hot spot溫度的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

覆晶銲錫接點在通電下焦耳熱效應及熱遷移之研究

為了解決hot spot溫度的問題，作者蕭翔耀 這樣論述：

由於可攜式電子元件越做越小，銲錫接點的尺寸也因此縮小的特別快；也造成了各個銲錫接點內的電流密度快速增加。隨著電流的增加，造成銲錫接點內嚴重的焦耳熱效應(Joule heating effect)，接點內的溫度也快速上升。因此，真實的量測到銲錫接點內之溫度分布是很重要。但因為銲錫接點被矽晶片，高分子填充物(underfill)和基板所包圍；要直接量測到銲錫接點內的溫度是很困難的。本篇論文的主要主軸是利用紅外線熱像儀(thermal infrared microscopy)在不同的通電條件下，直接量測銲錫接點內的溫度分布情形。也因此可以發現銲錫接點內的一些熱特性，如溫度增加，溫度梯度(therm

al gradient)和熱點(hot spot)溫度。我們主要是利用共晶錫銀(SnAg3.5)銲錫接點來做溫度分布的量測，發現在銲錫接點內有個熱點的存在；其一是在銲錫接點內部電流密度集中區(current crowding)，另一個則是在晶片端銲錫接點的邊緣靠近高分子填充物的地方。在通以電流密度1.06 �e 104 A/cm2下，銲錫接點內的平均溫度是150.5 �aC；而兩個熱點的溫度分別是161.7 �aC 和167.8 �aC。另外，我們亦研究under-bump-metallization (UBM)厚度的效應對銲錫接點內溫度分布的影響。由實驗結果可以發現，較薄的UBM厚度會在銲錫

接點內產生較高的熱點溫度。在電遷移(electromigration)的過程中，焦耳熱效應永遠扮演著很重要的角色。在不同階段的電遷移過程中，空孔(voids)的生成與延伸可能會影響到銲錫接點內的焦耳熱效應。所以，我們利用凱文結構(Kelvin bump probes)和紅外線熱像儀來探討在電遷移的過程當中，空孔的生成與延伸和焦耳熱效應的關係。我們觀察到空孔的生成在銲錫接點內的電阻上升到原來的1.2倍時；而當電阻增加時，空孔也隨之延伸。此外，隨著通電時間的增加造成銲錫接點內的電阻也上升，因而發現銲錫接點內的溫度也隨之上升。而在通電的後期，銲錫接點因為電組上升和焦耳熱效應的影響，使得接點內的溫度快

速上升。由於鋁導線在加速電遷移測試的過程中是主要的發熱源，它所造的焦耳熱效應讓銲錫接點內產生了溫度不均勻的現象；在覆晶封裝銲錫接點內創造了極大的溫度梯度。因此，我們利用交流電(alternate current)來減去通電時的電遷移效應，直接觀測銲錫接點內的熱遷移效應(thermomigration)。因為在交流電的驅使下銲錫接點內不受電遷移效應影響；而且所造成的焦耳熱效應是與通以直流電是相同的。我們利用共晶錫鉛(eutectic SnPb)和錫銀銲錫接點來研究熱遷移效應，並利用聚焦式離子束(focus ion beam)在銲錫接點內產生標記點(marker)來直接量測熱遷移通量(thermo

migration flux)。研究發現當共晶錫鉛銲錫接點在9.7 × 103 A/cm2電流密度下且加熱溫度為100 °C時，可以產生很高的溫度梯度大約2143 °C/cm。在熱遷移效應測試的前後，我們使用聚焦離子束來產生標記點，來計算銲錫的熱遷移速率。我們可以得到銲錫熱遷移通量3.3×1013 atoms/cm2和鉛的熱傳送值26.8 kJ/mole。 另外，在無鉛銲錫熱遷移研究方面，本實驗是利用共晶錫銀銲錫接(SnAg3.5)在加熱板溫度為100 °C時，施加0.57安培的交流電，做熱遷移效應的觀察。在此電流下可以觀察到銲錫接點內有大約2829 °C/cm的溫度梯度產生。實驗結果發

現在熱遷移的效應下，錫是往銲錫接點內較熱端即晶片端來移動。我們同時量測到錫的熱遷移通量和熱傳送量(molar heat of transport)分別是5.0×1012 atoms/cm2 和1.36 kJ/mole。