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國立政治大學 法學院碩士在職專班 王立達所指導 林晋豊的 維修權之概念與全球立法現況剖析：以美國與歐盟為中心 （2020），提出iphone原廠維修中心關鍵因素是什麼，來自於維修權、維修障礙、智慧財產權、不公平競爭、市場壟斷。

而第二篇論文逢甲大學 化學工程學系 林永森所指導 吳承諺的 以常壓電漿聚合氧化矽薄膜提升可撓式 鋁合金抗腐蝕與抗刮之研究 （2019），提出因為有 鋁合金、常壓電漿、氧化矽薄膜、抗腐蝕、交流阻抗法、表面防刮的重點而找出了 iphone原廠維修中心的解答。

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維修權之概念與全球立法現況剖析：以美國與歐盟為中心

為了解決iphone原廠維修中心的問題，作者林晋豊 這樣論述：

維修權是近年受矚目的新興權利概念，其權利主張係維護消費者自主維修權利，規範原廠朝向促進維修權發展目標，達到永續產品環保設計、維修資訊透明與公平合理供應原則。維修權概念目前在各國仍屬立法推廣階段，故此，法律見解與定義尚未一致。本文透過觀察各國維修權爭議案件與立法趨勢，歸納出維修權立法目的分為三大部分，(1)主張消費者自行維修產品或授權獨立維修商代為維修的權利，防止原廠利用資訊與資源不對稱所構築的維修障礙，形成市場壟斷的不公平競爭情形；(2)改善產品設計進而提高產品耐用性與可維修性，確保維修零組件與產品軟韌體升級供應時間，達到產品永續使用與減少資源浪費的環保目標；(3)依據公平合理原則提供消費者

與獨立維修商進行維修時，所需的維修零組件、產品軟韌體與維修資訊及資源，並適度豁免獨立維修商與副廠零組件供應商，因維修目的所造成的智慧財產權侵權行為。美國與歐盟是世界兩大重要經濟體，具有眾多品牌產品行銷全球，其法律體系見解亦是全球重要的立法參考依據，本文將剖析比較美國與歐盟相關維修權立法現況，觀察兩者維修權立法趨勢與差異，歸納出未來維修權立法參考目標。

以常壓電漿聚合氧化矽薄膜提升可撓式 鋁合金抗腐蝕與抗刮之研究

為了解決iphone原廠維修中心的問題，作者吳承諺 這樣論述：

總目錄中文摘要 iAbstract iii總目錄 iv圖目錄 viii表目錄 xiv符號說明 xvi第一章 前言 11-1 概述 11-2 研究目的與動機 21-3 論文架構 2第二章 原理與文獻回顧 32-1鋁金屬及其合金 32-1-1 鋁金屬之應用 32-1-2鋁金屬之特性 52-1-3 鋁金屬的表示方式 82-1-4 鋁金屬的腐蝕機制 102-2 抗腐蝕薄膜與抗腐蝕製程處理 152-2-1 抗腐蝕薄膜文獻回顧 162-2-2抗腐蝕製程種類 172-2-3 抗腐蝕處理之應用 202-2-4 交流阻抗分析於抗腐蝕SiOxCy薄膜 212-2-4-1

等效電路（equivalent circuit） 252-3 抗腐蝕薄膜之製備方法 272-3-1 常壓電漿 272-3-2 常壓電漿分類 30第三章 實驗方法與步驟 333-1 實驗藥品與耗材 353-2 實驗步驟 383-2-1 基材準備 383-2-2 常壓電漿聚合系統 383-2-3 製備程序及製程條件 393-3 抗腐蝕薄膜之機械性質分析 393-3-1 防刮薄膜表面磨耗測試 393-3-2 ASTM D3363標準之防刮薄膜表面硬度測試 443-3-3 ASTM D3359 標準之防刮薄膜密著性測試 453-4 抗腐蝕薄膜基本性質分析 473-4-1

FTIR於薄膜表面官能基之分析 473-4-2 XRD於抗腐蝕SiOxCy薄膜晶性分析 473-4-3 FESEM於抗腐蝕SiOxCy薄膜表面形態及膜厚之分析 483-4-4 表面孔隙度計算於表面形態分析 483-4-5 薄膜沈積速率計算於膜厚分析 483-4-6 AFM於抗腐蝕SiOxCy薄膜表面粗糙度測定 493-4-7 抗腐蝕SiOxCy薄膜之XPS元素鍵結分析 493-5 抗腐蝕薄膜電化學腐蝕分析 503-5-1交流阻抗法 50第四章 結果與討論 524-1 SiOxCy薄膜機械性質之探討 524-1-1 SiOxCy薄膜與鋁合金基板密著性之量測 524-1-2

SiOxCy薄膜表面硬度之量測 534-1-3 SiOxCy薄膜表面磨耗之量測 544-2 SiOxCy薄膜基本性質之探討 584-2-1 SiOxCy薄膜之FTIR之分析 584-2-2 X-ray低掠角繞射分析儀之分析 614-2-3 SiOxCy薄膜之表面型態分析(FE-SEM) 624-2-4 SiOxCy薄膜厚度與沉積速率分析 724-2-5 SiOxCy薄膜表面粗糙度之分析(AFM) 754-2-6 SiOxCy薄膜之XPS元素鍵結分析 874-3 提升鋁合金抗腐蝕行為分析 964-3-1 交流阻抗法分析 964-4 浸泡腐蝕後之抗腐蝕SiOxCy薄膜之表面

型態分析 109第五章 結論 116參考文獻 117附錄一 126表1-1 SiOxCy薄膜在酸性溶液(HCl)中電阻值、腐蝕電流密度與腐蝕速率 126表1-2 SiOxCy薄膜在鹼性溶液(NaOH)中電阻值、腐蝕電流密度與腐蝕速率 130

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