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MENSA門薩高智商腦力訓練的280道觀察推理測驗：三大類題型，全腦開發，提升多元智能、思考啟發、推理探索能力

為了解決k金的問題，作者 這樣論述：

★加入世界上規模最大及歷史最長的高智商同好組織－MENSA門薩★ ★最基礎VS最關鍵的腦力開發訓練課程★ ★快速成為團體中智力最高的前 2% 族群★ 　　三大類，280多道強化大腦運轉的觀察推理測驗 　　全方位提升多元智能、思考啟發、推理探索能力 　　比電影情節還燒腦 　　比推理小說還懸疑 　　快來挑戰最能激發智力的闖關問答題吧！ 　　題型百變多樣， 　　想證明你的實力嗎？跟著書中內容一起動動腦吧！ 　　你將發現，變身超級金頭腦原來這麼輕鬆！ 　　廣受全球認可的高智商腦力訓練課 　　開啟「腦十力」，鍛鍊思維，激發潛能 　　１觀察力：注重細節，增強敏銳度和細心度 　　２判斷力：綜合線

索，做出正確判斷，統整資訊 　　３推理力：尋找連結點和不尋常處，多角度思考 　　４想像力：跳出思考框架，化不可能為可能 　　５創造力：百變創新，舉一反三，將知識善用到各領域 　　６分析力：條理分明，歸類資訊，尋找出事件的發展脈絡 　　７計算力：化繁為簡，將所獲資訊轉化為可推算的數據 　　８語言力：言詞達意，洞察人心，拓展社交圈 　　９反應力：快速篩選資訊，去蕪存菁，提升辦事效率和思考速度 　　１０記憶力：過目不忘，提升專注力，有助找出前後關聯性 　　全腦開發的激增速成法 　　美國著名的心理學家吉爾福特（J.P.Guilford）提出，人類的智力由三個部分和多種因素組成： 　　【第一部分是智

力的內容】包括形、符號、語義和行為等四種。 　　【第二部分是智力的操作】包括認知、記憶、發散思考、聚合性思考和評價等五種。 　　【第三部分是智力的產物】包括單元、類別、關係、系統、轉化和蘊涵等六種。 　　根據以上四種內容、五種操作和六種產物，一共可以組成 4×5×6＝120 種獨立的智力因素。人的創造性就是由這120 種智力因素所決定。 　　本書所列的觀察推理和腦力開發練習，是目前最夯、最好玩、最能被年輕族群所接收的提升智力科學教育方式，以培養「平衡用腦，高效學習」的全腦使用高智慧人才為目的，專注於啟發大腦潛在能力的教育。 　　從遊戲中寓教於樂，用智慧探索解答   　　本書分為「多元智慧

」、「開發思考」、「探案遊戲」三大章節，共有280多道趣味遊戲，使讀者的思考和智力能全方位提升。 　　每個遊戲都附上答案和解題思路，令人知其然，更知其所以然。 　　這些遊戲並不需要複雜的道具或儀器，也不需要繁瑣的準備，只需要你動動腦筋、擦亮眼睛，就能在生動有趣的謎題中突破思考盲點，打破思維定式，激發大腦潛能；更能進一步培養立體的空間想像能力、敏銳的觀察能力、高速計算的能力、敏捷的邏輯思維能力、嚴謹的推理分析能力，讓人將這些能力融會貫通，越玩越聰明！ 本書特色 　　★★題目類型多樣化，全方位刺激大腦 　　本書中精選280多道拓展思維的觀察推理測驗題，集科學性、遊戲性、趣味性、百變性於一體

，囊括圖形、找規律、數獨、迷宮、逆向推導、偵探推理等多種題型。能夠全方位提升觀察力、分析力、邏輯力、推理力、判斷力、想像力、創造力、記憶力以及思考力，充分發掘大腦潛力，越玩越聰明。 　　★★三大主題循序漸進，越玩越有成就感 　　全書分為「多元智慧」、「開發思考」、「探案遊戲」三大章節，由淺入深，幫助讀者建立獨特的思考和演算能力，並且學會全方位的觀察、多層次的深度剖析，訓練出有條理的分析判讀能力。只需要仔細閱讀後，動腦思考，就能在生動有趣的謎題中突破思維盲點，找出答案，保證讓人愛不釋手，越玩越有成就感。 　　★★題型老少咸宜，能啟發全家人腦力的趣味闖關試題 　　書中蒐羅的試題適合各種年齡層的

