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國立中興大學 電機工程學系所 張書通所指導 莊秉叡的 應用在射頻積體電路之SiGe HBT模擬 （2020），提出dot5.1 vs dot4關鍵因素是什麼，來自於矽鍺、矽鍺異質接面雙載子電晶體、直流增益、截止頻率、最大震盪頻率、電腦輔助設計、射頻積體電路。
而第二篇論文國立臺南藝術大學 應用藝術研究所 徐玫瑩所指導 陳怡汶的 填裝空白- 陳怡汶金工創作 （2016），提出因為有 金工、琺瑯、空間、植物、線切割、藺編的重點而找出了 dot5.1 vs dot4的解答。
dot5.1 vs dot4進入發燒排行的影片
煞車（亦寫作剎車或制動），似乎是很簡單的系統，實際上內裏有不少學問。龍Sir在之前的兩輯影片中，已講解了如何做到完全煞車動作，也解釋了煞車系統工作的原理。今輯影片，龍Sir會回覆在Facebook Driver’s Club群組中，讀者對煞車系統的提問。今輯影片分段內容如下：
0:00 開始
0:18 為何煞車反應變差
2:00 煞車時「彈腳」
2:38 歐洲車多煞車粉末
3:05 煞車碟生銹
3:42 洗車須知
4:40 怎樣知道要換煞車皮
6:54 何時要換煞車碟
7:57 檢查煞車液
8:49 為何前碟普遍比較大
9:30 卡鉗（鮑魚）愈大愈好
10:34 鑽孔碟 vs 坑紋碟
11:00 應否用高性能煞車皮
11:43 升級煞車的建議
12:31 甚麼是浮動煞車碟
13:37 巴士煞車頓挫大
《龍Sir教室》其他影片：
輪胎解碼 教你讀懂輪胎 https://youtu.be/8KzwQ2djlMU
DSG真係咁易壞？佢點運作你要知 https://youtu.be/80yqgbAlsuo
CVT真係咁多缺點？三招即拆解 https://youtu.be/MR9OFefMfv4
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應用在射頻積體電路之SiGe HBT模擬
為了解決dot5.1 vs dot4 的問題，作者莊秉叡 這樣論述：
隨著通訊系統與車用電子智慧化的快速發展，CMOS的微縮使其高頻性能到達瓶頸，異質接面雙載子電晶體再次受到關注。雖然矽鍺異質接面雙載子電晶體(SiGe Heterojunction Bipolar Transistor, SiGe HBT)之高頻性能略遜於三五族異質接面雙載子電晶體，但其與CMOS同為矽基元件，在製程上有更佳的相容性而能整合成為BiCMOS製程，因此若能提升SiGe HBT的高頻性能，它將會是更具成本效益的解決方案。 本文將使用Silvaco TCAD中的元件編輯器Devedit建立元件結構後，利用元件模擬器ATLAS搭配一維摻雜分布(1-D doping profile
)進行元件模擬與分析。第一部分透過擬合實際元件的直流特性校正元件摻雜分布與物理模型，並針對射極、基極與集極摻雜濃度進行調變，探討摻雜濃度與元件直流特性的關係。 第二部分將探討射極、基極、集極與次集極摻雜濃度的調變對於元件截止頻率(Cut-off frequency, fT)、最大震盪頻率(Maximum oscillation frequency, fmax)的影響，最後在進行射極寬度、內部基極寬度和外部基極寬度等調變，探討橫向尺寸和元件高頻性能fT、fmax的交互關係，讓我們在針對射頻積體電路需求設計元件時能有所依據。
填裝空白- 陳怡汶金工創作
為了解決dot5.1 vs dot4 的問題，作者陳怡汶 這樣論述：
此書面報告梳理我在研究所時期，運用琺瑯創作的脈絡。我藉由金屬與琺瑯捕捉想像而後構築空間，試圖分析自己的創作狀態，探索自己理性和感性的抽象思緒投射於作品的歷程。本文共分為三個章節。第一章以容器作品為主軸，敘述作品反射自身欲捕捉及盛裝留存在心中某些情感與意象，藉由創作回應生活中的意外靈光。第二章首先列舉三位擷取自然植物為主題與使用單位元組合創作的藝術家，接著說明自身創作過程中單位元造形的轉變，以及探討作品的主結構、內在空間與負空間，延伸創作空間的向度。第三章詳述意象系列作品的脈絡，是從生活物件和日常習慣中開啟的創作，透過回溯生活經驗、成長環境解析自身創作與情感羈絆的狀態。