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變頻器原理及應用（第3版）

為了解決pwm電壓的問題，作者王廷才 這樣論述：

《變頻器原理及應用（第3版）/普通高等教育“十一五”國家級規劃教材》為是綜合各院校使用《變頻器原理及應用（第2版）》所提出的建議，適應高等職業院校進行工學結合教學改革的需要，結合新的變頻器技術資料編寫的。   該書以突出應用、注重技能為宗旨，由淺入深地闡述了變頻器的基本組成原理和控制方式，電動機變頻調速機械特性，變頻器常用控制電路，變頻調速系統主要電器的選用，變頻器的操作、運行、安裝、調試、維護及抗干擾，變頻器在風機、空氣壓縮機、水泵、中央空調及提升機等方面的應用實例等內容。 前言 第1章變頻器的認識 1．1變頻器概述 1．1．1變頻器的發展 1．1．2變頻器的分類 1．1

．3變頻器的應用 1．2非同步電動機變頻調速原理 1．2．1非同步電動機變頻調速機理 1．2．2三相非同步電動機的機械特性 1．2．3三相非同步電動機的變頻起動 1．2．4三相非同步電動機的變頻制動 1．3變頻器的結構與主要技術參數 1．3．1變頻器的外形 1．3．2變頻器的基本原理結構 1．3．3變頻器的銘牌 1．3．4主要技術參數 本章小結 習題1 第2章變頻器常用電力電子器件 2．1功率二極體 2．1．1功率二極體的結構與伏安特性 2．1．2功率二極體的主要參數 2．1．3功率二極體的選用 2．1．4功率二極體的分類 2．2晶閘管 2．2．1晶閘管的結構 2．2．2晶閘管的導通和阻斷控

制 2．2．3晶閘管的陽極伏安特性 2．2．4晶閘管的參數 2．2．5晶閘管的門極伏安特性及主要參數 2．2．6晶閘管觸發電路 2．2．7晶閘管的保護 2．3門極可關斷（GTO）晶閘管 2．3．1GTO晶閘管的結構與工作原理 2．3．2GTO晶閘管的特性與主要參數 2．3．3GTO晶閘管的門極控制 2．3．4GTO晶閘管的緩衝電路 2．4電力電晶體（GTR） 2．4．1GTR的結構 2．4．2GTR的參數 2．4．3二次擊穿現象 2．4．4GTR的驅動電路 2．4．5GTR的緩衝電路 2．5功率MOS場效應 電晶體（P-MOSFET） 2．5．1P-MOSFET的結構 2．5．2P-MOSFE

T的工作原理 2．5．3P-MOSFET的特性 2．5．4P-MOSFET的主要參數 2．5．5P-MOSFET的柵極驅動 2．5．6P-MOSFET的保護 2．6絕緣柵雙極型電晶體（IGBT） 2．6．1IGBT的結構與基本工作原理 2．6．2IGBT的基本特性 2．6．3IGBT的主要參數 2．6．4IGBT的驅動電路 2．7集成門極換流晶閘管（IGCT） 2．7．1IGCT的結構與工作原理 2．7．2IGCT的特點 2．7．3IGCT變頻器 2．8智慧功率模組（IPM） 2．8．1IPM的結構 2．8．2IPM的主要特點 2．8．3IPM選擇的注意事項 本章小結 習題2 第3章交-直-

交變頻技術 3．1整流電路 3．1．1不可控整流電路 3．1．2可控整流電路 3．2中間電路 3．2．1濾波電路 3．2．2制動電路 3．3逆變電路 3．3．1逆變電路的工作原理 3．3．2逆變電路的基本形式 3．4SPWM控制技術 3．4．1概述 3．4．2SPWM控制的基本原理 3．4．3SPWM逆變電路的控制方式 3．4．4SPWM逆變器的調製方式 本章小結 習題3 第4章交-交變頻技術 4．1單相輸出交-交變頻電路 4．1．1電路組成及基本工作原理 4．1．2感阻性負載時的相控調製 4．1．3輸入輸出特性 4．2三相輸出交-交變頻電路 4．2．1公共交流母線進線方式 4．2．2輸出星

