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國立虎尾科技大學 光電工程系光電與材料科技碩士在職專班 陳文瑞所指導 王冠文的 電熱式製程尾氣處理設備用電節能之探討 (2020),提出nf3溫室氣體關鍵因素是什麼,來自於尾氣處理設備、節電、三氟化氮。

而第二篇論文國立虎尾科技大學 光電工程系光電與材料科技碩士在職專班 陳文瑞所指導 李建霖的 半導體製程特氣氧化亞氮的裂解效率優化 (2020),提出因為有 尾氣處理設備、氮氧化物、氧化亞氮的重點而找出了 nf3溫室氣體的解答。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了nf3溫室氣體,大家也想知道這些:

電熱式製程尾氣處理設備用電節能之探討

為了解決nf3溫室氣體的問題,作者王冠文 這樣論述:

本論文研究電熱式製程尾氣處理設備用電節能之探討,近年來半導體產業發展在台灣成為主要經濟發展項目之一,然而隨著製程需求一些溫室氣體的使用量也不斷提升,為了維持永續發展的目的,製程尾氣處理設備的使用率也將逐步提升。目前製程尾氣處理設備技術以電熱式設備居多。電熱式設備在使用上相對於燃燒式設備來說相對安全,但為了維持高溫的工作溫度,設備的用電量在長時間運轉下,將會帶來可觀的用電成本,然而台灣每年用電需求不斷提高,對於節能用電已變成產業發展需要注重的課題。本研究之目的,以現有電熱式製程尾氣處理設備進行改良優化,除了修改主腔體進行測試外,並於主腔體內外加裝耐熱保溫材料,藉此降低腔體內溫度流失,讓加熱棒不

必維持高輸出加熱狀態,以減少用電量,並且嘗試在保溫腔體內處理NF3氣體時,降低其工作溫度後,是否能保持同樣的處理效率,因此實驗目的以達到節能用電同時兼顧設備處理NF3氣體時的處理效率為目標,降低製程尾氣處理設備使用成本,提高處理效能,讓尾氣處理設備更普遍被半導體產業採用,以減少溫室氣體排放。

半導體製程特氣氧化亞氮的裂解效率優化

為了解決nf3溫室氣體的問題,作者李建霖 這樣論述:

本研究主要開發一裂解半導體尾氣N2O(氧化亞氮)之設備,旨在降低N2O的排放量,此氣體為導致全球暖化,造成臭氧層破洞的溫室氣體之一,破壞力是二氧化碳的200~300倍,因為該氣體占全球人造溫室氣體排放量大約6%,這是件不容小覷的事。一般商用上用於處理製程尾氣PFC( perfluorinated compound)系列的設備以燃燒式及電熱式技術為居多,燃燒式處理溫度多為1200℃,運轉成本較高,電熱式處理溫度多為700~800℃之間,運轉成本較低,處理N2O之尾氣需讓腔體長效性保持1050℃的高溫,本研究係透過從設備腔體的整體改造,提升保溫效率,將N2O氣體進行結構熱裂解,使其對環境不再造成

危害,可安心排放。實驗過程中使用FTIR與MOUDI10階衝擊器進行N2O裂解效率量測與追蹤,並評估機台用電效率。藉由此研究實驗優化裂解效率,使台灣半導體產業蓬勃發展,同時兼顧友善環境。