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國立臺灣大學 光電工程學研究所 彭隆瀚所指導 顏銘億的 多層膜結構二極記憶體之研究 （2015），提出pram重置關鍵因素是什麼，來自於二極體、記憶體、金屬氧化物。
而第二篇論文銘傳大學 電子工程學系碩士班 邱福千所指導 陳誌錡的 硼摻雜氧化鋅薄膜電阻式記憶體之可靠度與電性量測與分析 （2014），提出因為有 X射線光電子能譜儀、元件耐久度、資料持久性、硼參雜氧化鋅、跳躍傳導、歐姆傳導、讀取持久性的重點而找出了 pram重置的解答。
多層膜結構二極記憶體之研究
為了解決pram重置 的問題，作者顏銘億 這樣論述：
本論文提出了一個具有新式相變化的操作機制與材料，操作原理結合了傳統相變化記憶體的基本特性，以及電子共振穿隧二極體的負微分電阻的特性。而選用的材料則與傳統的相變化材料不同，乃利用電漿輔助型原子層沉積系統成長金屬氧化物(氧化鉿、氧化鋅、氧化鎵)，並堆疊成雙能障量子井的結構。本論文主要分為兩部分。第一部分為記憶體元件之製作，包含了電漿輔助型原子層沉積系統的原理與操作、沉積材料成長速率之校正、X射線光電子能譜特性分析，以及元件完整的製程。第二部分為記憶體元件之電性量測，包含了相變化特性曲線、轉換臨界功率的比較、寫入(Set)與重置(Reset)的關係及壽命讀寫次數的量測。我們用電漿輔助型原子層沉積系
統沉積了HfO2/ZnO/HfO2 (2/4/2及2/6/2 nm)和Ga2O3/ZnO/HfO2 (4/2/4、4/3/4及4/4/4 nm)兩種結構，並製作四種元件面積，625π、3025π、7225π及11025π平方微米，發現在Ga2O3/ZnO/HfO2為4/2/4且面積為625π〖 μm〗^2時有較佳的特性。其有較小的轉換臨界功率(約為2.6mW)，元件的電阻開關比可達1000倍，抹寫次數可達超過100次。
硼摻雜氧化鋅薄膜電阻式記憶體之可靠度與電性量測與分析
為了解決pram重置 的問題，作者陳誌錡 這樣論述：
以硼參雜氧化鋅 (BZO) 為介電層的MIM (Metal-Insulator-Metal) 電容器已被製造和研究用於非揮發性記憶體之應用。利用直流濺鍍(DC Sputtering)的方式沉積氧化鋅薄膜以及不同氧流量的物性X射線光電子能譜儀(X-ray photoelectron spectrometer, XPS)分析與比較。薄膜電流傳導機制方面，當元件於高阻態時，在電場大於0.4 MV/cm時，為跳躍傳導 (Hopping conduction) 來主導介電質中的電流傳導機制；當元件於低阻態時，為歐姆傳導 (Ohmic conduction) 來主導介電質中的電流傳導機制。有關於 WTi
/ BZO / WTi 元件的可靠度特性研究，包含元件耐久度 (Endurance) 、資料持久性 (Data retention) 與讀取持久性 (Reading durability) 特性等，在本實驗中均有被量測分析。而藉由直流電性量測分析，元件之電阻轉換機制亦被探討。