igbt廠商的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列包括價格和評價等資訊懶人包

igbt廠商進入發燒排行的影片

以面積結構效應改善奈米碳管薄膜蕭基二極體逆向偏壓之研究

為了解決igbt廠商的問題，作者魏廷祐 這樣論述：

金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。主要用於將發電設備所產生電壓和頻率雜亂不一的電流，透過一系列的轉換調製變成擁有特定電能參數的電流，以供應各類終端電子設備，成為電子電力變化裝置的核心元件之一。MOSFET依照其通道極性的不同，大多可分為電子占多數的N通道型半導體與電洞占多數的P通道型。MOSFET主要是利用電場效應來控制電流，使一種用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。但MOSFET所處在強大電場環境的情況下，內部界面會容易產生極大的電場集中，而導致元件的界面被擊穿。為了解決電場集中擊穿元件的問題，人們發現在MOSFET結構裡加入PN

P或NPN結構的雙極性電晶體，去拉平其電場改善元件被擊穿的問題，因而發展出了IGBT這種擁有驅動電流小，導通電阻也很低的元件。但在MOSFET裡加入雙極性電晶體不只成本高、製作程序也相當繁雜，一般廠商較難負荷此成本。所以本實驗想到利用相同特性的蕭基二極體來取代，但蕭基二極體的逆向偏壓低且漏電流大，因而我們在二極體當中加入奈米碳管液，CNT蒸乾後呈薄膜狀，CNT是奈米級的良好導體，可以在元件施加逆向偏壓，使電場集中於終止邊緣的效應放大(Edge Termination)時，利用其特性將電場拉平，藉以提升逆向偏壓，有效平衡電場，故可以解決因電場集中而讓元件界面被擊穿的問題，因此發展出了許多終端結構

[3]。我們為使其增加二極體的逆向偏壓，使用黃光微影製成在氮化鎵基板及CNT薄膜上蒸鍍Ni/Au形成蕭基及歐姆接面來量測，希望能產出結構簡單，又能保留IGBT優點的元件。根據[1]，噴塗CNT後，以超音波震盪機加溫蒸乾，並選用金屬Ni跟Au分別來製成蕭基與歐姆介面，再以光罩定義圖型結構。本實驗加入CNT後，可將原本逆向偏壓-40V提升至-100V左右；改變元件結構後加入CNT，能將原本逆向偏壓-2.5V提升至-10V左右。CNT如我們所預期的，能夠提升元件逆向偏壓，延緩元件被電場擊穿的問題。