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國立清華大學 物理學系 張存續、尤宗旗所指導 詹承軒的 用於高功率材料處理之915 MHz固態波源開發 （2020），提出dtv無訊號關鍵因素是什麼，來自於高方向性耦合器、阻抗匹配、微波處理、平面式巴倫、射頻能量、固態功率放大器。
而第二篇論文國立臺灣大學 電信工程學研究所 王暉所指導 邱梓洋的 超寬頻且低功耗的可變增益分散式放大器與毫米波放大器之研究 （2020），提出因為有 互補式金屬氧化物製程、寬頻放大器、分散式放大器、線性電阻、變壓器匹配網路、功率放大器、低雜訊放大器、無開關雙向放大器、Ka頻段、單刀雙擲開關、E頻段、可變增益放大器的重點而找出了 dtv無訊號的解答。
用於高功率材料處理之915 MHz固態波源開發
為了解決dtv無訊號 的問題，作者詹承軒 這樣論述：
本篇論文展示了用於微波加熱系統的915 MHz 700 W連續波固態射頻放大器設計與600 W模組製作流程。此射頻放大器採用了推挽式操作以獲得較純的頻譜，以利於未來研究微波加熱效果與頻率的關係。推挽式操作係利用一新提出的縮小版馬相巴倫達成。此巴倫由一個橢圓狀的上下耦合線構成，材料損耗僅1.5 %並且相較同軸巴倫更利於批量生產。我們先利用HFSS做放大器初步阻抗匹配電路設計接著再在高功率實驗中手動調整匹配電路。根據實驗經驗，放大器的增益主要與輸入匹配電路有關，而汲極效率主要與輸出匹配電路有關。最終設計出的放大器使用NXP推出的MRF13750H電晶體，採用class AB操作(工作點150 m
A)，在915 MHz達到700瓦連續波輸出、64.2 %汲極效率與21.5 dB增益。我們也新提出了一個高方向性的耦合器做功率監測，此耦合器由多段非對稱的微帶耦合線構成，在915 MHz達到39.6 dB方向性。我們整合了設計出的放大器、輸入與輸出耦合器、環行器、溫度與電流感測器、與功率偵測器組成一個放大器模組，提供600 W左右的微波輸出。我們亦製作了一個30 W前級放大器並整合了Arduino無段功率控制系統與TFT監控面板。3個600 W功率放大器模組未來會做功率合成得到最大1.8 kW功率輸出，並將應用在大型碳纖維預氧化系統甚至大型微波烘豆系統中。
超寬頻且低功耗的可變增益分散式放大器與毫米波放大器之研究
為了解決dtv無訊號 的問題，作者邱梓洋 這樣論述：
本論文提出了三個應用於微波及毫米波系統的關鍵放大器，其所使用的製程皆為90奈米互補式金氧半電晶體(CMOS FET)製程，第一個為低功耗且小晶片面積的高增益寬頻可變增益分散式放大器。第二個為創新且晶片核心面積小的變壓器匹配之無開關雙向功率低雜訊放大器。最後一個為應用於E頻帶的可變增益低雜訊放大器。 首先提出的放大器以混和傳統分散式放大器(CDA)以及串接單級分散式放大器(CSSDA)為架構，並以疊接放大器(cascode amplifier)為其中的增益元件，再利用主動終端可變電阻(AVTR)來達到平坦增益度之可變增益分散式放大器。其中增益頻寬積(GBW product)、直流功耗、增益控
制範圍以及晶片面積為此可變增益分散式放大器的重要考量。在利用主動終端可變電阻的情形下，其增益平坦度可以做到有效的調整，且不會有增加直流功耗以及占用晶片面積之問題。此可變增益分散放大器達到21 dB的小訊號增益、40 GHz的3-dB頻寬以及18 dB的增益控制範圍，且直流功耗在最高的增益狀態僅有32.9 mW，而晶片的總面積只有0.72平方毫米。 接著是設計於Ka頻段基於變壓器架構之無開關雙向功率低雜訊放大器(switchless bidirectional PA-LNA)，其採用了創新的雙向變壓器匹配網路來達到虛擬開關(virtual switch)之效果，以取代傳統的單刀雙擲開關(SPD
T switch)電路，如此一來不僅能保有功率放大器以及低雜訊放大器原有之特性，還可以達到節省晶片面積之效果。此功率低雜訊放大器在功率放大器模式下達到18.1 dB的小訊號增益、9.5 GHz的3-dB頻寬以及在33 GHz的操作頻率下達到15.2 dBm的飽和輸出功率、29 %之最高功率附加效率。在低雜訊放大器模式下達到18.1 dB的小訊號增益、4.2 GHz的3-dB頻寬以及在35 GHz的操作頻率下達到最小4.5 dB的雜訊指數，而在3-dB頻寬下達到4.8 dB的平均雜訊指數。此晶片的核心面積只有0.21平方毫米。 最後提出的是應用於E頻段的可調增益低雜訊放大器，其電路由兩級的電流
再利用(current-reused)架構串聯一級疊接放大器以及一級電流導引(current-steering)結構的放大器所組合而成。其中小訊號增益、直流功耗以及增益調控範圍為設計此放大器之考量。利用電流共享架構以及增益增強技術，此可調增益低雜訊放大器可以達到26.1 dB的小訊號增益和14.1 GHz的3-dB頻寬，在78 GHz的操作頻率下達到最小4.8 dB的雜訊指數以及17 dB的增益控制範圍，而在3-dB頻寬下達到5.4 dB的平均雜訊指數。此外其直流功率僅消耗23 mW且此晶片的整體面積只有0.52平方毫米。