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龍華科技大學 機械工程系碩士班 許春耀所指導 鍾岳圳的 濺鍍參數與退火製程影響TiO2薄膜特性之研究 （2019），提出ar-1磨耗指數關鍵因素是什麼，來自於二氧化鈦、熱處理。

而第二篇論文淡江大學 物理學系碩士班 林諭男所指導 徐偉揚的 電漿處理對超奈米晶鑽石薄膜電子場發射特性的影響 （2016），提出因為有 超奈米晶鑽石、化學汽相沉積的重點而找出了 ar-1磨耗指數的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了ar-1磨耗指數，大家也想知道這些：

濺鍍參數與退火製程影響TiO2薄膜特性之研究

為了解決ar-1磨耗指數的問題，作者鍾岳圳 這樣論述：

TiO2光觸媒價格便宜，製備容易，無毒，高化學穩定性，抗磨耗，是環保抗菌材料，廣受世人矚目。本研究以射頻(RF)磁控濺鍍，Ar為電漿氣體，使用TiO2陶瓷靶材，製備TiO2薄膜於無鹼玻璃(non-alkali glass)基材。固定基材溫度(100oC)，射頻濺鍍功率(RF 100 W)，改變不同氣體比例(Ar:O2:N2)，分別為(100:0:0), (90:10:0), (75:10:15), (60:10:30)及(45:10:45)，改變薄膜沉積時間(60, 120,180 min)，獲得最佳光催化TiO2薄膜。為了獲得更優良的TiO2光觸媒薄膜，本研究使用真空退火熱處理(250,

350, 450oC)，大氣環境熱處理(250, 350, 450oC)，探討於爐內退火及大氣環境退火。分析TiO2薄膜的表面型態(SEM)，結晶相(XRD)，光穿透率，能隙值。研究顯示，水滴接觸角29.1 o降低到8.1o (親水性)，降解亞甲基藍溶液光吸收度由0.76降至0.29。本研究應用奈米壓痕儀，分析TiO2薄膜機械性質，以不同負荷(3, 5, 7 mN)，探討TiO2薄膜微硬度(H)，楊氏模數(E)，H/E (薄膜塑性指數，該值越高，代表薄膜較耐塑性變形)，H3/E2 (該值越高，代表薄膜較耐磨耗)。分析奈米壓痕負載-位移曲線圖，得最大負載壓痕深度(hmax)及殘留深度(hf)，分

析TiO2薄膜的彈性回復量。

電漿處理對超奈米晶鑽石薄膜電子場發射特性的影響

為了解決ar-1磨耗指數的問題，作者徐偉揚 這樣論述：

鑽石擁有高硬度、極佳耐磨耗、良好場發射性、高導熱等優點。應用在表面聲波元件、微機電元件、生醫材料、場發射元件等材料，薄膜是需要的良好場發射性、導電性鑽石。鑽石薄膜依據表面形貌可以分為微晶鑽石（MCD）、奈米晶鑽石（NCD）、超奈米晶鑽石（UNCD），其中超奈米晶鑽石具備更低的良好場發射性、表面粗糙度及較佳的導電性質。　　在我們成長鑽石薄膜所使用的系統(Innovative Plasma system,IPLAS)，是屬於微波電漿輔助化學汽相沉積法(Microwave Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition, MPECVD)。一般而言，我們

用一定比例的氬氣及甲烷來成長UNCD，但後來發現，當我們將成長好的UNCD再進行不同氣氛的微波電漿處理，薄膜的場發射特性優於原本的UNCD薄膜。因此我們藉由拉曼光譜、電漿光發射光譜、掃描式電子顯微結構、穿透式電子顯微結構、電子能量損失譜等，來探討當我們對UNCD進行微波電漿處理後，對其微結構以及場發射特性有著什麼樣的變化。　　本實驗針對不同的鑽石薄膜基板分別進行甲烷/氬氣/氫氣及甲烷/氮氣兩種混合氣體電漿並施加偏壓處理後，觀察發現場發射起始電場呈現相同趨勢的變化，利用穿透式電子顯微鏡觀測樣品，加上場發射起始電場與霍爾量測等結果，顯示出使用電漿處理對於不同薄膜基板造成改質或是成長之程度有所不同，

發現以小顆粒鑽石晶粒為主且擁有充足晶界空間之鑽石薄膜對於其改質的效果越好，改善電子場發射特性的效果最佳。

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