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led磊晶結構的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦羅吉宗寫的 薄膜科技與應用(第五版) 和楊子明,鍾昌貴,沈志彥,李美儀,吳鴻佑,詹家瑋,吳耀銓的 半導體製程設備技術(2版)都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自全華圖書 和五南所出版 。
國立彰化師範大學 電機工程學系 張譽鐘所指導 王韋淵的 具有均勻電流散佈之垂直發光二極體改良結構 （2021），提出led磊晶結構關鍵因素是什麼，來自於發光二極體、電流擴散密度、光電轉換效率、二維光強度影像分布量測儀。
而第二篇論文國立交通大學 電子研究所 洪瑞華所指導 蔡明峰的 覆晶式發光二極體應用於軟性基板貼合與紫外光發光機制增強之研究 （2020），提出因為有 覆晶式發光二極體、異方性導電膜、軟性基板、撓曲測試、全方位反射鏡、表面粗化的重點而找出了 led磊晶結構的解答。
薄膜科技與應用(第五版)
為了解決led磊晶結構 的問題，作者羅吉宗 這樣論述：
薄膜技術的進展和表面界面物理導入，使電子元件實現了輕薄短小，且有效控制半導體材料和固態元件之品質。坊間有多種薄膜技術叢書，但多僅闡述製作技術。本書將引導對薄膜有興趣者認識真空、電漿、長膜機制，製作高品質薄膜的要件，薄膜品質之鑑定和薄膜製作技術如何改善電子元件功能等。本書前四章介紹薄膜沉積所用到的真空、電漿、熱力、動力等薄膜生長機制；第五、六章介紹高品質薄膜對元件電性之影響；第七、八章說明量測薄膜特性之技術與原理。是一本適合大學、科大機械、電機、化工、材料系三、四年級「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。 本書特色 1.薄
膜是實踐電子元件輕薄短小、低損耗能量之關鍵技術，使固態電子產品之進步發展得以靈活設計及精確控制其品質。 2.薄膜技術涉及多門學科領域，本書將薄膜的應用與製作薄膜所用到的真空技術、熱力、電漿科技皆有所涵蓋。 3.本書內容共為八章，前四章介紹薄膜製作技術所用到的各種裝備與物理機制，第五、六章說明如何製作高品質薄膜和薄膜品質對元件電性的影響，第七、八兩章說明量測薄膜特性的各種技術與原理。 4.適合大學、科大機械、電機、化工、材料系「薄膜技術」、「薄膜工程」課程使用，也適合從事微電子技術之產業界的專業人員使用。
具有均勻電流散佈之垂直發光二極體改良結構
為了解決led磊晶結構 的問題，作者王韋淵 這樣論述：
本篇論文中，我們研究了 Y 形結構LED和新型垂直結構 LED 在不同波長下的電流擴散密度和近場光強度分佈。選擇五個波長的LED進行比較：深紫外光（D:365 nm~375 nm）、紫外光（U:380 nm~400 nm）、紫光（V:420 nm~430 nm）、藍光（B:440 nm~460 nm）、綠光（G:520 nm~530 nm）。雖然新結構在所有波長都表現出比Y型結構LED優異的電流擴散密度和近場光強度分佈，但我們發現不同波長時的光強度下降比例不同所以電流擴散能力是不同的。本實驗利用導電涵孔的不同Layout設計，研究不同波長的新型LED在不同Layout設計中研究及探討各別不同
波長LED的電流擴散密度、光電特性及光電轉換效率。設計內容大約分為兩大類，分別是最密堆積排列及規則排列，再細分為不同大小的導電涵孔及導電涵孔數量，並找出適合各別不同波長LED最佳光電轉換效率的Layout設計。關鍵詞：發光二極體、電流擴散密度、光電轉換效率、二維光強度影像分布量測儀。
半導體製程設備技術(2版)
為了解決led磊晶結構 的問題，作者楊子明,鍾昌貴,沈志彥,李美儀,吳鴻佑,詹家瑋,吳耀銓 這樣論述：
半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silic
on Wafer)基底材料(Substrate) 。 在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。
覆晶式發光二極體應用於軟性基板貼合與紫外光發光機制增強之研究
為了解決led磊晶結構 的問題，作者蔡明峰 這樣論述：
本論文以覆晶式發光二極體為主軸分成兩個主題。其中一個是開發異方性導電膜(ACF)貼合技術並應用於小尺寸的發光二極體貼合在軟性基板上。首先，我們會以不同密度的ACF膠貼合後，分析其電性變化。接著將軟性基板做撓曲測試並分析其電性變化。另一個主題是分別製做全方位反射鏡與表面粗化於高功率的UVC LED上並量測其光功率變化。以不同密度之ACF膠貼合後，發現以密度6000 pcs / mm2之ACF膠貼合小尺寸的發光與其電路，其不但貼合成功率最高且能維持良好的電性。元件經由100000次撓曲測試後，仍然可以導通。雖然元件的順向偏壓增加了3.4 % 與光強度下降3.6 %，但其依然維持良好的電性。另一主
題為高功率UVC LED上製做全方位反射鏡與表面粗化之研究，全方面反射鏡方面，具全方位反射鏡UVC LED光功率增加僅有約10%。此數值不高的原因是其磊晶結構最上層有長一層約30 nm的p-GaN披覆層。當紫外光經由全方位反射鏡反射出光時，此紫外光會穿過p-GaN層兩次。由於p-GaN會吸收紫外光，因此元件在製做全方位反射鏡後光功率變化不大。元件表面粗化方面，UVC LED 光功率增加僅有約8 %，且隨著發光面粗化之蝕刻深度增加，光輸出功率有增加的趨勢。然而藍寶石基板也會吸收深紫外光，這使得輸出光功率增強有限。由此可見，在增加紫外光之光強度上還是一項挑戰。