人，更適合親子共讀，能夠充分啟發孩子和青少年的智力發展，中老年人也能透過書中試題的刺激，充分活化腦部細胞，拒絕記憶力退化問題。不分男女老少，全家人都可以藉由挑戰本書的題目，啟發多元智能，突破固有的思維模式，提升智力，享受滿滿的趣味性。 　　★★圖文並茂，刺激觀察能力，增添解題樂趣 　　書中有多道觀察題型，搭配多張圖片，能刺激視覺神經，啟發觀察能力，其他類題型亦配有插圖，豐富版型，增添閱讀樂趣，讓你不必花太多時間閱讀文字，只要看圖就能動腦、推理計算、玩遊戲，讓解題過程更有趣。  

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珠寶設計產業消費者購買意願之研究

為了解決k金的問題，作者林姵岑 這樣論述：

珠寶精品設計是時代文化的風格表徵產物，也是一種當代人文、文化藝術的創作代表。本研究旨在以P公司為主，探討旗下各縣市因不同區域的消費需求，對公司採購意願業績的影響。珠寶精品的經營績效與門市人員的教育訓練是否用心、專業息息相關。身為供應產品單位，規劃設計那些品項、教育與設計藝術的商品，才能有效的使專業需求與消費者滿意度提升，此即為本研究所欲探討的主要目的。本研究主要採取訪問法是『訪談法』，針對長期配合的經銷商顧客，經營最好和最差得四家顧客的主要採購代表，從訪問中去了解區域性與開店地點的差異不同。探討顧客心目中的產品形象與消費者價值觀之購買意願的動機和產品價值性的保值性。研究顯示，珠寶精品首飾經過

億萬年的焠煉而成，它本身就是一種文化，訴說著屬於自己的故事。一般消費者在挑選珠寶時對於創作精神與價值意義遠遠超越生活品味。針對消費者對文化藝術珠寶風格意象進行研究討論，再分析P公司的設計風格，最後依消費者的偏好設計開發新型珠寶並帶領二代接班經營的方向。

珠寶金工技法全書

為了解決k金的問題，作者龔豊洋（LeoKung） 這樣論述：

珠寶金工輕鬆做，我的手作新提案！ 　　基礎熔煉、鋸切、焊接、銼磨等技巧全圖解， 　　運用金屬片材，從平面建構到組裝出立體物件， 　　讓你步步打造出戒指、手環、耳環、胸針等飾品， 　　再運用基本金工技巧，創造出獨具個人風格的珠寶設計！ 　　金工主要指所有的金屬加工方式；而珠寶金工，則是為了配戴性、裝飾性所產生，而大多數珠寶金工會鑲嵌寶石、鑽石……等，且在製作方式上，有許多複雜的程序與穩定的焊接技術。 　　〔珠寶金工入門必備〕 　　從熔煉、鋸切、焊接、銼磨等相關金工基本功，零藏私講解，讓你從金屬片材，步步焊接出立體的金屬物件。 　　〔圖文步驟X重點影片解析〕 　　將金工桌使用方式，運用

圖文步驟跟重點影片的方式，讓操作者能精準的學習跟實際操作。 本書特色 　　✲珠寶金工入門X基本操作 　　除了介紹基本金工工具外，也告訴操作者如何運用最簡單的方式，讓初學者可以跟著步驟輕鬆上手。 　　✲實際操作X必知觀念 　　從熔煉、鍛造、鋸切、焊接、挫磨等各式基本金工技巧，以及附上必知的基本觀念，帶領操作者步步進入珠寶金工的世界。 　　✲金工配飾操作X焊接練習 　　從基本的戒指、手環帶領操作者練習，再進階教授胸針、爪台等進階金工操作，讓你循序漸進製作出專屬配飾。

