高校十幾位通信領域方面的老師，商量引進國外教材問題。與會同志對出版社提出的計劃十分贊同，大家認為，這對我國通信事業、特別是對高等院校通信學科的教學工作會很有好處。 教材建設是高校教學建設的主要內容之一。編寫、出版一本好的教材，意味著開設了一門好的課程，甚至可能預示著一個嶄新學科的誕生。20世紀40年代MIT林肯實驗室出版的一套28本雷達叢書，對近代電子學科、特別是對雷達技術的推動作用，就是一個很好的例子。 我國領導部門對教材建設一直非常

重視。20世紀80年代，在原教委教材編審委員會的領導下，匯集了高等院校幾百位富有教學經驗的專家，編寫、出版了一大批教材︰很多院校還根據學校的特點和需要，陸續編寫了大量的講義和參考書。這些教材對高校的教學工作發揮了極好的作用。近年來，隨著教學改革不斷深入和科學技術的飛速進步，有的教材內容已比較陳舊、落後，難以適應教學的要求，特別是在電子學和通信技術發展神速、可以講是曰新月異的今天，如何適應這種情況，更是一個必須認真考慮的問題。解決這個問題，除了依靠高校的老師和專家撰寫新的符台要求的教科書外，引進和出版一些國外優秀電子與通信教材，尤其是有選擇地引進一批英文原版教材，是會有好處的。 一年多

來，電子工業出版社為此做了很多工作。他們成立了一個“國外電子與通信教材系列”項目組，選派了富有經驗的業務骨干負責有關工作，收集了230余種通信教材和參考書的詳細資料，調來了100余種原版教材樣書，依靠由20余位專家組成的出版委員會，從中精選了40多種，內容豐富，覆蓋了電路理論與應用、信號與系統、數字信號處理、微電子、通信系統、電磁場與微波等方面，既可作為通信專業本科生和研究生的教學用書，也可作為有關專業人員的參考材料。此外，這批教材，有的翻譯為中文，還有部分教材直接影印出版，以供教師用英語直接授課。希望這些教材的引進和出版對高校通信教學和教材改革能起一定作用。 在這里，我還要感謝參加

工作的各位教授、專家、老師與參加翻譯、編輯和出版的同志們。各位專家認真負責、嚴謹細致、不辭辛勞、不怕瑣碎和精益求精的態度，充分體現了中國教育工作者和出版工作者的良好美德。 隨著我國經濟建設的發展和科學技術的不斷進步，對高校教學工作會不斷提出新的要求和希望。我想，無論如何，要做好引進國外教材的工作,一定要聯系我國的實際。教材和學術專著不同，既要注意科學性、學術性，也要重視可讀性，要深入淺出，便于讀者自學︰引進的教材要適應高校教學改革的需要，針對目前一些教材內容較為陳舊的問題，有目的地引進一些先進的和正在發展中的交叉學科的參考書；要與國內出版的教材相配套，安排好出版英文原版教材和翻譯教材

的比例。我們努力使這套教材能盡量滿足上述要求，希望它們能放在學生們的課桌上，發揮一定的作用。 最後，預祝“國外電子與通信教材系列”項目取得成功，為我國電子與通信教學和通信產業的發展培土施肥。也懇切希望讀者能對這些書籍的不足之處、特別是翻譯中存在的問題，提出意見和建議，以便再版時更正。 吳佑壽 中國工程院院士、清華大學教授 “國外電子與通信教材系列”出版委員會主任

應用自開發之程序控制系統於電漿電解氧化製程以探討氧化膜性能提升機制之研究

為了解決aluminum中文的問題，作者黃冠諭 這樣論述：

誌謝 I中文摘要 II英文摘要 IV目次 VI圖目次 X表目次 XVIIIChapter.1 前言 11.1 電漿電解氧化技術的發展背景 11.2 研究動機 4Chapter.2 電漿電解氧化處理 52.1 電漿電解氧化(PEO) 52.1.1 電漿電解氧化機制原理 62.1.2 膜層電擊穿機制 112.1.3 電漿電解氧化之電源參數影響 152.1.4 PEO製程的物理/化學反應機制 182.2 PEO氧化膜層特性 252.2.1 膜層的反應與形成機制 252.2.2 PEO處理中常見的基材金屬 292.3 PEO製程常見的電解

質成分 342.4 程序控制法 382.5 應用於Mn摻雜TiO2光催化劑薄膜 402.5.1 揮發性有機汙染物 402.5.2 光催化反應機制 412.5.3 Mott-Schottky方程 442.5.4 二氧化鈦光觸媒 462.5.5 二氧化鈦光觸媒的製備方法 512.5.6 提升二氧化鈦光觸媒光吸收效能之技術 542.6 應用於HA與L乳酸鈣於生醫改質氧化膜層 572.6.1 PEO於生醫改質之發展與應用 572.6.2 PEO生醫改質中常見的金屬植體 582.6.3 氫氧基磷灰石與L-乳酸鈣於生醫改質之用途 592.7 研究目的與實

驗規劃 61Chapter.3 程序控制法於PEO製程之應用 633.1 實驗方法 633.1.1 程序控制系統與設備 633.1.2 實驗設計 643.1.3 Mn: TiO2光催化劑實驗流程設計 683.1.4 以懸浮液搭配程序控制PEO製備TiO2膜層之流程設計 713.1.5 以離子溶液液搭配程序控制PEO製備TiO2膜層之流程設計 743.2 實驗基材選用與藥品準備 773.3 程序控制法於PEO製程基本分析 793.3.1 電源系統監控分析 793.3.2 膜層表面形貌與成分分析 793.3.3 孔徑與孔隙率分析 793.3.4

晶體結構相組成分析 803.3.5 紫外光－可見光吸收光譜分析 813.3.6 載子濃度分析 813.3.7 X射線光電子能譜分析 823.3.8 懸浮微粒之粒徑大小分析 83Chapter.4 多階段程序控制於PEO處理製備摻雜Mn: TiO2光催化劑 844.1 Mn: TiO2光催化劑特性探討 844.1.1 第一步驟製程設計對二氧化鈦膜層影響 844.1.2 不同含浸濃度錳離子對於二氧化鈦特性比較 904.1.3 不同電源模式含錳離子之二氧化鈦特性差異 1034.1.4 含浸法對錳離子含量之影響與離子機制之探討 1144.2 光觸媒催化效能測

試 119Chapter.5 以懸浮液搭配多階段程序控制PEO進行TiO2膜層製備 1215.1 HA於多階段程序控制PEO之影響 1215.1.1 單階段程序控制於PEO膜層特性之探討 1215.1.2 雙階段程序控制於PEO膜層特性之探討 1225.1.3 多階段程序控制於PEO膜層特性之探討 1295.2 HA於增加陽極氧化前處理之影響 1415.2.1 陽極處理膜層之特性探討 1415.2.2 陽極處理－多階段程序控制PEO膜層特性探討 142Chapter.6 以離子溶液搭配多階段程序控制PEO進行TiO2膜層製備 1626.1 電解液A於PE

O不同階段製程之膜層特性探討 1626.1.1 電解液A之乳酸鈣於雙階段PEO製程影響 1626.1.2 電解液A之乳酸鈣於三階段PEO製程影響 1706.2 電解液B於PEO不同階段製程之膜層特性探討 1736.2.1 電解液B之乳酸鈣於雙階段PEO製程影響 1736.2.2 電解液B之乳酸鈣於三階段PEO製程影響 182Chapter.7 結論與未來展望 1917.1 結論 1917.2 未來展望 192參考文獻 193