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逢甲大學 材料科學與工程學系 何主亮所指導 張家銘的 多陰極氣流濺鍍源及製程開發 （2020），提出miniature cold plate關鍵因素是什麼，來自於氣流濺鍍、中空陰極、多陰極。
而第二篇論文國立臺北科技大學 能源與冷凍空調工程系 鄭鴻斌所指導 鍾政汶的 熱電晶片應用於高效能運算2U伺服器散熱性能之研究 （2020），提出因為有 熱電晶片、電子散熱、伺服器冷卻的重點而找出了 miniature cold plate的解答。
多陰極氣流濺鍍源及製程開發
為了解決miniature cold plate 的問題，作者張家銘 這樣論述：
氣流濺鍍(Gas flow sputtering, GFS)最早於1987年由日本宇都宮大學的石井清(Kiyoshi Ishii)教授所研發，其關鍵技術乃藉由中空陰極放電(Hollow cathode discharge, HCD)原理，再搭配一惰性氣體氣流將狹縫內之高密度電漿物種吹出至基材以進行薄膜沉積。基於GFS之特殊機構設計，因此其具有高離化率、高薄膜沉積速率、高繞鍍性、低溫製程、薄膜結構具高度可調性、低真空需求及低靶材毒化特性的多項優點，而成為備受矚目的新興真空薄膜沉積技術。本研究室現擁有全世界第一台捲對捲GFS系統，其裝載之濺鍍源乃由Fraunhofer IST所引進之單陰極矩形靶
架構。然而，縱使GFS之薄膜沉積速度已遠高於傳統磁控濺鍍(10倍以上)，但如何於有限設備空間及成本條件下，進一步提升薄膜沉積面積及均勻性以達大面積連續生產，將是未來導入至商業量產非常重要的一環。為此，本研究乃自行開發一具有三組HCD裝置並聯之多陰極氣流濺鍍(Multi-cathode gas flow spuuering, MC-GFS)源；此外，搭配接地遮蔽罩之使用，可使此濺鍍源具有單陰極、雙陰極或三陰極之使用模式。與單陰極GFS濺鍍源相比，在相同製程參數下，MC-GFS所得銅金屬薄膜之有效沉積幅寬可增加3倍，且鍍膜生長速度可達70 nm/min。此外，藉由調整三個HCD裝置之氣流分量及靶材
材料配置，可以進一步調整所得薄膜之厚度分布及進行合金化薄膜之製備。以上結果足以證實此MC-GFS具有高度之製程彈性。為此，本研究開發成果–MC-GFS及其製程已具有準備銜接產業界於量產化設備之高度潛力。
熱電晶片應用於高效能運算2U伺服器散熱性能之研究
為了解決miniature cold plate 的問題，作者鍾政汶 這樣論述：
隨著科技進步，中央處理器(Central Processing Unit, CPU)體積縮小效能越高，但相對而來是在運算時所產生的發熱量，常見的空氣冷卻、水冷卻散熱方式，逐漸無法滿足需求，本研究會先利用文獻回顧找到可行的熱電晶片散熱方法，並且應用於電子元件散熱，分別有熱電晶片製造冷風以冷卻CPU、熱電晶片製冷水以達到CPU降溫、熱電晶片透過銅板冷卻CPU，再透過實際的實驗驗證，發現熱電晶片透過銅板冷卻CPU的效果最佳。而熱電晶片透過銅板冷卻CPU是利用熱電晶片放置在CPU上，使熱電晶片的冷面間接接觸CPU，達到散熱目的。但是在滿足高效能運算的CPU需要用更高瓦數的熱電晶片做冷卻，此時目前市面
上沒有專門做熱電晶片散熱用的散熱系統，所以本研究為了滿足高瓦數熱電晶片做散熱，開發出一款專門給熱電晶片散熱的水冷系統，並應用於2U伺服器，並把整套系統應用於高效能2U伺服器內。