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三維電荷擷取式NAND快閃記憶體中單一電子效應及臨界電壓分佈之研究

為了解決summit spr比較的問題，作者周佑亮 這樣論述：

本論文主要探討三維電荷擷取式NAND快閃記憶體(3D charge trap NAND flash memory)中，單一電荷及臨界電壓分佈引致之可靠度議題，吾人研究多晶矽缺陷所造成的隨機電報雜訊(RTN)對元件特性之影響，藉由讀取電流與讀取電壓之掃描，分析出缺陷位置對於同一條串聯連接線讀取電流之影響。此外，吾人亦提出一種利用隨機電報雜訊之新穎方法來描述在同一條串聯連接線之多晶矽缺陷位置及特徵。個別之寫入電荷流失現象所致臨界電壓變化在本論文中亦有進一步之分析與探討。最後，吾人透過三維模擬及實驗分析探討接地選擇線(Ground select line)元件及邊際虛擬單元(Edge dummy

cell)元件之臨界電壓分佈。第一章首先介紹近年來NAND快閃記憶體的技術發展演進以及現今三維快閃記憶體(3D NAND flash memory)在尺寸微縮與單元儲存階層狀態倍增之現況。其次，三維垂直通道(vertical channel)電荷擷取式快閃記憶體之可靠度議題將在此章節說明。另外，吾人亦提及主要影響臨界電壓分佈寬度之因素，並指出單一電子所致電流變化及三維快閃記憶體特有結構之重要影響。本章節的最後一部分針對此論文之整體架構做概略性的介紹。第二章研究多晶矽通道元件中多晶矽缺陷所產生之RTN特性，從讀取電流和讀取電壓之觀測，可以在較大範圍的讀取電壓上看到RTN之影響，研究結果顯示多晶矽

缺陷所致之RTN，不論缺陷位置在讀取元件內外，皆會對整條串聯連接線之讀取電流有影響。第三章中，吾人提出一方法來確認多晶矽缺陷在同一條串聯連接線內之位置與特性，並且研究不同讀取電流之相對RTN振幅特性。研究結果顯示晶粒邊界缺陷所致之電流路徑滲透作用及載子屏蔽效應可解釋RTN振幅特性。另外，不同操作電壓下之RTN振幅特性也可予以解釋。在第四章，吾人觀測小面積電荷擷取式(SONOS)快閃記憶體中氮化矽內部個別電荷垂直流失現象，且發現臨界電壓對時間關係以階梯式的圖像呈現。分析結果顯示:(1)臨界電壓變化之統計呈現指數機率分佈，此特性歸因於寫入電荷及摻雜載子分佈所致之電流路徑滲透作用。(2)在不同記憶體

元件及不同寫入抹除操作週期之情況下，資料流失所致之臨界電壓散佈特性也歸因於電流路徑滲透作用，吾人利用電流路徑滲透作用(current-path percolation effect)及電荷垂直流失模型，實行蒙地卡羅模擬成功預測在不同儲存時間下資料流失所致臨界電壓分佈之結果。第五章主要研究邊際虛擬單元(Edge dummy cell)元件及接地選擇線(Ground select line)元件之臨界電壓分佈。藉由不同製程及量測電壓分析臨界電壓分佈，發現在某些製程及操作條件下，上述兩元件之臨界電壓分佈較一般記憶單元元件之臨界電壓分佈更寬，其對應之成因分別為晶界缺陷隨機分佈於非閘極控制區及磊晶矽摻雜

能量高低對應之摻雜濃度分佈。吾人亦藉由三維模擬輔助，進一步分析晶界缺陷分佈於非閘極控制區對邊際虛擬單元元件讀取電流特性之影響，並且探討摻雜濃度分佈於磊晶矽中對接地選擇線元件讀取電流特性之影響，從模擬結果之分析與比較，吾人藉由導入優化製程(減少晶界缺陷濃度,調整摻雜濃度分佈)及調整操作電壓可成功改善邊際虛擬單元元件及接地選擇線元件之臨界電壓分佈。最後於第六章，吾人將對本論文做個總結。

小權力體在兩大權力體間的戰略選擇：以菲律賓及台灣在美中兩強間的三角關係為例（2000 - 2017）

為了解決summit spr比較的問題，作者李世傑 這樣論述：

在21世紀的全球化時代，國與國之間已形成密不可分的相互依賴關係。一般而言，國家在政治上追求安全，在經濟上追求利益，兩者目的雖不盡相同，但卻可互為所用、互相互補。若討論到三個國家間的互動變化，學界常以戰略三角作為簡易的分析架構，其中美、中、台三邊關係即為一例。基此，本論文藉由戰略三角的相互關係，運用新自由主義的相互依賴理論觀點，探究小權力體在兩大權力體間的政治與經濟依賴關係，並透過量化指標檢視小權力體是否對單邊權力體產生過度依賴的情形。為驗證此依賴關係，本文選取同為東亞政經區域亦深受美中兩大國影響的菲律賓，作為台灣的對照組。研究發現菲國曾在2004年過度依賴中國，後調整政策成高度雙邊互賴，直至

2016年又形成過分依賴中國的情形，惟在2017年可觀察到菲國已對此作出政策調整；我國則是在2010年達到雙邊互賴的高峰，惟至2017年透過各項指標顯示，已有過分依賴美方的情形，故建議政策進行相關調整，避免因過分依賴喪失後續的自主空間。