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國立臺灣大學 應用力學研究所 楊照彥所指導 賴建裕的 晶圓與靜電吸盤之熱傳分析 （2002），提出jr靜電吸盤關鍵因素是什麼，來自於靜電吸盤、熱傳模型、電漿製程。
晶圓與靜電吸盤之熱傳分析
為了解決jr靜電吸盤 的問題，作者賴建裕 這樣論述：
靜電式晶圓座已在一系列的電漿製程環境中被發展使用，其表面紋路和處於其間的冷卻氣體對於晶圓與晶圓座彼此間之熱傳有決定性影響。本文，建構出晶圓與靜電式晶圓座挾持系統之熱傳模式，探討晶圓溫度的均勻性。利用其中一些重要參數的探討，包含所施予的熱通量、晶圓座的表面紋路設計、晶圓與晶圓座的超出面積比。並應用泛用型計算軟體STAR-CD模擬其中詳細熱傳問題，且其計算結果與所獲得之數據相符：晶圓座的表面凹槽將會導致晶圓溫度隨半徑方向產生震盪現象，且過大的晶圓與晶圓座的超出面積比將導致晶圓邊緣處溫度上升。經過參數探討，發現到晶圓溫度的均勻性可藉由減少凹槽數目與寬度和使晶圓與晶圓座兩者尺寸接近獲得改善。藉由此數
值熱傳模式能提供設計上一完善的靜電式晶圓座幾何形狀，以提供晶圓良好的溫度平均分佈。