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圖解古埃及象形文字

為了解決mos輪框的問題，作者RuthSchumann-Antelme 這樣論述：

　　～古埃及象形文破譯字典～ 　　對於尼羅河流域的古代居民來說，形象等同於現實， 　　只要象形文字還活著，古埃及文明就能綿延不朽。   　　古埃及的人民以象形文字作為心靈的具體表達， 　　用雕刻、描繪或陶刻等方式， 　　在神殿、宮殿和陵墓等紀念物上，詳述開天闢地的完整歷史。 　　在越加著重圖像化的現代，當人們凝視聖書體， 　　仿若能返還閃耀黃金色澤的尼羅河畔，傾聽法老與神祇訴說金字塔的緣起。 　　《圖解古埃及象形文字》書中象形文字的輪廓和比例，嚴格遵循古代範本， 　　其中一部分的魅力，在於訴說象形文字的「藝境」，以及「語義評述」。 　　●古埃及人以「水井」類比「子宮」，也意諭所有生命皆來

自於水。 　　●「鵜鶘」有「進入」含義，此鳥會不請自來，而能自由出入居家的密友，無疑也是「進入到我們心裡的人」。 　　●「掃帚」可用來指實質和比喻上的「清掃」，或「掃除障礙」，與軍隊、武器和傷亡慘烈的戰事有關。 　　書中分為四個主要部分，依序討論： 　　①單音節表音符號 　　②雙音節表音符號 　　③三音節表音符號。 　　④隨意挑選出的字彙。 　　你能將所學到的字任意拼湊，發掘字符形色萬千的新組合， 　　他們或有令人意外的語義關聯，或有若干為出人意表的同音逸趣。 　　當理解其意後，你就能以象形文字實際書寫， 　　喚醒體內經過幾世輪迴的古埃及聖靈。 　　書中在每個字彙上方，列有發音說明、一個或

數個翻譯， 　　以及使用國際規則與符號的轉寫，為這個象形符號注入新活力。 　　整部作品是一項實驗，探討埃及文明獨特語言的聲音和形態， 　　以及兩者之間的和諧性，並引領讀者融入埃及人神祕的思維路徑。 　　「斯芬克斯」將會從旁提供必要的字彙，帶領我們認識這古老語言的豐富性。 　　而掌管秩序、平衡的「瑪特女神」，則會一路護衛我們在穿越的道途中不致迷失。 　　這些非凡的埃及文字，揭露我們今日依然關懷的主題： 　　【環境、生命、存續和來世之間的平衡、個體在社會中的位置。】 　　但願透過此書返還埃及的旅者，能汲取文字中透露的信念， 　　從這些深刻的議題中，重拾古老靈魂的想望。 本書特色 　　◎建立古

埃及文與現代對應的發音體系： 　　將象形文字與中文、西方字母建立對應關聯，表達符號的正確意義和發音。 　　◎單音～三音節順排，方便查找抄寫： 　　依序討論單音節表音符號、雙音節表音符號和三音節表音符號，最後附錄所有符號總結表。 　　◎版面編排充分維護古埃及文的藝術性： 　　基於平衡原則設置文字大小，呈現圖像的藝術價值，領略古埃及人造字之獨具匠心。  

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Ta-Si-C非晶質擴散阻障應用於銅製程之特性研究

為了解決mos輪框的問題，作者蘇武加 這樣論述：

在超大型積體電路連導線製程應用，銅具備低電阻與較佳之抗電致遷移能力，故以銅做為金屬連接導線是必然的趨勢。但為解決銅與矽基材間相互擴散的問題必須在銅與矽間沉積上具有低電阻係數、高熱穩定性及良好界面附著性的擴散阻障層以防止銅與矽反應。Ta-Si-N 熱穩定性可達900oC/ 1hr，但其電阻率達800μΩ-cm，且由於使用反應性氣體，故製程再現性欠佳。故本研究以直流磁控濺鍍法製備Ta-Si-C使用C 取代N 增加製程穩定性並期以應用於銅連線的阻礙層。Ta-Si-C 薄膜使用不同氣體進行電漿改質，探討Ta-Si-C 薄膜的相變化及熱穩定性。之後將薄膜進行熱處理，並藉由四點探針(FPP)、X 光繞射

分析儀(XRD)、穿透式電子顯微鏡(TEM)分析薄膜特性。本研究並探討如何減少Ta-Si-C薄膜應用於銅製程中擴散阻礙層所造成Ta-Si-C(O)x氧化層，並分別進行Ar+H2及Ar+N2兩種氣體的電漿表面改質Ta-Si-C薄膜，接著製備Cu/Ta-Si-C/Si結構。結果顯示以Ar+H2及Ar+N2兩種氣體的電漿改質Ta-Si-C薄膜相對於未經電漿改質Ta-Si-C薄膜有較佳的效果。由結構分析顯示使用Ar+N2及Ar+H2兩種氣體的電漿改質Ta-Si-C薄膜初鍍膜初為非晶質，薄膜的電阻率分別為400μΩ-cm、372μΩ-cm與361μΩ-cm。隨著熱處理溫度的增加，Ar+N2與Ar+H2電

