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明志科技大學 電子工程系碩士班 畢少強所指導 錢冠宇的 高功率脈衝磁控濺鍍摻雜鈦之氮化銅薄膜顯微結構研究與應用 （2020），提出power pure sc 13吋關鍵因素是什麼，來自於Cu3N薄膜、高功率脈衝磁控濺鍍+直流磁控混和電源、銅離子感測、I-V曲線、Ti共摻雜Cu3N薄膜、鈦含量、光感測。

而第二篇論文國立臺灣科技大學 材料科技研究所 林舜天、洪儒生所指導 林欽山的 大型高純度氧化鋁物件製程與其在NF3/Ar電漿蝕刻行為 （2008），提出因為有 電漿、蝕刻、氧化鋁的重點而找出了 power pure sc 13吋的解答。

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除了power pure sc 13吋，大家也想知道這些：

高功率脈衝磁控濺鍍摻雜鈦之氮化銅薄膜顯微結構研究與應用

為了解決power pure sc 13吋的問題，作者錢冠宇 這樣論述：

本研究在室溫下採用高功率脈衝磁控(HiPIMS)電源及直流磁控電源(DCMS)混合共沉積p型Cu3N摻雜Ti薄膜，其中Cu靶採用HiPIMS電源而Ti靶採用DC電源。由於HiPIMS能提高濺鍍金屬原子之離化率，有助於獲得完全Cu3N相之薄膜。此外，摻雜鈦能阻止銅的擴散，使優選方向從(111)轉變成(100)。X光繞射結果顯示，當Cu3N薄膜未摻雜鈦時，薄膜優選方位為(111)；而隨著薄膜中鈦含量的增加，薄膜之優選方位從(111)轉變為(100)。當Ti=1.59 at.%時，Ti-doped Cu3N薄膜有最強之(100)。接著將未摻雜及摻雜Ti之 Cu3N薄膜應用於Cu2+ 離子感測(io

n sensing)和光感測(Light sensing)；在離子感測方面，我們先調配不同濃度(8 pM~80 nM)之銅離子溶液，之後進行I-V量測，研究發現純Cu3N 的I80 nM/I8 pM值只有5.38，當Ti含量達1.59 at.%時， I80 nM/I8 pM值大幅提升至51.9，Ti摻雜使Cu3N薄膜中氮含量提高轉變為(100)氮富面，更多的氮有助於銅離子更容易在表面產生反應。另外，在光子感測方面，純Cu3N在使用UV光時之Ion /Ioff值為3.2，摻雜0.19 at.%Ti後，Ion /Ioff降為2.9，當Ti含量進一步提升至0.33%、0.87%及1.59 %時，Io

n /Ioff會繼續下降至1.8、1.4及甚至沒有反應，我們相信摻雜Ti之Cu3N薄膜具有較多缺陷致不利於光感測的應用。

大型高純度氧化鋁物件製程與其在NF3/Ar電漿蝕刻行為

為了解決power pure sc 13吋的問題，作者林欽山 這樣論述：

12吋半導體製程中之化學氣相沉積設備反應室內，所需之精密氧化鋁陶瓷，必須具備有高純度、能抵抗電漿環境中的侵蝕性氣體與300mm以上大尺寸物件的特性。所以，胚體成型的技術是一項重要課題，更需要鑽石工具以CNC工具機加以研磨加工，方能達到精度之要求。在半導體製程中，薄膜不僅會沉積於矽晶圓上，也會附著於反應室內部的氧化鋁表面上，形成不需要的殘渣，必須以電漿清洗反應室的內壁，以維護一定的穩定性。而高純度氧化鋁仍然含有微量的氧化矽雜質，此雜質並且傾向偏析於晶界上，在具蝕刻性的電漿環境下，顯然晶界較易受到侵蝕。因此探討氧化鋁材質與蝕刻性氣體之間的關係是有必要的。本研究在製程方面，藉由冷均壓成型方法，利用

六種不同分佈的粉末顆粒，經由不同的冷均壓成型壓力設計。得知分佈比較寬廣的高純度氧化鋁粉末顆粒，經由壓力提升與持壓時間加長，可以有效抑制雙分佈晶粒結構的產生，而得到均勻的微結構。並且利用熱機力學分析（Thermo-mechanical Analysis, TMA）觀察到冷均壓成型壓力、粉末粒度分佈與胚體熱物理性質關係，也完成了大型的高純氧化鋁工件的製作。而本研究在研磨加工方面，使用三種不同成分之銅基合金，包括Cu合金、Cu-15Sn合金及Cu-15Sn-10Ti合金。從穿透電子顯微鏡繞射圖與X光繞射兩個分析方法，都證實Cu-15Sn-10Ti基材之鑽石工具中，鑽石與合金基材的中間介面層之材料為碳

化鈦。pin-on-disk型式磨耗試驗與震動頻譜觀察研磨加工時，Cu-15Sn-10Ti基材之鑽石工具，有很好的效能研磨於高純度氧化鋁工件與自銳性。本研究在應用方面，利用純度99.90%與99.14%的氧化鋁試片，於PECVD設備內，使用NF3/Ar為蝕刻電漿環境，並且利用了光放射光譜（Optical Emission Spectroscopy, OES）分別觀察在270℃、300℃與350℃時的氟原子於685.75nm與氬離子750nm特定波長的強度比值。此比值轉換為Arrhenius經驗式求得蝕刻能，得知高純度氧化鋁擁有比較高的蝕刻能與比較不易與蝕刻性電漿反應的結果。

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