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MakeCode Blocks程式設計最佳範本 -使用micro:bit - 最新版 - 附MOSME行動學習一點通：影音.加值

為了解決led限流電阻計算的問題，作者李春雄 這樣論述：

　　1. 循序漸進介紹 micro:bit 開發板，引導讀者輕鬆控制硬體，增加學習成就感。 　　2. 利用「圖塊程式積木」控制開發板，不用「寫」程式，也能輕鬆訓練邏輯思維。 　　3. 完整的程式設計範例，讓讀者從「邏輯思維」能力提昇至「解決問題」能力。

Arduino手機互動程式設計基礎篇

為了解決led限流電阻計算的問題，作者曹永忠,許智誠,蔡英德 這樣論述：

　　在克里斯．安德森（Chris Anderson）所著「自造者時代：啟動人人製造的第三次工業革命」提到，過去幾年，世界來到了一個重要里程碑：實體製造的過程愈來愈像軟體設計，開放原始碼創造了軟體大量散布與廣泛使用，如今，實體物品上也逐漸發生同樣的效應。網路社群中的程式設計師從Linux作業系統出發，架設了今日世界上絕大部分的網站（Apache WebServer），到使用端廣受歡迎的FireFox瀏覽器等，都是開放原始碼軟體的最佳案例。   　　現在自造者社群（Maker Space）也正藉由開放原始碼硬體，製造出電子產品、科學儀器、建築物，甚至是3C產品。其中如Arduino開發板，銷售

量已遠超過當初設計者的預估。連網路巨擘Google Inc.也加入這場開放原始碼運動，推出開放原始碼電子零件，讓大家發明出來的硬體成品，也能與Android軟體連結、開發與應用。 　　 　　目前全球各地目前有成千上萬個「自造空間」（makerspace）─光是上海就有上百個正在籌備中，多自造空間都是由在地社群所創辦。如聖馬特奧市（SanMateo）的自造者博覽會（Maker Faire），每年吸引數10萬名自造者前來朝聖，彼此觀摩學習。但不光是美國，全球各地還有許多自造者博覽會，台灣一年一度也於當地舉辦Maker Fair Taiwan，數十萬的自造者（Maker）參予了每年一度的盛會。 　　

　　本系列「Maker系列」由此概念而生。面對越來越多的知識學子，也希望成為自造者（Make），追求創意與最新的技術潮流，筆著因應世界潮流與趨勢，思考著「如何透過逆向工程的技術與手法，將現有產品開發技術轉換為我的知識」的思維，如果我們可以駭入產品結構與設計思維，那麼了解產品的機構運作原理與方法就不是一件難事了。更進一步我們可以將原有產品改造、升級、創新，並可以將學習到的技術運用其他技術或新技術領域，透過這樣學習思維與方法，可以更快速的掌握研發與製造的核心技術，相信這樣的學習方式，會比起在已建構好的開發模組或學習套件中學習某個新技術或原理，來的更踏實的多。 　　 　　本系列的書籍，因應自造者運

動的世界潮流，希望讀者當一位自造者，將現有產品的產品透過逆向工程的手法，進而了解核心控制系統之軟硬體，再透過簡單易學的Arduino單晶片與C語言，重新開發出原有產品，進而改進、加強、創新其原有產品的架構。如此一來，因為學子們進行「重新開發產品」過程之中，可以很有把握的了解自己正在進行什麼，對於學習過程之中，透過實務需求導引著開發過程，可以讓學子們讓實務產出與邏輯化思考產生關連，如此可以一掃過去陰霾，更踏實的進行學習。 　　 　　作者出版了許多的Arduino系列的書籍，深深覺的，基礎乃是最根本的實力，所以回到最基礎的地方，希望透過最基本的程式設計教學，來提供眾多的Makers在入門Ardui

no時，如何開始，如何攥寫自己的程式，主要的目的是希望學子可以學到程式設計的基礎觀念與基礎能力。作者們的巧思，希望讀者可以了解與學習到作者寫書的初衷。

應用於非揮發性記憶體內運算架構之高速雙位元全電壓值域感測放大器

為了解決led限流電阻計算的問題，作者高暉曜 這樣論述：

近年來，隨著行動裝置和物聯網的發展比以往更加盛行，對於非揮發性記憶體的要求與日俱增。目前主流的非揮發性記憶體為快閃記憶體(FLASH)，其具有成本低、容量大的特性而被大眾廣泛使用。然而，由於快閃記憶體需要高寫入電壓，且在製程微縮上遇到許多問題而陷入了瓶頸，因此開始拓展下世代的非揮發性記憶體(ReRAM, STT-MRAM, ...等)。相比傳統的快閃記憶體，下世代非揮發性記憶體可以使用較低的電壓來寫入、較快的讀取速度、較小的面積、並且具有邏輯製程相容性，這些優點使非揮發性記憶體比快閃記憶體更適合應用於內嵌式裝置。又隨著深度學習和物聯網的發展，需要計算的資料量隨著神經網路的複雜度而上升，然而，

傳統的范紐曼架構(Von Neumann)讓大多數的時間浪費在處理器和記憶體間的資訊搬運，兩者間的帶寬限制造成了運算速度的瓶頸。所以，近年來開始提出記憶體內運算(CIM)來解決這個問題，這使得需要傳輸的資訊是經過計算後的，減少資訊的搬移，進而提升處理效率，並搭配上非揮發性記憶體的特性，使得非揮發性記憶體內運算更適合運用在行動裝置和物聯網。本碩士論文會探討非揮發性記憶體內運算所面臨之挑戰，並提出一個電壓感測放大器去解決這些問題，主要面臨的挑戰有下面兩個:1. 隨著網路的複雜度提升，為了提高準確度，多位元的輸入和權重是必須的。然而隨著輸出的位元數上升，非揮發系性記憶體內運算架構需要更長的時間

來完成，操作的速度因此下降。2. 在有限的電壓下，傳統的電壓感測器並不能在低於臨界電壓的部分做正常的操作，因此不同累加值之間的感測裕度降低，讀取的良率也會跟著降低。因此在此篇論文中提出一個電壓感測放大器，可以在一個操作區間內，產生連續兩位元的輸出，分別是00、01、10、11的值。提出的電壓感測放大器的時間比傳統的電壓感測放大器少48% ~ 52%，且在記憶體內運算巨集的時間比使用傳統的電壓感測放大器快27% ~ 39%。並且提出的電壓感測放大器支援全值域的電壓感測，使得在做非揮發性記憶體內運算時的感測裕度可以放大。同時具有製程變異消除和放大感測裕度的機制來在小的感測裕度也有較高的良率。

傳統的電壓感測放大器在不同的共模電壓下能夠容忍的小偏壓電壓量也不同，而提出的電壓感測放大器能夠容忍1.76 ~ 2.91倍的小偏壓電壓量，且在不同的共模電壓下能夠容忍的小偏移電壓量很穩定。我們以容量為4Mb的電阻式記憶體來實現記憶體內運算，使用台積電22奈米製程。在正常操作電壓0.8V，量測提出的兩位元輸出電壓感測放大器速度為1.36ns而傳統的電壓感測放大器為1.24ns。應用在記憶體內運算架構八位元輸入和八位元權重的速度，輸出八位元可以達到14.8奈秒。