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國立臺灣海洋大學 電機工程學系 葉美玲所指導 陳思齊的 雙調變模式之單電感雙輸出降壓轉換器之設計 （2013），提出cic溪降關鍵因素是什麼，來自於單電感雙輸出、雙模轉換器、降壓轉換器。

而第二篇論文國立彰化師範大學 機電工程學系 陳淑容、沈志雄所指導 李文傑的 磁性催化應用於CMOS MEMS氣體感測器之研究 （2012），提出因為有 CMOS MEMS、氣體感測器、二氧化錫、四氧化三鐵、磁性催化的重點而找出了 cic溪降的解答。

最後網站CIC 溪降課程心得則補充：把最近上課接觸溪降的內容與心得整理下來，免得以後自己忘記了。 2021/03/17-31 CIC Module 1&2; 2021/04/11-20 CIC Module 3. 課程資訊參見台灣CIC ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了cic溪降，大家也想知道這些：

雙調變模式之單電感雙輸出降壓轉換器之設計

為了解決cic溪降的問題，作者陳思齊 這樣論述：

現今可攜式產品隨著智慧型手機市場的快速發展下，可攜式產品已經不僅僅只是具備單一種功能的產品，必須要有更多樣化的電源供應系統來提供各種不同的電源，才能滿足各種電路的電源需求，也需要進一步來提升電源之轉換效率。本論文設計為雙調變模式之單電感雙輸出降壓轉換器，可以操作在脈衝頻率調變與脈衝寬度調變下，使輸出端負載，在輕重載之間都能保持高效率。本論文晶片使用國家晶片系統設計中心(CIC) 所提供的TSMC 0.35um Mixed-Signal 2P4M Polycide 5V的製程技術，輸入電壓範圍在3.3V~5V間，第一端輸出電壓可以在3.3V與2.5V的電壓輸出，第二端輸出電壓可在2.5V與1.

8V的電壓輸出，操作頻率為1.52MHz，輸出電壓漣波在脈衝寬度調變(PWM)下，兩端電壓漣波分別為24.7mV與23.1mV，在脈衝頻率調變(PFM)下，兩端電壓漣波分別為61.4mV與63.1mV，整體轉換器最大效率在87.3%，晶片面積為1.87μm#westeur024# 1.91μm。

磁性催化應用於CMOS MEMS氣體感測器之研究

為了解決cic溪降的問題，作者李文傑 這樣論述：

由於環境污染問題及工業需求，許多研究皆致力於開發一種高性能的氣體感測器，以用於檢測有毒及易爆炸的氣體，由於一氧化碳氣體感測器可用於檢驗環境中一氧化碳濃度，現今已成為重要研究課題之一。本論文利用TSMC 0.35μm 2P4M CMOS MEMS標準製程設計及製作一網格狀堆疊式氣體感測晶片，並結合氣體感測電路進行一氧化碳氣體量測。研究中將摻雜四氧化三鐵之二氧化錫作為感測材料，並提出一磁性催化感測機制，透過不同磁場強度及角度，來提高氣體偵測之靈敏度。實驗結果顯示，當所施加之磁場強度增加時，感測靈敏度會隨之增加；當所施加磁場角度減少時，感測靈敏度會隨之下降。其中，當感測晶片於磁場強度為12 Gau

ss的水平磁場環境中，可以得到最高的靈敏度1.73%/ppm，相較於無催化量測結果，感測靈敏度提升近7倍之多。

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