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國立陽明交通大學 電子物理系所 周苡嘉所指導 黃張勳的 氮化鎵奈米結構之合成與應用 (2021),提出shell advance ultra 關鍵因素是什麼,來自於氮化鎵、奈米線、憶阻器、同質磊晶、氫化物氣相磊晶。

而第二篇論文國立暨南國際大學 電機工程學系 吳幼麟、程德勝所指導 廖素鈺的 應用於生醫檢測之具奈米粒修飾感測層多晶矽線感測器與癌症檢測之感測電極 (2021),提出因為有 多晶矽線、3-氨基丙基三甲基矽氧烷 (r-APTES)、PH緩衝溶液、偏壓、感測薄膜、絲網印刷電極、指叉電極、前列腺攝護腺癌、氧化鋅紙、氧化鋅奈米顆粒、癌細胞細胞毒性、A549、H1299的重點而找出了 shell advance ultra 的解答。

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氮化鎵奈米結構之合成與應用

為了解決shell advance ultra 的問題,作者黃張勳 這樣論述:

Abstract (in Chinese) iAbstract (in English) iiiAcknowledgements vContents viTable Lists iixFigure Captions iixChapter 1 Introduction…………………………………………………………11.1 History of Gallium Nitride…………………………………………….11.2 Advantages and Properties of Nanowires…………………………………………………..61.3 Fabri

cation Methods of Nanowires…………………………………….............................101.4 Applications of Nanowires………………………………………………………………...131.5 The Introduction of Memory Technologies…………………………………………..........171.6 The Resistive Switching Mechanism of RRAM…………………………………………..211.7 Motivation and Thesis Organiza

tion………………………………………………………241.8 References…………………………………………………………………………...........25Chapter 2 Experimental Techniques…………………………………………282.1 Substrate Preparation………….…………….………………………………..…………...282.1.1 Hydride Vapor Phase Epitaxy………………………………………………………282.1.2 Freestanding GaN Substrate Fabrication……………………

………………...……302.1.3 Electron Beam Lithography………………...………………………………………332.2 Structure and Optical Characterization…………................................................................342.2.1 Cathodoluminescence…...…………………….....……………...…………………342.2.2 Transmission Electron Microscopy…...……………………...……....

.……………362.2.3 Raman Spectroscopy…...……………………......……………...……….…………372.2.4 X-ray Photoelectron Spectroscopy…...……………………...….……….…………392.2.5 Atomic Force Microscopy…...…………………...……………...…………………40Chapter 3 Structure and Strain Relaxation of GaN Nanorods grown on Homoepitaxial Surface via Controlling Ir

regular Mask………………………………………………………...…….433.1 Introduction………….…………….………………………………..……………………433.2 Experiment………………………………...………………………………......................443.3 Results and Discussion………...…………………………………………………………453.3.1 Surface Morphology of GaN Substrate with Various Deposition Duration of SiO

2 Islands……………………………………………………………………………………453.3.2 Structure Morphology of GaN Nanorods Grown with Various Deposition Duration of SiO2 Islands…………..…………..…………..……………………………………….473.3.3 Optical Properties of GaN Nanorods……………………………………………...533.3.4 Raman spectrum of GaN Nanorods……………………………………………….573.3.5

Strain distribution of GaN Nanorods………………………………………………603.4 Summary……………………………………………………………………...………….653.5 References………………………………………………………………………………..66Chapter 4 Achieving Ultra-Long GaN Nanorod Growth by Lowering Nucleation Energy via Surface Modification………………………………………………………724.1 Introduction

………….…………….………………………………..……………………724.2 Experiment………………………………...………………………………......................734.3 Results and Discussion………...…………………………………………………………754.3.1 Surface Morphology of GaN Substrate via Nitridation…………………………….754.3.2 Surface Morphology of GaN Nanorods…………………………………………....774.3.3 O

ptimizing Growth Rate of GaN Nanorods………………………………………..834.3.4 Growth Mechanism of GaN Nanorods……………..………………………………894.3.5 Luminescence Quality of GaN Nanorods……………………………..………..…1014.4 Summary……………………………………………………..…………………………1054.5 References…………………………………………..…………………..………………106Chapter 5 First Demon

stration of GaN Memcapacitors for Neuromorphic Computing…………………………………………………………………….1135.1 Introduction…………………………………………...…….….……………..……...…1135.2 Experiment…………..…………………………………………................…………….1145.3 Results and Discussion………...……………………………………………..………....1155.3.1 Surface Characteristic o

f GaN Nanowires via H3PO4 Treatment…………………1155.3.2 Electrical Characteristics of m-oriented GaN Memcapacitor……………….....…1225.3.2 Electrical Characteristics of c-oriented GaN Memcapacitor……………....….….1345.4 Summary……………………………………………………...………..……….………1435.5 References………………………………………………………………………………1

43Chapter 6 Summary and Conclusions………………………………………149Chapter 7 Future Prospects…………………………………………..……...1517.1 Optimizing GaN Nanostructure Growth and Device Performance for Vertical Nanodevice Applications…………………………………………………………………………….1517.2 In-Situ TEM Experiment of GaN Nanowire Devices…………………

