honda蒸發器清洗的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

應用熱蒸鍍後硒化/硫化法製備銀鋅錫硫硒化合物光電極與其光電化學海水製氫之研究

為了解決honda蒸發器清洗的問題，作者馮昱軒 這樣論述：

目錄指導教授推薦書 ..............口試委員審定書 ...................致謝iii摘要ivAbstract vi目錄viii圖目錄xi表目錄xv第一章緒論 11 1前言 11 2產氫技術 41 2 1傳統製氫技術 41 2 2再生能源製氫 技術 61 3研究動機 7第二章基礎理論及文獻回顧 92 1半導體基礎理論 92 1 1半導體簡介 92 1 2半導體能帶導論 122 1 3半導體光觸媒 172-2四元化合物半導體簡介四元化合物半導體簡介 ............................................................

.............................................................. 252--2--1 I--II--IV--VI族四元化合物半導體簡介族四元化合物半導體簡介 .......................................................... 252--2--2 摻雜元素之摻雜元素之I--II--IV--VI族四元化合物半導體簡介族四元化合物半導體簡介 .............. 272-3真空蒸鍍法 ..................................................

................................................................................................................ 282--3--1蒸鍍簡介蒸鍍簡介 ...................................................................................................................................................... 282--3--2蒸發源的加熱方式蒸

發源的加熱方式 ...................................................................................................................... 282--3--3蒸發過程蒸發過程 ...................................................................................................................................................... 302-

-3--4蒸發源簡介蒸發源簡介 .............................................................................................................................................. 31第三章 研究方法及實驗步驟研究方法及實驗步驟 ....................................................................................................................

............ 353--1實驗藥品實驗藥品 .......................................................................................................................................................................... 353--2實驗設備實驗設備 ......................................................................................

.................................................................................... 363--3分析儀器分析儀器 .......................................................................................................................................................................... 393--4實驗流程實驗流程 ..............

............................................................................................................................................................ 413--4--1基材表面處理基材表面處理 .........................................................................................................................

............. 413--4--2銀銀--鋅鋅--錫前驅物比例計算錫前驅物比例計算 ................................................................................................ 423--4--3銀銀--鋅鋅--錫前驅物製備錫前驅物製備 ................................................................................................................ 433--4--4銀銀-

-鋅鋅--錫錫--硫硫--硒化合物薄膜製備硒化合物薄膜製備 .......................................................................... 453--4--5薄膜性質分析薄膜性質分析 ...................................................................................................................................... 46第四章、結果與討論 ..........................

.................................................................................................................................. 494 1實驗參數最佳化 494 2晶型結構分析 514 2 1 X光繞射與元素分析 514 2 2拉曼光譜儀分析 534 3薄膜成分及膜厚分析 554 4表面型態分析 574 4 1場發射掃描式電子顯微鏡 574 5薄膜光電化學性質分析 644 5 1薄膜穿透率與反射率 644 5 2薄膜直接能隙值 654 5 3光敏化電流量測 67

4 5 4薄膜穩定性測試 734 5 5電化學交流阻抗頻譜分析 (EIS) 754 5 6可調強度式光電流頻譜 分 析 (IMPS) 82第五章、結論90參考文獻93附錄103圖目錄圖1 1、 1971~2015年世界總燃料發電圖 (單位：兆瓦 /時， TWh) 2圖1 2、 1917~2015年世界消耗化石燃料產生 CO2排放量圖 (單位：百萬公噸， Mt) 3圖1 3、製氫技術可能途徑與方法 4圖2 1、常見材料之電阻率範圍 10圖2 2、能階分裂為能帶示意圖 13圖2 3、絕緣體、半導體、導體之能帶圖 14圖2 4、半導體導帶及價帶的形成 15圖2 5、半導體能帶結構圖 (A) 本質半導

體 (B) n型半導體 (C) p型半導體 17圖2 6、光催化反應 19圖2 7、 TiO2光電化學反應裝置 20圖2 8、常見的半導體光觸媒材料氧化還原電位 21圖2 9、 n型半導體光電化學反應機制圖 21圖2 10、 n型半導體與水溶液界面的空間電荷層與能帶彎曲理論 24圖2 11、 Ag2ZnSnSe4之模型圖 26圖 2- 12、點蒸發源 32圖 2- 13、面蒸發源 33圖3 1、真空熱蒸鍍系統示意圖 38圖 3- 2、光電化學反應裝置 (A：300 W 氙燈，B：工作電極(Working Electrode)，C：參考電極(Reference Electrode)，D：輔助電極

(Counter Electrode)，E：循環冷卻水，F：恆電位儀，G：磁石攪拌器(magnetic stirrer) 40圖3 3、主體吸收層製備流程圖 41圖3 4、基材清洗流程圖 42圖3 5、 IMPS之 Nyquist圖 48圖4 1、樣品 (A)~(F)之 XRD分析圖 51圖4 2、樣品 (A)~(F)之 XRD分析局部放大圖譜 52圖4 3、樣品 (A)~(F)之拉曼光譜分析 53圖4 4、樣品 (A)之 FESEM正面圖 (5kX及 10kX) 57圖4 5、樣品 (B)之 FESEM正面圖 (5kX及 10kX) 57圖4 6、樣品 (C)之 FESEM正面圖 (5kX及