形聯結方式 本章小結 習題4 第5章高（中）壓變頻器 5．1高（中）壓變頻器概述 5．1．1高（中）壓變頻器的分類 5．1．2高（中）壓變頻調速系統的基本形式 5．1．3高（中）壓變頻器的應用 5．1．4高（中）壓變頻器的技術要求 5．2高（中）壓變頻器的主電路結構 5．2．1晶閘管電流型變頻器 5．2．2GTO晶閘管電流型變頻器 5．2．3IGBT並聯多重化PWM電壓型變頻器 5．2．4IGBT三電平高（中）壓變頻器 5．2．5五電平高（中）壓變頻器 5．3風光JD．BP37／38系列高壓變頻器簡介 …… 第6章變頻器的接線端子與功能參數 第7章變頻器的控制方式 第8章變頻調速系統的選擇

與操作 第9章變頻器的安裝與維護 第10章變頻器應用實例 第11章變頻器技術實訓 附錄 參考文獻 變頻器問世於20世紀80年代，由於其具有節能、改善工藝流程、提高產品品質和便於自動控制等諸多優勢，到21世紀初變頻器的應用已具相當規模，而變頻器應用的設計、安裝、調試和維修的技術人員卻比較匱乏。為儘快培養具有較高實踐能力的緊缺人才，我們以“突出應用、注重技能、培養能力”為宗旨，編寫了《變頻器原理及應用》一書，於2005年由機械工業出版社出版，當年即被全國諸多院校選為教材，得到眾多從事電氣設備和電氣自動化的工程技術人員的高度評價，翌年被評為普通高等教育“十一五”國家級規劃教材。2

009年推出《變頻器原理及應用第2版》，採用本教材的院校數量進一步擴大。為更好地適應高等職業院校進行工學結合教學改革的需要，我們綜合各院校使用本書提出的建議，結合最新的變頻器技術資料，編寫了《變頻器原理及應用第3版》，除了對原書內容進行了充實和調整外，還提供更豐富的教學資源。 本書主要內容有：變頻器的認識，變頻器常用電力電子器件，交，直，交變頻技術，交一交變頻技術，高（中）壓變頻器，變頻器的接線端子與功能參數，變頻器的控制方式，變頻調速系統的選擇與操作，變頻器的安裝與維護，變頻器應用實例和變頻器技術實訓等。 本書由深圳資訊職業技術學院王廷才任主編，河南工業職業技術學院楊聚慶任副主編。其中第

1章、第10章和附錄由楊聚慶編寫，第2章和第3章由南陽市高級技工學校王香紅編寫，第5章由河南工業職業技術學院韓豔贊編寫，第6章、第7章和第8章由河南工業職業技術學院劉嬌月編寫，第9章和第11章由河南天冠燃料乙醇有限公司畢新熙編寫，其餘由王廷才編寫，並對全書統稿。深圳技師學院宋峰青高級技師在百忙中仔細認真地審閱了全書，提出了許多寶貴的意見。編者在編寫過程中參考了希望森蘭科技股份有限公司和山東新風光電子科技發展有限公司等變頻器製造企業提供的產品資料，在此一併表示誠摯謝意。

pwm電壓進入發燒排行的影片

影像引導電鍍之柱徑控制及誤差分析研究

為了解決pwm電壓的問題，作者楊易宸 這樣論述：

相較於傳統工業的減法製造，近年來流行的加法製造，如 3D列印、3D金屬打印等也越來越為人所知。而在半導體業中，這種加法製造更是應用於更精密的地方，如電子元件的金屬化封裝製程，其精度涵蓋奈米到微米之間。而本實驗利用了其中常使用的局部電化學沉積技術。本實驗承襲了學者Wang[14]於「異軸式雙螺旋演算法」上使用的基礎演算法，利用即時影像引導的局部電鍍方法來進行鍍出銅柱的柱徑控制。為了達到控制柱徑的目標，使用脈衝寬度調變PWM(Pulse Width Modulation)來模擬不同電壓電鍍的效果。為了能讓使用者自行設定鍍出的柱徑，本實驗設計了自動調整演算法，抓取由相機回傳的影像進行影像處理，讓獲

