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國立中央大學 化學工程與材料工程學系 劉正毓所指導 程正的 空間調控熱退火對氮化鋁之影響及其表面氧化層的氮化機制之研究 （2019），提出subshell中文關鍵因素是什麼，來自於氮化鋁、空間調控熱退火、氮化機制。
而第二篇論文國立中山大學 物理學系研究所 郭建成所指導 吳世鈺的 二維系統上物理與化學性質的原子尺度描述 （2014），提出因為有 水、氮化鎵、二維結構、銦、量子能階、石墨稀、掃描式穿隧顯微鏡的重點而找出了 subshell中文的解答。
空間調控熱退火對氮化鋁之影響及其表面氧化層的氮化機制之研究
為了解決subshell中文 的問題，作者程正 這樣論述：
為了生長出用在UV-LED的高品質AlGaN薄膜，在磊後續的高溫層前，必須擁有一個高品質的AlN緩衝層。因此，高溫熱退火是提高其晶體品質的常用方法。然而在退火過程中，AlN的表面降解引起的熱分解是需要處理的關鍵問題。所以本論文研究了空間控制熱退火對於AlN緩衝層表面形態、表面元素組成和晶體品質的影響，並且修改善表面惡化問題。空間控制的手段是通過在熱退火前將兩個面對面的AlN/sapphire晶圓放在石墨坩堝中進行退火。通過計算飽和蒸汽壓以及過飽和度，加上熱力學和平衡常數的推導，闡釋了這些結果的機制。以AFM、EDS、XRD對熱處理後的AlN表面形態、元素組成、晶體品質進行了分析。結果表明，這
種方法可以減少表面分解的程度以及減少由氧化鋁管的蒸汽造成的表面氧化。 雖然解決了熱分解的問題，但表面仍有一定的氧含量無法被消除。因此，我們提出了一種利用N2-NH3混合氣體對AlN表面氧化層進行氮化處理的方法。NH3氣體可以作為反應性氣體，將氮原子替換掉表面的氧原子後形成AlN。除了NH3氣體的作用外，N2氣體在氮化過程中也發揮了重要作用，因為當熱退火溫度達到700℃時，N2氣體可以抑制NH3氣體的分解。用Kröger-Vink記數法提出了AlN表面氧化物氮化過程的機制，其可歸因於NH3的表面化學吸附、N3−和O2−向內和向外的交互擴散以及H2、H2O和O2的脫附。在本論文中以密度泛函
理論(DFT)和動態蒙地卡羅法(kMC)的數學模型，實現了一步步的氮化過程，也實現了氮化表面的結構組態和其表面能的變化。模擬的結果表明，氧分子的向外擴散是氮化過程的速率決定步驟，引發了後續的氮向內擴散和氧脫附等步驟。
二維系統上物理與化學性質的原子尺度描述
為了解決subshell中文 的問題，作者吳世鈺 這樣論述：
表面物理現在已經是一個成熟的領域。綜觀表面物理的過去發展，其發展不只和新的研究工具發明也與新的材料發現有關。這裡我們試著利用具有原子解析度的工具來理解新的材料其物理和化學性質。在這個論文的第一個部份，我們利用掃描式穿隧顯微鏡和能譜來研究能量高於功函數的量子化空軌域。藉由Bohr-Sommerfeld量子化方法，在石墨稀裡的量子化空軌域能階可以被判別。藉由量測這個量子化空軌域能階，石墨稀的厚度也可以被分辨。其空間解析可以到達一個奈米左右。論文的第二部份討論了銦原子在Si(111)-α-√3-Au上的二維結構。第三部份討論了在氮化鎵(1-100)面上水的解離反應。利用光電子能譜配合其他對表面敏銳
的工具，我們試著建構水在表面上解離的原子模型。