連續層蝕刻和高壓退火對high-k金屬柵極 MOSC 和 SiGe FinFET 電特性影響研究

為了解決k金的問題，作者古亞師 這樣論述：

未来按比例缩小的Si MOSFET的前景从根本上受到驱动电流饱和的限制. 应结合具有高载流子迁移率和源极注入速度的SiGe MOSFET通道,以规避这种缩放限制, 并允许短通道MOSFET驱动电流的未来发展.因此,突破传统半导体固有的发展局限和摩尔定律的局限,成为寻找下一代半导体材料并研究其相关工艺的根本任务.基于上述困难,本文提出了一种新的制造工艺方法并寻求采用.即,低温高压退火 (HPA) 和顺序层蚀刻 (sALE) 以及该技术的权宜之计已得到彻底研究. 在本研究的第一部分中,6个大气压的高压退火技术(200-450˚C) 作为高 k/金属栅极金属氧化物半导体电容器的金属后退火.

为了验证高压退火(HPA)在提高界面陷阱密度,泄漏问题和平带电压偏移方面的能力,将氧化物陷阱电荷,界面态密度和泄漏电流与其他相同结构的电容器进行了退火处理通过微波退火(MWA)进行比较.HPA 表现出低陷阱密度,表明可能去除电荷陷阱并降低漏电流密度.结果表明, 与高功率微波退火相比,HPA工艺可以有效地减少低温下俘获的电荷,并且低温高压退火后漏电流密度的降低对应于电荷陷阱的减少.低温下的HPA作为高k/金属栅极结构的后金属化退火工艺显示出巨大的潜力,因为它具有不希望的效果,例如Al扩散到介电层中. 在本论文的第二部分中, 针对通过改变工艺参数（例如偏置）来制造MOS电容器,以顺序和连续

层蚀刻的形式使用具有射频 (RF) 和Ar/Cl混合物的等离子体的效应,使用原子层沉积Al2O3高k栅极电介质和TiN金属栅极的金属氧化物半导体电容器,然后集成顺序层蚀刻 (sALE) 和连续层蚀刻(cALE) 进行比较以进一步蚀刻下来并制造高质量的MOS电容器. 为了进一步研究, 还分析了 C-V, C-V 滞后, EOT, I-V, 跨导 (gm) 等电气特性. 一个重要的结果/结果表明, 顺序层蚀刻是抑制漏电流密度(Jg) 的合适选择, 获得良好的电容,正平带偏移.此外,在MOS电容器上进行连续层蚀刻可以实现更低的氧化物陷阱电荷 (Qot) 和界面态密度 (Dit). 在本论文的

第三部分, 通过在500⁰C ~ 600⁰C的低温下应用连续层刻蚀和高压退火,制造了一种改进的电学特性和低损伤的超薄SiGe FinFET. SiGe FinFET可以有效抑制结泄漏, 因此在 VD = -0.1V 时实现了高 ION/IOFF 比 (3.38 × 106 A/µm). sALE 蚀刻的 FinFET 显示出较小的负阈值电压偏移, 在较低鳍片宽度下改进的 DIBL 以及增强的有效迁移率和较低的界面陷阱密度.由于cALE FinFET阈值电压的突然负移和sALE FinFET的改进情况,DIBL受到很大影响.sALE的DIBL为130 mV/V和172 mV/V的cALE,鳍片宽

度为40 nm. 根据理解结果,顺序层刻蚀可以各向异性地刻蚀具有较低表面粗糙度的垂直SiGe Fin结构. 此外,对鳍结构进行高压退火,以恢复等离子体连续蚀刻过程中造成的损坏.sALE 蚀刻 FinFET 的最低表面 (RMS) 为0.17 nm, 而 cALE FinFET的最高RMS为0.28 nm. 对于通过连续层蚀刻技术蚀刻的SiGe FinFET,在鳍宽度= 40 nm 和栅极长度= 100 nm 时获得了88 mV/dec 的最低亚阈值摆动. 根据本研究的结果发现, 在制造 FinFET 器件的高功率方法中,与MWA相比, 顺序层蚀刻技术和高压退火比连续层蚀刻更可靠和成功.