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P3CT-Na層數對於反式鈣鈦礦太陽能電池之影響

為了解決k type熱電偶電壓的問題，作者劉世堯 這樣論述：

現今能源仍是各國必須討論的重大議題，每年需求的能源漸漸上升，進而造成無法單靠節流解決的能源議題，於是他們轉向尋找更多可使用的能源，其中對於環境負擔低的綠色能源吸引了大家的目光，太陽能電池是一種易架設且低地理環境限制的一種能源，而鈣鈦礦晶體薄膜更是其中的佼佼者，鈣鈦礦吸光材料是一種高吸光效率的有機金屬鹵化物材料，可以用低成本的溶液製備法製程。本論文研究的太陽能電池之結構為Ag/PCBM/MAPbI3/P3CT-Na/ ITO/glass。使用常溫溶液旋轉塗佈法製作反式結構鈣鈦礦太陽能電池元件，Ag與ITO分別為元件的陰極與陽極，鈣鈦礦(CH3NH3PbI3，MAPbI3)晶體薄膜為主動層，碳六

十衍生物(PCBM)與聚噻吩(P3CT-Na)分別為電子傳遞層與電洞傳遞層。P3CT-Na水溶液的濃度會影響其在基板上堆疊的層數，透過分析J-V曲線圖、吸收光譜、原子力顯微鏡、水滴接觸角、X光繞射分析儀、光激發螢光光譜儀圖譜及影像表現，我們可以了解P3CT-Na分子堆疊影響了MAPbI3晶體薄膜的成長，可以藉由控制P3CT-Na的層數來提升反式結構鈣鈦礦太陽能電池的開路電壓、電路電流密度、填充因子及效率。

光輔助電鍍鎳鉬於n型砷化鎵上作為光陽極之光電化學水分解特性分析

為了解決k type熱電偶電壓的問題，作者黃冠智 這樣論述：

本實驗使用n型砷化鎵半導體，為一個小能隙的半導體，理論上能吸收大部分的太陽能能量，在透過施加偏壓調整能帶相對於水氧化電位的位置後，能有效的將太陽能轉換至化學能。但以n型砷化鎵為光電陽極下極易腐蝕，如何將砷化鎵表面的光生電洞送至電解液便至關重要。因此本篇論文的研究方向是先分析砷化鎵在中性 (0.1M Na2SO4)、鹼性(0.1M KOH)電解液中的特性。了解其腐蝕機制、腐蝕電位和腐蝕產物，藉此分析如何有效抑制腐蝕並同時進行水分解。而後在光輔助電鍍NiMo催化劑修飾砷化鎵表面，進而提升水氧化能力並抑制光腐蝕。關鍵詞：光電化學、砷化鎵、光腐蝕、腐蝕電位、鎳鉬催化劑