得的柱徑資料可以控制陽極放電的PWM電壓，使柱徑調整至與輸入值相仿。過程中使用自動記錄程式記錄下過程，分析不同電壓下鍍出的柱徑大小，這些資料可作為往後的電鍍目標值參考 ;此外記錄的不同控制參數之下的柱徑變化，可以分析不同參數之下的誤差，來使電鍍達到更好的表現。

變頻器原理及應用（第3版）

為了解決pwm電壓的問題，作者王廷才（主編） 這樣論述：

本書為是綜合各院校使用《變頻器原理及應用第2版》所提出的建議，適應高等職業院校進行工學結合教學改革的需要，結合最新的變頻器技術資料編寫的。本書以突出應用、注重技能為宗旨，由淺入深地闡述了變頻器的基本組成原理和控制方式，電動機變頻調速機械特性，變頻器常用控制電路，變頻調速系統主要電器的選用，變頻器的操作、運行、安裝、調試、維護及抗干擾，變頻器在風機、空氣壓縮機、水泵、中央空調及提升機等方面的應用實例等內容。 前言第1章 變頻器的認識1.1變頻器概述1.1.1變頻器的發展1.1.2變頻器的分類1.1.3變頻器的應用1.2異步電動機變頻調速原理1.2.1異步電動機變頻調速機理1.2

.2三相異步電動機的機械特性1.2.3三相異步電動機的變頻起動1.2.4三相異步電動機的變頻制動1.3變頻器的結構與主要技術參數1.3.1變頻器的外形1.3.2變頻器的基本原理結構1.3.3變頻器的銘牌1.3.4主要技術參數本章 小結習題1第2章 變頻器常用電力電子器件2.1功率二極管2.1.1 功率二極管的結構與伏安特性2.1.2功率二極管的主要參數2.1.3功率二極管的選用2.1.4功率二極管的分類2.2晶閘管2.2.1晶閘管的結構2.2.2晶閘管的導通和阻斷控制2.2.3晶閘管的陽極伏安特性2.2.4晶閘管的參數2.2.5晶閘管的門極伏安特性及主要參數2.2.6晶閘管觸發電路2.2.7晶

閘管的保護2.3門極可關斷（GTO）晶閘管2.3.1 GTO晶閘管的結構與工作原理2.3.2 GTO晶閘管的特性與主要參數2.3.3 GTO晶閘管的門極控制2.3.4 GTO晶閘管的緩沖電路2.4電力晶體管（GTR）2.4.1 GTR的結構2.4.2 GTR的參數2.4.3二次擊穿現象2.4.4 GTR的驅動電路2.4.5 GTR的緩沖電路2.5功率MOS場效應晶體管（P—MOSFET）2.5.1 P—MOSFET的結構2.5.2 P—MOSFET的工作原理2.5.3 P—MOSFET的特性2.5.4 P—MOSFET的主要參數2.5.5 P—MOSFET的柵極驅動2.5.6 P—MOSFET

的保護2.6絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）2.6.1 IGBT的結構與基本工作原理2.6.2 IGBT的基本特性2.6.3 IGBT的主要參數2.6.4 IGBT的驅動電路2.7集成門極換流晶閘管（IGCT）2.7.1 IGCT的結構與工作原理2.7.2 IGCT的特點2.7.3 IGCT變頻器2.8智能功率模塊（IPM）2.8.1 IPM的結構2.8.2 IPM的主要特點2.8.3 IPM選擇的注意事項本章 小結習題2第3章 交—直—交變頻技術3.1整流電路3.1.1不可控整流電路3.1.2可控整流電路3.2中間電路3.2.1濾波電路3.2.2制動電路3.3逆變電路3.3.1逆變電路的工作原

