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藉由複合型圖案化藍寶石基板以成長低缺陷密度之氮化鎵

為了解決sic gan比較的問題，作者劉修安 這樣論述：

在氮化鎵薄膜磊晶中使用圖案化藍寶石基板(Patterned Sapphire Substrates, PSSs)可以減少穿隧差排密度(Threading Dislocation Density)以增加磊晶品質，以及降低缺陷密度(defect density)。和業界量產型圖案化藍寶石基板單一週期不同，我們製作的基板上微結構同時擁有兩種不同週期，但是我們發現隨著改變微結構不同的頂部c-plane大小和不同週期微結構之間的差異，成長於其上的氮化鎵晶體將呈現兩種截然不同的樣貌，並且受到不同的應力，且此應力會影響到後續製成電子元件之使用效率。在最後的階段，論文會探討比較複合型圖案化藍寶石基板與量產型

商業化藍寶石基板(Conventional PSSs, CPSSs)之應力與缺陷密度，利用複合型圖案化藍寶石基板之氮化鎵薄膜所受到的應力約只有量產型商業化藍寶石基板的一半，表示使用不同週期與結構的搭配，可以釋放氮化鎵薄膜上之應力與降低缺陷密度，進而提高電子元件之使用效率。