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臺北醫學大學 公共衛生學系碩士班 莊坤洋所指導 Sri Sunaringsih Ika Wardojo的 印度尼西亞瑪瑯 HIV 患者的 HIV 恥辱感、社會支持、復原力、抑鬱和生活質量 (QOL) 分析 （2021），提出sb300 abs二手關鍵因素是什麼，來自於艾滋病毒恥辱、社會支持、彈力、沮喪、生活質量。

而第二篇論文國立臺灣大學 電子工程學研究所 李峻霣所指導 施保全的 砷化銦(鎵)/銻(砷) 化鎵異質介面高效能陡峭開關穿隧元件 （2016），提出因為有 穿隧電晶體、異質介面、高效能的重點而找出了 sb300 abs二手的解答。

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印度尼西亞瑪瑯 HIV 患者的 HIV 恥辱感、社會支持、復原力、抑鬱和生活質量 (QOL) 分析

為了解決sb300 abs二手的問題，作者Sri Sunaringsih Ika Wardojo 這樣論述：

印度尼西亞的人類免疫缺陷病毒 (HIV; PLHIV) 感染人數在全球排名第 13 位，估計 2020 年 PLHIV 為 543,075 例，印度尼西亞的年度 HIV 病例也從 2013 年的每年 12,214 例增加到 50,282 例2020 年每年。然而，印度尼西亞的 PLHIV 在其醫療管理方面仍然面臨著諸如污名、歧視和社會心理問題等挑戰，與 HIV 相關的污名仍然阻礙了該國有效應對 HIV 感染的努力。因此，本研究旨在調查恥辱感、社會支持與生活質量之間的關係；經過一年的研究，確定了與抑鬱症狀相關的因素，並分析了 PLHIV 中與抑鬱相關的因素。本研究採用了 2018 年 6 月至

2019 年 9 月期間來自瑪瑯的 4（四）家提供 VCT 和 ART 服務的醫療保健中心的縱向研究設計，即：Puskesmas Dinoyo、Puskesmas Kendalsari、RST Dr. Soepraoen 和 RS Islam Malang，與總樣本為基線時的 634 名參與者，以及一年隨訪期間的 496 名參與者。使用的測量方法是問卷調查評估的社會人口特徵（年齡、性別、婚姻狀況、教育、就業狀況和居住區域）、艾滋病毒恥辱感、依從性狀況、復原力、抑鬱、社會支持和生活質量（QoL）。結果，第一項研究側重於調查 HIV 門診就診者的生活質量 (QoL) 的決定因素，報告稱社會支持與

QoL 呈正相關且顯著相關，但所有污名分量表均呈負相關且顯著相關（個性化、披露和自我形象）。而第二項研究探討了復原力、污名、社會支持與抑鬱症之間的關係，結果被污名化與抑鬱症的增加顯著相關，而復原力和社會支持與抑鬱症的機率降低顯著相關。第三項研究顯示，抑鬱症的重要預測因素是社會支持、復原力和恥辱感。

砷化銦(鎵)/銻(砷) 化鎵異質介面高效能陡峭開關穿隧元件

為了解決sb300 abs二手的問題，作者施保全 這樣論述：

穿隧場效電晶體因為其陡峭的次臨界擺幅而具有作為低功耗邏輯元件的潛力，但穿隧電流太小一直是四族穿隧電晶體的瓶頸。另一方面，由於三五族材料具有較小能隙和等效質量，且為直接能隙材料，利用砷化銦鎵/銻砷化鎵階梯型和砷化銦/銻化鎵破裂型異質介面可以作出高效能的穿隧電晶體元件。為了確認異質介面能提供多少穿隧電流，我們成長並製作了砷化銦/銻化鎵穿隧二極體。藉由縮小元件尺寸，我們觀察到了負微分電阻且得到了極高的峰值電流(32 MA/cm2) 及負偏穿隧電流密度(在-0.5 V下有26 MA/cm2)。此外，低溫下量測結果也和計算出的電流值十分接近，進一步確認了穿隧效應的確是主導此異質介面的導通機制。雖然三五

族異質結構穿隧電晶體可提供大的導通電流，但因其能隙較小，使關閉態的漏電流與次臨界擺幅通常劣於四族穿隧電晶體。為了改善元件效能，我們提出一種垂直穿隧電晶體結構使穿隧方向和閘極電場平行，並用TCAD 程式模擬元件表現。藉由在此結構中加入空隔層，我們可以分別控制導通電流和關閉態的漏電流。模擬的結果顯示，在VDS = 0.3 V 下，砷化銦鎵/銻砷化鎵垂直穿隧電晶體能有1500 A/ m 的導通電流，開關比為107，最小次臨界擺幅為3 mV/dec 且平均次臨界擺幅可達8mV/dec。為驗證此結構設計，我們成長並製作了矽/矽鍺垂直穿隧電晶體，其次臨界擺幅約800 mV/dec，開關比約1000，雖然製

作出的元件效能仍不理想，實驗結果的確顯示了此種垂直穿隧電晶體結構的潛力。

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