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具16位元二階積分三角調變器之設計

為了解決latw19 da破解的問題，作者唐珮瑜 這樣論述：

本論文設計一個二階積分三角調變器，運算轉導放大器具有高頻寬。因為調變器的訊號雜訊失真比(SNDR)直接取決於積分器的性能，導致對運算轉導放大器的許多要求，例如足夠的直流增益和高單位增益頻率，以便調變器可以適當地處理所需頻帶內的訊號。調變器包含雜訊移頻(noise shaping)與超取樣(oversampling)的功能，能將訊號頻寬內的白雜訊(white noise)移至高頻，可以有效降低頻寬內的雜訊準位，以提升解析度。本論文先針對積分三角調變器建立系統模型，考量各種電路非理想效應的影響，並運用Matlab Simulink 的模擬環境來做系統的模擬。因製程不斷進步，選用 TSMC 0.1

8 μm CMOS 1P6M 製程技術。將所有電路的供應電壓設定為1.8 V。系統設計在5 kHz 頻寬、超取樣率為250、0.7 V 的輸入振幅，佈局前模擬到的訊號雜訊失真比(SNDR)為102.97 dB，有效位元(ENOB)為16.81 位元，功率消耗約為8.9 mW。佈局後模擬可達到的訊號雜訊失真比(SNDR)為98.78 dB，有效位元(ENOB)為16.11位元，功率消耗約為9.3mW，其晶片面積 (不包含PAD)為 0.31213 μm* 0.31769 μm，整體晶片佈局面積(包含PAD)為0.888 μm *0.88776 μm。

具變異感知的靜態電源電流測試與診斷技術

為了解決latw19 da破解的問題，作者張佳伶 這樣論述：

靜態電源電流測試一直被用來找出潛在有缺陷的晶片，因為這些晶片的量測結果超過晶片原始設計的電氣範圍。由晶片設計預先定義的臨界值沒有考慮到製程變異的影響，由早期生產的晶片中推論出來的臨界值亦無法預測未來在晶片大量生產中的各種情況。這些以臨界值為基準的靜態電源電流測試最主要的問題即是缺少了對於製程變異的掌控。所以這篇論文主要在提出考慮了變異感知的靜態電源電流測試與診斷技術。考慮變異感知的靜態電源電流測試的概念，是要移除所有在測試過程中可能的影響，例如晶片本身的製程變異，或是測試向量使用的多寡。所以，我們提出了這個考慮變異感知的靜態電源電流測試與診斷技術，其利用一個考慮製程變異的電路電流模型，來減少

晶片本身製程變異的影響。得到沒有製程變異的靜態電源電流資料後，我們便可以有效找出有缺陷的晶片，並且找出晶片內發生短路的區域。為了克服實際靜態電源電流測試法本身測試向量個 數的限制，我們亦提出了一個使用機率分布決定臨界值的分類方法。同時，我們也針對這個考慮變異感知的靜態電源電流測試與診斷技術，分析其在不同製程變異比例的能力，也分析測試向量個數及晶片個數對於此方法的影響。然而，我們發現在這個測試方法中，由測試機台上產生的量測雜訊，或是沒有考慮到的漏電流，都會影響此方法的準確度。所以我們提出設計晶片內建製程變異量測器的方式，以減少測試機台上量測雜訊的影響。因此，我們利用資料分析的方式，找出電壓源、晶

片溫度、電晶體有效通道長度以及氧化層厚度為影響晶片時脈和漏電流的製程參數。我們認為基於這四個參數所設計出的晶片內建製程變異量測器，可以對製程變異有更準確的量測，以排除測試機台量測雜訊的影響，提高具變異感知的靜態電源電流測試方法的準確度；同時，也可以針對晶片的時脈有更精確的估算。由於晶片內製程量測器在晶片內擺放的位置及數量必須依據不同的電路而各別設計，所以如何設計普遍化的晶片內製程量測器以提升變異感知的靜態電源電流測試方法的準確度，以及如何將此論文提出的具變異感知的靜態電源電流測試方法實際應用到測試機台上為此研究未來的目標以方向。