理3.3.2逆變電路的基本形式3.4 SPWM控制技術3.4.1概述3.4.2 SPWM控制的基本原理3.4.3 SPWM逆變電路的控制方式3.4.4 SPWM逆變器的調制方式本章 小結習題3第4章 交—交變頻技術4.1單相輸出交—交變頻電路4.1.1電路組成及基本工作原理4.1.2感阻性負載時的相控調制4.1.3輸入輸出特性4.2三相輸出交—交變頻電路4.2.1公共交流母線進線方式4.2.2輸出星形聯結方式本章 小結習題4第5章 高（中）壓變頻器5.1高（中）壓變頻器概述5.1.1高（中）壓變頻器的分類5.1.2高（中）壓變頻調速系統的基本形式5.1.3高（中）壓變頻器的應用5.1.4高（中

）壓變頻器的技術要求5.2高（中）壓變頻器的主電路結構5.2.1晶閘管電流型變頻器5.2.2 GTO晶閘管電流型變頻器5.2.3 IGBT並聯多重化PWM電壓型變頻器5.2.4 IGBT三電平高（中）壓變頻器5.2.5五電平高（中）壓變頻器5.3風光JD.BP37／38系列高壓變頻器簡介┅┅第6章 變頻器的接線端子與功能參數第7章 變頻器的控制方式第8章 變頻調速系統的選擇與操作第9章 變頻器的安裝與維護第10章 變頻器應用實例第11章 變頻器技術實訓附錄參考文獻

應用於 5G 毫米波通訊系統採用差動有預失真線性器和自動適性偏壓技術及轉導補償技術以優化線性度及效率之CMOS功率放大器

為了解決pwm電壓的問題，作者洪立誠 這樣論述：

本篇論文提出了兩個於 Ka 頻段使用台積電 90-nm 互補式金氧半導體製程之功率放大器，旨在提升電路的線性度、輸出功率、功率附加效率及退縮 6-dB處的功率附加效率。 於第一個電路中，我們採用了差動預失真寄生二極體線性器，功率放大器使用 1.2 V 偏壓供電，級間加入差動預失真寄生二極體線性器以提高電路整體線性度。由於佈局失誤，於量測時使用第二個電路之相同模態驗證差動預失真寄生二極體線性器之效能。此三級差動共源極功率放大器在 1.2 V 以及線性器控制電壓1 V 開啟情況下，實際量測可得 Ka 頻段操作小訊號增益 21 dB、OP1dB 為 16.3dBm 以及飽和輸出功率 17.5 dB

m，於 OP1dB 點的 PAE 與 PAE 的最大值分別為20.2 %與 23.9 %，而在 P1dB 退縮 6 dB 點的 PAE 為 8 %。 於第二個電路中，我們採用了偏壓自動適性技術並使用 1.2 V 電壓供電。加入偏壓自動適性電路後，功率放大器在小訊操作時將偏壓在近 B 類操作提升效率，而大訊號操作時自動偏壓至近 A 類操作以提供較大的線性度與輸出擺幅。使用此技術可改善 P1dB退縮 6-dB 點的 PAE。由於使用之墊片含有內阻使得內部偏壓自動適性電路無法正常提供偏壓，隨後切除該部分電路後改採用自製外部偏壓自動適性電路實現理想轉移曲線以進行量測。在 1.2 V 電源供電下，實際量

測可得 Ka 頻段操作小訊號增益 21.3 dB、OP1dB 為 16.6 dBm 以及飽和輸出功率17.7 dBm，於 OP1dB 點的 PAE 與 PAE 的最大值分別為 21.4 %與 23.5 %，而在P1dB 退縮 6-dB 點的 PAE 為 12 %。於 back-off 6-dB 點時，量測有無加入偏壓適性技術在直流功耗的節省上可達到節省 50 %的直流功耗，可驗證偏壓自動適性技術在 Ka 頻段仍可對直流功耗作出改善以提升 P1dB 退縮 6-dB 點之 PAE 約 1.5%。另外也加入轉導補償技術後電路的 OP1dB提升了 0.3 dBm 且在該點的 PAE 增加 1.5 %。

使得電路在 OP1dB 及其退縮點處的 PAE 皆有改善。