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逢甲大學 產業研發碩士班 施仁斌所指導 吳柏鋒的 利用有機金屬裂解法製備摻雜釓於鈦酸鉍之鐵電薄膜及其特性研究 （2006），提出bgt鍍膜關鍵因素是什麼，來自於鐵電材料、鐵電記憶體、鈦酸鉍。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了bgt鍍膜，大家也想知道這些：

利用有機金屬裂解法製備摻雜釓於鈦酸鉍之鐵電薄膜及其特性研究

為了解決bgt鍍膜的問題，作者吳柏鋒 這樣論述：

本實驗以Pt/Ti/SiO2/Si為基板，利用MOD法製備BGTO鐵電薄膜。以Bi4Ti3O12(BTO) 為主的材料，由於鐵電薄膜具有高介電性質，可以被應用於動態記憶體、鐵電記憶體以及光學元件，因此鐵電薄膜在高科技產業中是應用價值極高之產業。本實驗是用有機金屬裂解法製作BGTO鐵電薄膜。以Bi4Ti3O12為主體，希望藉由摻雜其他元素來改善或增益BTO薄膜的特性，因此以Gd取代部分Bi，分別在鈦酸鉍(Bi4Ti3O12)薄膜中摻雜製備Bi4-xGdxTi3O12 (x = 0.0，1.0)鐵電薄膜。試著探討不同含量的摻雜、層數、不同的退火溫度，對Bi4-xGdxTi3O12 (x = 0.

0，1.0)薄膜的鐵電、介電常數、介電損失、C-V、I-V性質之特性及影響。

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