10kX) 58圖4 7、樣品 (D)之 FESEM正面圖 (5kX及 10kX) 58圖4 8、樣品 (E)之 FESEM正面圖 (5kX及 10kX) 58圖4 9、樣品 (F)之 FESEM正面圖 (5kX及 10kX) 59圖4 10、樣品 (A)之 FESEM側面圖 10kX 59圖4 11、樣品 (B)之 FESEM側面圖 10kX 60圖4 12、樣品 (C)之 FESEM側面圖 10kX 60圖4 13、樣品 (D)之 FESEM側面圖 10kX 61圖4 14、樣品 (E)之 FESEM側面圖 10kX 61圖4 15、樣品 (F)之 FESEM側面圖 10kX 62圖4

16、樣品 (A)~(F)之穿透光譜 64圖4 17、樣品 (A)~(F)之 反 射光譜 65圖4 18、樣品 (A)~(F)之 (αhν)2對 hν之能隙圖 67圖4 19、樣品 (A)在 0.5 M NaCl水溶液 之光敏化電流 69圖4 20、樣品 (B)在 0.5 M NaCl水溶液之光敏化電流 69圖4 21、樣品 (C)在 0.5 M NaCl水溶液之光敏化電流 70圖4 22、樣品 (D)在 0.5 M NaCl水 溶液之光敏化電流 70圖4 23、樣品 (E)在 0.5 M NaCl水溶液之光敏化電流 71圖4 24、樣品 (F)在 0.5 M NaCl水溶液之光敏化電流 71

圖4 25、樣品在 0.5 M NaCl 水溶液 中最大光敏電流值與 S比例關係圖 72圖4 26、樣品 (A)在 0.5 M NaCl水溶液中於 0 V (vs. Ag/AgCl)下之電流 時間 (I t)圖 74圖4 27、樣品 (B)在 0.5 M NaCl水溶液中於 0 V (vs. Ag/AgCl)下之電流 時間 (I t)圖 74圖4 28、 EIS模擬之等效電路 75圖4 29、樣品 (A)在不照光情況不同偏壓下之 EIS分析圖 78圖4 30、樣品 (A)在照光情況不同偏壓下之 EIS分析圖 79圖4 31、樣品 (B)在不照光情況不同偏壓下之 EIS分析圖 80圖4 32、樣

品 (B)在照光情況不同偏壓下之 EIS分析圖 80圖4 33、完全再結合 IMPS圖形 83圖4 34、部分再結合 IMPS圖形 83圖4 35、載子動力學模型 84圖4 36、樣品 (A)在 0.5 M NaCl水溶液於不同偏壓下照光之 IMPS圖譜 86圖4 37、樣品 (B)在 0.5 M NaCl水溶液於不同偏壓下照光之 IMPS圖譜 87圖4 38、樣品 (A)在 0.5 M NaCl水溶液 0.5 V之電流測試 87圖4 39、樣品 (A)在 0.5 M NaCl水溶液 1 V之電流測試 88圖4 40、樣品 (B)在 0.5 M NaCl水溶液 0.5 V之電流測試 88圖4

41、樣品 (B)在 0.5 M NaCl水溶液 1 V之電流測試 89表目錄表4 1、樣品 (A)~(F)之元素比例 56表4 2、樣品 (A)~(F)之薄膜厚度分析 56表4 3樣品 (A)、 (B)之直接能隙值 67表4 4、樣品 (A)~(F) 於 0.5 M NaCl水溶液最大光敏電流值整理表72表4 5、樣品 (A)在照光和不照光不同偏壓下之 EIS參數 79表4 6、樣品 (B)在照光和不照光不同偏壓下之 EIS參數 81表4 7、樣品 (A)、 (B)於 0 V照光下之阻抗值與計算電容值 81表4 8、樣品 (A)、 (B)於 0.5 V照光下之阻抗值與計算電容值 81表4 9

、樣品 (A)、 (B)於 1 V照光下之阻抗值與計算電容值 81表4 10、 IMPS分析之載 子動力學常數 89

以電漿輔助式分子束磊晶成長氮化硼材料

為了解決honda蒸發器清洗的問題，作者黃偉銓 這樣論述：

本研究利用電漿輔助式分子束磊晶系統 (Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy, PA-MBE)成長氮化硼 (Boron Nitride, BN)材料，尋找適合於氮化硼生長的基板以及較佳的成長條件。研究分為兩個部分，第一部份是透過容易取得的藍寶石 (Sapphire)基板去嘗試成長氮化硼材料，第二部份是利用表面鍍鎳之矽基板 (Ni/SiO2/Si)，利用實驗室的分子束磊晶系統成功成長氮化硼材料。第一部份會有兩種成長氮化硼的製程探討，一種是同時開啟硼蒸發源與氮電漿源的方式，一種是先開硼蒸發源再開氮源的液滴磊晶方式。第二部份則會有三個系列作為討論，第一系列為改

變基板溫度，第二系列為改變硼源溫度，第三系列則是改變製程方式；這兩部份的試片都會先以反射式高能量電子繞射儀 (Reflective High Energy Electron Diffraction, RHEED)做表面觀測，接著透過拉曼光譜儀 (Raman)以及X射線光電子繞射儀 (X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)做材料分析及鑑定，透過場發射掃描式電子顯微鏡 (Field Emission scanning electron microscopy, FE-SEM)及原子力顯微鏡 (Atomic Force Microscopy, AFM)觀察材料表面

形貌與結構，證實氮化硼是否成功的生長在基板上，本研究發現利用液滴製程有較佳的氮化硼結果，隨著基板溫度提升以及硼源溫度提升，有效增加成長氮化硼的結晶性。