………………..1517.3 Further Surface and Defect Engineering on GaN Nanostructures……………….….….1527.4 References……………………………………………………………………..….…….153Publication Lists...……………………………………………………………154

應用於生醫檢測之具奈米粒修飾感測層多晶矽線感測器與癌症檢測之感測電極

為了解決shell advance ultra 的問題,作者廖素鈺 這樣論述:

本論文旨在探討透過奈米粒的添加來改善多晶矽線(PSW)生醫感測器並比較表面修飾之不同基材生醫感測器的感測特性。我們也提出將氧化鋅奈米粒直接沉積在紙基板上之氧化鋅紙,並將其用來感測抗癌藥物對癌細胞毒性的影響。因此,本研究可分為三大部分,第一部分是探討多晶矽線感測器陣列中之相鄰兩奈米線同時施加電壓時可能會互相干擾而導致讀出錯誤的數值。在此研究中,我們使用具有3-氨基丙基三甲基矽氧烷 (-APTES) 和聚二甲基矽氧烷 (PDMS) 處理的二氧化矽奈米粒子感測膜加上紫外線照射 (-APTES+ NPs+UV)的PSW陣列,在感測不同pH緩衝溶液時,PSW感測特性會受到鄰近PSW偏壓的影響。我

們發現,具有-APTES感測膜的PSW的感測通道電流遠低於具有-APTES + NPs + UV 感測膜的 PSW感測器的通道電流,並且具有-APTES感測膜的PSW感測器之電流偏差誤差遠高於具有 -APTES+NPs+UV感測膜的PSW感測器。我們將這些改進歸因於-APTES + NPs + UV感測膜表面漏電流很小及其優越的分子結構。根據實驗數據明顯得知,-APTES + NPs + UV感膜測是 PSW 陣列傳感器的更好選擇。 論文的第二部分討論了兩種不同的電極感測器的應用,一是使用絲網印刷之碳電極(screen-printed carbon electrode, SP

CE)的生物感測器,另一則是鍍金指叉電極(interdigit electrode, IDE)的生物感測器。所有電極表面都透過因特異性標的而結合之抗體和抗原進行修飾,然後藉由探針連結阻抗分析儀,偵測五種分別為1、2、4、6和8 ng/mL不同濃度的前列腺抗原 (Prostate-Specific Antigen, PSA)的免疫感測器之阻抗響應 (Z)。從我們的實驗結果可以得知,阻抗測量的特定頻率範圍在 20Hz ~ 2.57KHz間;在110Hz 的頻率下, SPCE免疫生物感測器具有最高的靈敏度和最小的誤差,且在此頻率下比較阻抗響應 (Z) 與不同抗原濃度的 PSA對數濃度時,免疫感測

器的線性度為0.9945,靈敏度為8876.5 Ω/Log(ng/mL),且最低偵測極限為0.18 ng/mL。當以鍍金IDE 用作免疫生物感測器時,我們以1-dodecanethiol solution堵住表面未修飾到的鍍金IDE免疫生物感測器,並同樣偵測五種不同濃度的PSA。由實驗結果,我們可得在低頻率20Hz至409.07Hz範圍內的決定係數(Coefficient of Determination)R2;在此頻率範圍內,R2 大於0.95。同樣的,在110Hz頻率下,鍍金IDE感測器可有最高靈敏度且誤差最小,其線性度為0.9986,靈敏度為3681.6 Ω/Log(ng/mL),而最低

偵測極限為0.05 ng/mL。基於上述SPCE和IDE生物感測器的阻抗測量結果,輔以阻抗實部和虛部的計算,再以ZView軟件進行模擬後可以得到前述兩種不同生物感測器的模擬等效電路圖。 本論文最後一部分則將沉積有氧化鋅 (ZnO) 奈米顆粒的纖維素紙(ZnO 紙)應用擴展到測試抗癌藥物對癌細胞的毒性的檢測,我們使用 A549、H1299 和 WI38 細胞來測試靶向抗肺癌藥物易瑞沙(Iressa)和星形孢菌素(Staurosporine)的有效性。在各種處理條件下將ZnO紙放入各細胞的培養基中,然後測定細胞活性。我們發現 ZnO 奈米顆粒本身對細胞就具有細胞毒性,通過增加ZnO奈米顆粒的

沉積時間進一步降低了細胞活力。此外,當培養基中同時存在 ZnO 紙和抗癌藥物時,細胞毒性會增強,此結果與現有文獻一致。此外,我們發現星形孢菌素產生比易瑞沙更容易降低癌細胞的細胞活性。我們的實驗也發現,在添加抗癌藥物之ZnO紙上培養的A549細胞比 H1299細胞存留有更高細胞活性,指出了A549具有高於H1299的腫瘤惡性,這也與文獻中的結果一致。由此結果得知ZnO紙可用於細胞毒性測試和未來的新型抗癌藥物開發。