漿表面改質薄膜在700oC時TaSi2有微晶的現象產生，而使用Ar+N2電漿表面改質薄膜則在750oC才有結晶的現象產生。使用Ar+H2電漿表面改質可有效使薄膜變得更緻密並降低電阻率；結果顯示Ta-Si-C合金薄膜經Ar+N2氣氛下表面改質可改善Ta-Si-C薄膜的熱穩定性，並將此製程應用於銅製程作為擴散阻礙層， Cu/Ta-Si-C(5nm)/Si結構使用Ar+H2進行電漿表面改質薄膜的熱穩定性到達750℃/1 min，Cu/Ta-Si-C(5 nm)/Si結構使用Ar+N2進行電漿表面改質薄膜的熱穩定性到達800℃/1 min，結果顯示使用Ar+N2進行電漿表面改質可提升薄膜的熱穩定性。

柔軟的力量（增訂版）：我選擇逆流而行，重新連結台灣與全世界

為了解決mos輪框的問題，作者邱月香 這樣論述：

台灣雖然與全世界都有網路相連，在實際的國際關係上卻處處斷線。 邱月香，出身清苦卻一路奮鬥成為國際 WITSA 聯盟的首位台灣主席， 她正努力帶著一條看不見的網路線，將台灣與世界重新連接上線。 不服輸的柔韌，是誰也無法擊倒的剛強！ 宏碁集團創辦人／智榮基金會董事長　施振榮 宏碁資訊服務股份有限公司董事長　萬以寧 巨匠電腦董事長　鍾梁權 權威通訊事業總經理　許美麗 亞美尼亞Ucom, IUnetworks聯合創辦人　Alexandr Yesayan ──專文推薦   台灣科技產業的傳奇女子 抱持「別人可以，我也一定行！」的堅毅態度 貫徹「不達目的，絕不罷休」的不服輸精神 最具韌性的女力，以不畏艱

難的心態改變世界 她是WITSA（世界資訊科技暨服務業聯盟）第一位來自台灣的主席， 也是中華軟體協會第一位女性理事長， 以「科技外交、整合行銷」成功地讓台灣被世界看見。 出身清苦的客家家庭，沒有資金、沒有人脈， 有的，只是一路拚搏的勇氣。 自學英文，隻身闖蕩美國，遇到墨西哥毒梟也臨危不亂， 為弱勢孩子創造翻身的機會，熱心公益，甚至遠赴印度， 抱著為台灣奉獻的信念，讓她即使遭遇打壓， 仍目光炯炯、驕傲地為國發聲。 靠著這股硬頸精神串起各方連結與支持，終致躍上國際舞台。 她，是邱月香，是台灣的女兒， 這位愈打壓愈堅毅的超級女客， 穩穩地為台灣開啟串連世界的大門。 作者簡介邱月香邱月香中華軟

體協會第一位女性理事長WITSA 世界資訊科技與服務聯盟第一位來自台灣的主席邱理事長多年來一直關注台灣資訊軟體產業，帶領著翊利得資訊獲得微軟 MOS 的證照考試，全球最佳伙伴的榮譽，更連續14年帶隊前往美國參加世界盃電腦應用技能競賽，2009 年至今連續六年勇奪七座世界冠軍。在各項公共事務上同樣積極參與，榮任中華民國資訊軟體協會理事長，提出三大使命：為人民──提升民眾資訊應用力、為產業──改善資訊服務業環境、為國家──強化國家競爭力。更爭取到世界資訊科技大會（World Congress on Information Technology, WCIT）2017 年於台灣舉辦，期望能帶動台灣相關

產業發展。同時亦擔任台北市產業發展獎勵及補助審議委員會委員，力促中小企業蓬勃發展，不遺餘力，全心關注台灣產業環境。● 經歷WITSA 世界資訊科技與服務聯盟主席行政院顧問中華民國資訊軟體協會理事長翊利得資訊科技有限公司董事長ASOCIO 亞洲大洋洲資訊服務業組織副會長行政院國家資訊通信發展推動小組民間諮詢委員會委員相關著作:《柔軟的力量：我選擇逆流而行，重新連結台灣與全世界》 緣起 推薦序 創新、突破、開創新局，為台灣創造新價值　宏碁集團創辦人／智榮基金會董事長　施振榮 我眼中的邱月香──展現包容力、真誠感染國內外人士　宏碁資訊服務股份有限公司　萬以寧董事長專訪 我認識的邱月香──跳脫框架的

