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國立中正大學 電機工程研究所 余英豪所指導 徐雋航的 基於語意之輪廓表示法及全連結捲積類神經網路之單晶片多車輛辨識系統 （2021），提出hs150缺點關鍵因素是什麼，來自於車輛辨識、語意之輪廓表示法、類神經網路、車距檢測。
而第二篇論文國立陽明交通大學 照明與能源光電研究所 楊斯博、鄭錫恩所指導 黃啟賡的 以原子層沉積法成長二氧化鈦薄膜隨機電阻式記憶體開關特性之研究 （2021），提出因為有 二氧化鈦、隨機電阻式記憶體、製程溫度、金屬材料、退火的重點而找出了 hs150缺點的解答。
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I’m Fine!清爽活出真實自己的七個步驟
為了解決hs150缺點 的問題，作者大川隆法 這樣論述：
不要猜忌他人，不要疑慮重重， 不要活在深深的自卑感，或者感傷悲苦的情緒當中， 應該要開朗、樸實、單純。 即使遭遇了背叛、遇見了騙子，也要泰然自若地說：「那點小事，何足掛齒。」 此刻，開始過著沒有罣礙的清爽生活！ 大川隆法先生以簡潔的話語用7個步驟，闡述了人生的成功論，是一本讓人們活出幸福人生的基本教科書。 ●STEP 1 更簡單、更清爽 暫時切斷雜亂紛繁的情緒、把心中的重擔、磚頭拆除！ →要有心無罣礙的人生態度。 ●STEP 2 即使失敗了也不要厭惡自己 成功的關鍵通常都是善於運用自己的長處、優點，然而要想取得進一步的成功，絕大多數存在於與優點相反的
地方。 →煩惱的種子，亦是培養自己的種子。 ●STEP 3 如何建立不易崩潰的自信 心才是一切的起點。心改變，人生就會改變。 →幸或不幸都是自己的心所造成。 ●STEP 4 做一個不屈不撓的人 佛不會給予人無法負擔的問題，不會讓人承受那種重擔。 →那些看似問題的事，實際上只不過是自己本身的業。 ●STEP 5 有影響力的人須留意之事 地位越高的人，越要對他人更惜才，珍惜那些自己所沒有的才能的人。 →嫉妒優秀部屬的人，將不會再晉升。 ●STEP 6 前進的勇氣 發牢騷不僅在自己的心中累積毒素，聽到抱怨的人，心情也會得沉重起來。 →因為抱
怨而變好的人，至今未曾有過。 ●STEP 7 改變自己而發光的人與隨波逐流的人 人，將會成為自己所想像的人。你每天都在想些什麼？你反覆考慮、所思所想的事情就是你自己。 →想法會產生非常強大的力量。 藉由上述步驟，每一個人皆能發揮各自的個性，臉上掛著美麗的笑容，以清爽的態度開拓光明的未來。
基於語意之輪廓表示法及全連結捲積類神經網路之單晶片多車輛辨識系統
為了解決hs150缺點 的問題，作者徐雋航 這樣論述：
鑒於現今智慧車輛發展迅速，前方車輛辨識及車距檢測為先進駕駛輔助系統 (Advanced Driver Assistance Systems, ADAS) 設計中相當重要的一環，此項技術通常藉由攝影鏡頭擷取前方影像，並透過影像辨識技術來判斷前方是否存在車輛、障礙物等等，進而控制車輛減速以保持安全距離。而這些複雜的圖形辨識技術往往需要透過高功耗之大型運算系統來實現，並且，若將傳統電腦安裝於車內常需要克服體積過大、耐震性不佳等缺點。因此，本研究專注於如何將車輛辨識及車距檢測演算法實現於單晶片，以達到高性能、低功耗，以及體積小之目的。為實現前方車輛辨識及車距檢測，本研究透過單一彩色相機模組收集前方影
像資訊，並於單一現場可程式邏輯閘陣列 (Field Programmable Gate Array, FPGA) 晶片中以最精簡之硬體電路實現白平衡 (White Balance)、影像對比度強化技術 (Image Contrast Technique)、物體邊緣檢測、利用基於模糊語意影像描述 (Semantics-based Vague Image Representation, SVIR) 改良之基於語義之輪廓表示法 (Semantic-based Contour Representation, SCR) 特徵表達物體、再透過不同的卷積核 (Convolution Kernel) 重釋SC
R特徵並交由全連接類神經網路(Fully Connected Neural Network, FCN) 進行車輛辨識。最後，以多個邊界框 (Bounding Box) 同時檢測前方多台車輛，達到單頁多目標辨識 (Single Shot MultiBox Detector，SSD) 之功能，而邊界框之座標可以透視法 (Perspective View) 計算前車相對距離。根據本研究之實驗結果，在相機以每秒90張影像攝影速度以及影像解析度在640×480像素的條件下，本研究僅須3.61us即可完成單台車輛辨識，車輛辨識率可達到94%，且車輛與非車輛至少保持38%以上之分離度，有效減少感測錯誤的情況
發生。因此，實現一真正高性能、低功耗以及體積小之前方車輛辨識晶片。
以原子層沉積法成長二氧化鈦薄膜隨機電阻式記憶體開關特性之研究
為了解決hs150缺點 的問題，作者黃啟賡 這樣論述：
本研究以二氧化鈦薄膜作爲隨機電阻式記憶體的主要研究材料製成Ni/TiO2/BE（Bottom Electrode）的三明治結構的隨機電阻式記憶體。藉由改變元件的底部電極材料、二氧化鈦薄膜的製程溫度與退火環境來研究電極材料、二氧化鈦的結晶程度與氧空位含量對元件開關的影響。并且通過電流電壓特性與薄膜微結構影像來分析元件的傳導機制與開關模型。 在對比鎳與金兩種不同氧活性的金屬材料作爲底部電極元件的開關特性，發現 Ni/TiO2/Au 結構的元件開關次數多于 Ni/TiO2/Ni 結構的元件。解決了Ni/TiO2/Ni 結構因底部電極在製程過程中氧化而產生的整流現象，并且有著更好的耐久度與可靠度。然
而通過提高二氧化鈦薄膜的製程溫度，讓二氧化鈦薄膜形成結晶能夠改善元件的耐久度、開關穩定度與開關效率。同樣發現結晶的二氧化鈦薄膜元件有著比非晶態的二氧化鈦薄膜元件更小的 Vset與 Vreset，優化了元件的能耗。 在對比無退火元件、氧氣環境退火元件與氮氣環境退火元件的開關特性，氧氣環境退火元件有著更高的薄膜電阻，更小的漏電流與更好的試片可開關率。但是存在比其他兩個元件較差的開關穩定性，更大的 Vforming、Vset與 Vreset，以及需要 Forming 的電極數目增加。這源於氧氣退火后，二氧化鈦薄膜中的氧空位減少導致的。氮氣退火后的元件能夠增加二氧化鈦薄膜中的氧空位，能夠有著與氧氣退火
相反的效果。通過分析以上試片的開關特性，並探討了元件的傳導機制與開關模型。不同於氮氣退火元件在高阻態下主要為跳躍傳導的傳導機制，其他元件在高阻態下的傳導機制為肖特基傳導，在低阻態下的傳導機制皆為歐姆傳導。在開關模型上，元件的開關是以氧空位導電細絲的氧化還原反應來控制的電阻變化。從穿透式電子顯微鏡的成像中可以看到在導電細絲上存在來自頂部電極與底部電極的金屬原子，隨著量測次數增加會使得開關厚度變小以及兩端的金屬細絲完全連接頂部電極與底部電極，使得元件完全短路。