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以二硫化鉬改質PAN系活性碳布及其在超級電容電極之應用

為了解決rcf換算的問題，作者黃書航 這樣論述：

本研究是利用活性碳布取代一般金屬集流板，藉由活性炭的比表面積，使得二硫化鉬均勻的分佈在碳布表面上，使其在碳布表面成長不是以重複堆疊的方式形成，並封裝成完整對稱型超級電容元件進行電性測試，調整二硫化鉬之前驅物與去離子水的比例，後再調整二硫化鉬在高溫高壓下反應的成長時間，比較在不同參數間其充放電效應、庫倫效應以及自放電效應之差異，取出相對最好之參數，由於二硫化鉬的長成是由前驅物比例決定，經實驗後，發現在鉬酸銨與硫乙醯胺在比例為 : 0.5 mole : 3 mole，成長出來之二硫化鉬為理想完整片狀之，之後以不同濃度作為比較，將原先加入90 ml~60 ml之去離子水中之二硫化鉬前驅物，換算成欲

加入80ml去離子水中之二硫化鉬前驅物，經各式之電性分析以及比表面積的測試後，發現以MC70為最佳濃度，經過前驅物之比例與濃度測試後，為了使得表層之二硫化鉬不易損壞，提升其結晶性，將其以不同時間之方式成長，使其結晶性提升以及使其在電性分析時表現更為良好，在XRD檢測下，可以發現在成長時間越長，其結晶性越好，後使用電性分析，測試出參數為MC70-28為本研究之最佳參數。