首位女性中華軟協理事長　巨匠電腦　鍾梁權董事長專訪 我所認識的邱月香—不斷為台灣出力奔波的軟協理事長　權威通訊事業（股）總經理　許美麗 Ms. Chiu’s exemplary leadership, and countless achievements　亞美尼亞Ucom, IUnetworks聯合創辦人　Alexandr Yesayan   第一章 初見 出席聯合國會議的科技女董座 WITSA台北辦公室 初次接觸 紳士學院──老闆們的電腦教室 推廣電腦教育引起中華軟協注意 第二章 「香」自苦寒來 貧困淬礪出的超級女「客」 客家背景：慈母嚴父 回首前塵──理髮院裡的辛酸往事 西方文化的衝擊與洗

禮 在台經營貿易公司，開啟出國契機 初生之犢不畏虎，單槍匹馬闖美國 臨危不亂──拒絕墨西哥毒梟 異國Twin sister Linda Reisman 闖蕩德州，事業有成 第三章 翻轉教育 全額資助清貧孩子出國摘金 懷抱初心，回饋鄉里 從地方到中央：舉辦全國電腦繪圖比賽 國際接軌：強化電腦教育 連續七年，共獲九座世界冠軍 We are from Taiwan. Not China! 愈慈悲心裡愈平靜 第四章 資安教母 不計心力推動資安立法 資安教母：連結駭客與政府的橋梁 有請FBI演講，全力宣導資安 熱血駭客的理想與現實 成為阿碼科技的天使投資人 資訊力即國力，資安即國安 第五章 活躍社交與溫

柔心靈 會見達賴──慈悲與智慧之旅 扶輪社團體研究交換 與卡特總統的插曲 認真：唯一兩任的GSE團長 溫柔心靈，擇善固執 人道關懷，振臂一呼 印度做公益，根除小兒麻痺 慈悲救人要TAKE ACTION！ 第六章  WITSA主席之路 從CISA到WITSA鏈結台灣與世界 軟體產業首位女性理事長 前瞻思維、跨業合作 WITSA前主席慧眼識英雌 女力崛起：當選WITSA主席 改變章程，爭取WCIT在台灣舉行 為台灣發聲，朝野上下一心 WCIT 2017在台灣 弭平數位落差：從台灣到全世界 第七章 鳳凰展翅 前進聯合國 為台灣爭取一席之地──聯合國的WITSA女主席 聯合國早餐會──久違的台灣代表

飛翔──台灣的女兒 Soft Power is Changing the World

Ta-Si-C 非晶質擴散阻障應用於銅製程之特性研究

為了解決mos輪框的問題，作者蘇武加 這樣論述：

在超大型積體電路連導線製程應用，銅具備低電阻與較佳之抗電致遷移能力，故以銅做為金屬連接導線是必然的趨勢。但為解決銅與矽基材間相互擴散的問題必須在銅與矽間沉積上具有低電阻係數、高熱穩定性及良好界面附著性的擴散阻障層以防止銅與矽反應。Ta-Si-N 熱穩定性可達900oC/ 1hr，但其電阻率達800μΩ-cm，且由於使用反應性氣體，故製程再現性欠佳。故本研究以直流磁控濺鍍法製備Ta-Si-C使用C 取代N 增加製程穩定性並期以應用於銅連線的阻礙層。Ta-Si-C 薄膜使用不同氣體進行電漿改質，探討Ta-Si-C 薄膜的相變化及熱穩定性。之後將薄膜進行熱處理，並藉由四點探針(FPP)、X 光繞射

分析儀(XRD)、穿透式電子顯微鏡(TEM)分析薄膜特性。本研究並探討如何減少Ta-Si-C薄膜應用於銅製程中擴散阻礙層所造成Ta-Si-C(O)x氧化層，並分別進行Ar+H2及Ar+N2兩種氣體的電漿表面改質Ta-Si-C薄膜，接著製備Cu/Ta-Si-C/Si結構。結果顯示以Ar+H2及Ar+N2兩種氣體的電漿改質Ta-Si-C薄膜相對於未經電漿改質Ta-Si-C薄膜有較佳的效果。由結構分析顯示使用Ar+N2及Ar+H2兩種氣體的電漿改質Ta-Si-C薄膜初鍍膜初為非晶質，薄膜的電阻率分別為400μΩ-cm、372μΩ-cm與361μΩ-cm。隨著熱處理溫度的增加，Ar+N2與Ar+H2電

漿表面改質薄膜在700oC時TaSi2有微晶的現象產生，而使用Ar+N2電漿表面改質薄膜則在750oC才有結晶的現象產生。使用Ar+H2電漿表面改質可有效使薄膜變得更緻密並降低電阻率；結果顯示Ta-Si-C合金薄膜經Ar+N2氣氛下表面改質可改善Ta-Si-C薄膜的熱穩定性，並將此製程應用於銅製程作為擴散阻礙層， Cu/Ta-Si-C(5nm)/Si結構使用Ar+H2進行電漿表面改質薄膜的熱穩定性到達750℃/1 min，Cu/Ta-Si-C(5 nm)/Si結構使用Ar+N2進行電漿表面改質薄膜的熱穩定性到達800℃/1 min，結果顯示使用Ar+N2進行電漿表面改質可提升薄膜的熱穩定性。