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1.聚4-乙基吡啶/氧化石墨烯奈米複合材料之 製備及性質研究並應用於Micro LED製程方面 2.奈米纖維素/氧化石墨烯奈米複合材料之製備及其性質研究

為了解決micro led巨量轉移的問題，作者王柏鈞 這樣論述：

　　第一部分，開發了一種聚4乙基吡啶(Poly(4-Vinylpyridine), P4VP)/氧化石墨烯(Graphene Oxide, GO)的奈米複合材料，利用乳化聚合方式聚合P4VP/GO奈米複合材料，其中添加利用Improved Hummers方法製備可在水相中具有良好分散性的GO，然後與P4VP進行原位乳化聚合反應，利用P4VP上的N原子與GO上的羥基、羧基產生分子間氫鍵，使GO能良好分散在P4VP高分子基材中，以製備出一系列P4VP /GO的奈米複合材料。　　而後利用傅立葉轉換紅外線光譜儀(FT-IR)與X-ray繞射儀(XRD)進行奈米複合材料的結構分析，並通過掃描式電子顯微

鏡(SEM)及穿透式電子顯微鏡(TEM)鑑定氧化P4VP/GO奈米複合材料的形貌，也使用熱重損失分析儀(TGA)及差示掃描熱分析儀(DSC)研究複合材料的熱穩定性，並且也利用TGA及接觸角鑑定材料的含水量，此外也參考ASTM測試方法，利用萬能拉力機測定材料對玻璃基板的附著力，鑑定其作為轉移膠使用的性質評估。　　最後嘗試將P4VP/GO奈米複合材料配置成膠體，實際運用於巨量轉移翻貼製程上，希望能達到輕鬆黏附Micro LED晶粒也能良好脫膜的效果，提供巨量轉移技術一項新的想法　　而於第二部分中，同樣製備奈米纖維素(Cellulose Nanofiber, CNF)/氧化石墨烯(Graphene

Oxide, GO)的奈米複合材料，預期利用纖維素上的羥基官能基與GO上的羥基、羧基及環氧基產生分子間氫鍵，來有效的將GO分散於纖維素之間，並通過添加不同比例的GO含量，製備出一系列奈米纖維素/氧化石墨烯的奈米複合材料。　　而後同樣利用傅立葉轉換紅外線光譜儀(FT-IR)與X-ray繞射儀(XRD)進行奈米複合材料的結構分析，並通過掃描式電子顯微鏡(SEM)及穿透式電子顯微鏡(TEM)鑑定CNF/GO奈米複合材料的形貌，也使用熱重損失分析儀(TGA)、動態力學分析儀(DMA)及研究複合材料的機械特性，並且也利用TGA及接觸角鑑定材料的含水量。　　最後也將此材料嘗試用到巨量轉移製程方面，希望提供

一種更經濟的方法，但結果顯示此系統之翻貼率不佳，對晶片附著性仍需改進。

具壓阻式力量感測器之CMOS-MEMS靜電式轉移頭

為了解決micro led巨量轉移的問題，作者蔡天文 這樣論述：

因應各種可攜式電子產品的出現，人們對顯示器之顯示品質的要求越來越高，隨著顯示器被應用在智慧手錶、智慧型手機等等螢幕較小的產品上，顯示器的功耗問題也漸漸被人們重視，因此，各大廠商開始爭相投入微型發光二極體Micro LED(Micro Light-Emitting Diode)的研發，相較於傳統的薄膜電晶體液晶顯示器TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)與現今廣泛使用的有機發光二極體OLED(Organic Light-Emitting Diode)，Micro LED所消耗的功耗更低，且壽命更長，反應時間也更快，且繼承了OLE

D自體發光的特性，不需要設置額外背光源即可發光。但在製造上，需要考慮到巨量轉移(Mass Transfer)時的成本以及良率問題，使得現今Micro LED無法成功商品化，並且現今較廣泛使用在巨量轉移的靜電式吸取頭會因為轉移面積的微縮導致靜電力下降，本研究提出利用CMOS-MEMS製程平台小線寬以及多膜層堆疊的優勢，設計具選擇性吸取功能之靜電式轉移頭，並整合壓阻式力量感測器，感測轉移時施加在Micro LED晶粒上的力，以此避免晶粒受損，使轉移的良率提高，並且透過批量轉移降低製作Micro LED顯示基板之成本。