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一個十位元每秒兩千萬次取樣帶冗餘位逐漸趨近式類比數位轉換器

為了解決k type溫度範圍的問題，作者徐志豪 這樣論述：

如今電子產品除了要效能好，亦追求低功耗與輕薄短小，由於半導體製程技術的進步，帶動了積體電路設計的成長，許多低功耗的晶片得以實現，在眾多類比數位轉換器中，逐漸趨近式(Successive-Approximation)由於大部分元件皆由數位邏輯電路所構成，且整個電路僅需一組比較器即可，大幅地降低了資料轉換所需的功耗。本論文完整製作一個10-bit 20MS/s SAR ADC，架構採用分段式電容陣列數位類比轉換器，使用TSMC 0.18um 1P6M CMOS製程，電源供應1.8V，輸入頻率為1.97265625MHz進行模擬，訊號雜訊與失真比(SNDR) 60.71 dB，有效位元數(ENOB

) 9.79-bit，功耗0.92 mW，品質因數(FOM) 52f J/conversion-step，核心晶片佈局面積0.31*0.21〖mm〗^2，晶片總佈局面積1.163*1.169〖mm〗^2。最後設計規格同樣為10-bit 20MS/s SAR ADC，架構改成帶冗餘位演算法，將MSB電容拆解並分配至原電容陣列中，達到電容切換速度的提升，並在栓鎖電路前加上一級前置放大器，用以降低誤差，提高比較器的精準度。使用相同製程與輸入頻率進行模擬，訊號雜訊與失真比(SNDR) 61.93 dB，有效位元數(ENOB) 9.99-bit，功耗3.024mW，品質因數(FOM) 148.7f J/

conversion-step。關鍵字：逐漸趨近式類比數位轉換器；分段式電容陣列；帶冗餘位演算法

以 2,7-雙(咔唑-9-基)-9,9-芴和雙噻吩衍生 物電沉積共聚物及其在電致變色元件的應用

為了解決k type溫度範圍的問題，作者姚力愷 這樣論述：

本篇研究分為兩個部分，第一部分使用2,7-雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲苯基芴(2,7-bis(carbazol-9-yl)-9,9-ditolylfluorene，BCDF)為主體，以電化學聚合法聚合成P(BCDF)高分子薄膜，BCDF再分別與四種雙噻吩衍生物(2,2'-bithiophene (BTP)、3,3'-dibromo-2,2'-bithiophene (DBBT)、2-(2-thienyl)furan (TF)及cyclopentadithiophene ketone (CPDTK))以進料莫耳比例為1/1於ITO玻璃基板上進行電化學聚合，分別得到P(BCDF-co-BTP

)、P(BCDF-co-DBBT)、P(BCDF-co-TF)以及P(BCDF-co-CPDTK) 四種高分子薄膜，使用電化學分析儀搭配紫外光-可見光光譜儀對高分子薄膜進行光電性質分析，分析內容包含穿透度變化、著色效率以及響應時間，從實驗結果得知，P(BCDF-co-BTP)於波長1000 nm處穿透度變化達到54.3%，著色效率為185.8 cm2 C-1，顏色變化從還原態的黃綠色轉變為氧化態的灰藍色。將上述製備的五種高分子薄膜分別作為陽極材料，以poly(3,4-(2,2-dimethylpropylenedioxy)thiophene) (PProDOT-Me2)作為陰極材料，並使用膠態

高分子電解質(PC-PMMA-LiClO4-ACN)作為陽極與陰極間的離子傳輸層，組裝成五種電致變色元件並對其進行光電性質測試，測試內容包含穿透度變化、著色效率、響應時間、光學記憶以及穩定度，經由測試結果得知P(BCDF-co-BTP)/PProDOT-Me2元件的性質最為優異，此元件於波長580 nm處時穿透度變化達到40.0%，著色效率為494.8 cm2 C-1，在光學記憶及穩定度上均有良好的表現。第二部分使用2,7-雙(咔唑-9-基)-9,9-二辛基芴(2,7-bis(carbazol-9-yl)-9,9-dioctylfluorene，BCOF)為主體，以電化學聚合法聚合成P(BCO

F)高分子薄膜，BCOF再分別與兩種雙噻吩衍生物(2,2'-bithiophene (BTP)及cyclopentadithiophene ketone (CPDTK))以不同進料莫耳比例為1/1及1/2在ITO玻璃基板上進行電化學聚合，分別得到P(BCOF-co-BTP)、P(BCOF-co-2BTP)、P(BCOF-co-CPDTK)及P(BCOF-co-2CPDTK) 四種高分子薄膜，並使用電化學分析儀搭配紫外光-可見光光譜儀對高分子薄膜進行光電性質分析，分析內容包含穿透度變化、著色效率以及響應時間，從實驗結果得知P(BCOF-co-BTP)於波長1000 nm處穿透度變化達到58.4%

，著色效率為167.1 cm2 C-1，顏色變化從還原態的卡其色變為氧化態的灰藍色。隨後將上述製備的五種高分子薄膜分別+作為陽極材料，以poly(3,4-ethylenedioxythiophene) (PEDOT)作為陰極材料，並使用膠態高分子電解質(PC-PMMA-LiClO4-ACN)作為陽極與陰極間的離子傳輸層，組裝成五種電致變色元件並對其進行光電性質測試，測試內容包含穿透度變化、著色效率、響應時間、光學記憶以及穩定度，測試結果得知P(BCOF-co-2BTP)/PEDOT元件的性質最為優異，此元件於波長640 nm處時穿透度變化達到39.7%，著色效率為449.2 cm2 C-1，在

光學記憶及穩定度上均有良好的表現。