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CH3NH3PbBr3鈣鈦礦晶體之金屬-半導體-金屬結構光感測器與CsPbBr3量子點摻雜金奈米粒子表面電漿薄膜及Cu2ZnSnSe4/NiOx雙層電洞傳輸層之鈣鈦礦太陽能電池研究

為了解決sym sb250二手的問題，作者李冠霖 這樣論述：

本論文利用鈣鈦礦材料出色的光學特性與電特性，且簡單溶液調配，製備出光感測器與太陽能電池之光吸收層，並加入電子傳輸材料、雙層電洞傳輸層、金奈米粒子與量子點，來提升元件性能。1.在循環烘箱中使用逆溫式長晶法成長高結晶度且大尺寸MAPbBr3鈣鈦礦晶體，並在晶體上沉積C60與銀形成金屬-半導體-金屬(MSM)結構光感測器，在輸入20V下獲得24.5A/W的光響應度。2.使用熱注入法合成出CsPbBr3量子點:金奈米粒子，耦合表面電漿子效應與量子點的高PLQY特性產生協同效應提高CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽能電池性能，在120-Au:CsPbBr3條件下元件得到最佳性能，其Voc、Jsc、FF和P

CE分別達到0.9V、22.5mA cm-2、54%和10.9%。3.使用濺鍍方式沉積CZTSe，並與NiOx形成雙層電洞傳輸層，提高電洞傳輸效率與開路電壓，以提升CH3NH3PbI3鈣鈦礦太陽能電池性能，在600°C退火的CZTSe/NiOx條件下元件有最佳性能，其Voc、Jsc、FF和PCE分別達到1.03V、17.9mA cm-2、73%和13.46%。

應用於高功率晶片固晶熱壓製程與接點性質探討

為了解決sym sb250二手的問題，作者范志豪 這樣論述：

隨著SiC、GaN等高功率元件模組的發展，能承受高達250 oC操作溫度的固晶接點材料與技術仍有待突破。本實驗研究異質金屬低溫固態直接接合製程，具有應用於車用高功率IC構裝之高度潛力。實驗結果顯示本製程可於200oC荷重10MPa持溫30分鐘可成功接合Cu/Zn接點，且強度可達20MPa，於300oC接合異質接點包括Cu/Zn以及Cu/Ni/Zn等組合接點之室溫剪變破壞強度皆超過50MPa以上，其中Cu/Zn接點更可達70MPa以上。顯微組織分析結果顯示Cu5Zn8與CuZn5形成於Cu/Zn接點介面，Cu/Ni/Zn介面則形成Ni5Zn21以及局部Cu5Zn8。在高溫機械性質方面，隨著測試

溫度升高至250oC，Cu/Zn接點強度與 Cu/Ni/Zn接點兩者強度均趨於降低，Cu/Zn衰退幅度較為明顯，皆因Zn基材高溫軟化所致。在可靠度方面，Cu/Zn接點強度於250oC高溫時效過程中持續大幅下降至500小時後趨於持平，Cu/Ni/Zn接點則在500小時還維持30MPa，至800小時後，兩者剪力強度約略相當。高溫時效之強度劣化現象經證實與Cu5Zn8與CuZn5兩者競爭成長所導致之CuZn5崩裂與氧化有關，而Cu/Ni/Zn接點生成之Ni5Zn21則能有效減緩Cu5Zn8過度成長。根據形貌與元素分佈判斷，一直到時效800小時，NiZn層仍存在於Cu5Zn8與CuZn5之間。此外本實

驗亦發現甲酸還原處理可有效還原Cu與Ni表面氧化物，而Zn則不然，XRD相鑑定判斷該Zn與甲酸蒸氣形成甲酸鋅二水化合物(C2H2O4Zn‧2H2O)，XPS結果顯示在縱深分析離表面約90nm處，O濃度仍高達40%，Cu/Zn與Cu/Ni/Zn接點剪變測試結果也顯示該反應物導致接合效能劣化。