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國立臺灣科技大學 應用科技研究所 朱瑾所指導 黎佳霖的 以微米尺寸懸臂樑法評估金屬玻璃薄膜之缺口韌性研究:結晶與非晶薄膜之韌性探討 （2017），提出s90尺寸關鍵因素是什麼，來自於缺口破裂韌性、金屬玻璃薄膜、微懸臂樑、非晶薄膜、結晶薄膜。
而第二篇論文中原大學 電子工程研究所 温武義所指導 丁建豪的 利用液相磊晶法進行晶格匹配與不匹配半導體材料系統之橫向磊晶研究 （2016），提出因為有 液相磊晶、同質磊晶與異質磊晶的重點而找出了 s90尺寸的解答。
以微米尺寸懸臂樑法評估金屬玻璃薄膜之缺口韌性研究:結晶與非晶薄膜之韌性探討
為了解決s90尺寸 的問題，作者黎佳霖 這樣論述：
現今薄膜機械性質分析，多著重於硬度、彈性系數和附著性質等，而薄膜在製作或是使用過程中若產生破裂，會嚴重影響薄膜性能，因此破裂韌性(fracture toughness)亦為薄膜相當重要的機械性質之一，能進一步瞭解並且分析破裂韌性可避免薄膜結構上的損害。近年來，有鑑於金屬玻璃薄膜(thin film metallic glass, TFMG)擁有許多獨特性質，高強度、耐腐蝕和光滑之表面，而引起各界重視，並被嘗試應用於各領域，然而將金屬玻璃薄膜應用於產品上的研發，除基本機性質了解外，若能進一步瞭解金屬玻璃薄膜的破裂韌性，勢必能更加完整的發揮其優越性並作為相關應用的薄膜選用依據。本研究使用射頻磁控
濺鍍儀製備鋯基和鎢基金屬玻璃薄膜於矽基板，再以雙束型聚焦離子束將基材上之金屬玻璃薄膜製作成微米尺度懸臂樑，接著利用奈米壓痕儀對金屬玻璃懸臂予以樑壓，進行缺口破裂韌性(Notch Toughness, KQ)實驗分析計算，同時與傳統結晶之氮化鈦(TiN)薄膜、鈦(Ti)金屬薄膜以及具有與鋯基金屬玻璃薄膜相似成份組之鋯基金屬塊材成進行比較，以探討各材料破裂韌性之相互關係。經懸臂樑缺口破裂韌性測量結果發現，氮化鈦的KQ值為0.74 MPa*m0.5，實驗結果與壓痕破裂韌性實驗所計算出的值相當接近，故懸臂樑破裂韌性實驗應具有其一定的準確性。而經懸臂樑破裂韌性實驗計算出鋯基金屬塊材、鋯基和鎢基金屬玻璃薄
膜之KQ值分別為4.4 MPa*m0.5、3.84 MPa*m0.5和5.13 MPa*m0.5，高於Ti (2.15 MPa*m0.5)及氮化鈦薄膜，符合文獻中指金屬玻璃薄膜具優良機械性質的特性，顯示本研究所用使用之試驗法的可行與應用性。此外，金屬玻璃薄膜在使用壓痕破裂韌性法上不見其產生裂痕，故無法藉此法計算金屬玻璃薄膜之破裂韌性值，因此凸顯出本研究之懸臂樑試驗法對量測金屬玻璃薄膜之破裂韌性值的重要性。
利用液相磊晶法進行晶格匹配與不匹配半導體材料系統之橫向磊晶研究
為了解決s90尺寸 的問題，作者丁建豪 這樣論述：
摘要 我們以液相磊晶法來進行砷化鎵同質磊晶與矽鍺異質磊晶，藉此深入了解晶格匹配與晶格不匹配半導體材料橫向磊晶之差異，除了調查磊晶最佳成長參數，並試著改變成長溫度、成長時間和降溫速率以改善磊晶層品質，並在欲成長基板上完成開著線窗的二氧化矽罩模之製作，再利用液相磊晶法於該基板上實施橫向磊晶以獲取高品質薄膜。在砷化鎵同質磊晶時，我們使用鎵做為溶媒，且用低初期過飽和約1℃及低降溫速率約0.1℃/min進行同質橫向磊晶，經由表面結構的分析後，發現特定的線窗罩模形式和方向具有良好橫向磊晶效果。由於採用的基板面方向並未在刻意偏斜下切割且因是同質磊晶無不匹配差排發生，因此只要造成磊晶層粗超側面將於橫向與縱
向有極大差異的成長速度。實驗發現將線窗對準< 0 1 1>, < 0 1 0>和< 0 0 1 >三方向及其之等價方向時，於側面有穩定晶面產生，無法進行橫向磊晶；但若偏離上述方向15-30擺置線窗時則有明顯的橫向磊晶效果，這是因這些方向所長出之砷化鎵可呈現粗糙側面而有利於橫向磊晶。 矽鍺異質磊晶部分，我們使用錫作為溶媒、鍺作為溶質，用低降溫速率約0.1℃/min進行異質磊晶，雖然矽與鍺兩者之間的晶格不匹配度高達4.2%，且液相磊晶其成長之晶格匹配程度一般被限制於1%以下，不過本實驗成功地在矽基板上成長出矽鍺漸變層，甚至在降溫至510℃時有純鍺層出現，另外，本研究亦發現以開窗罩模方式成長可改
善矽基板上所成長矽鍺層表面粗糙問題。