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tft四種結構優缺點的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦西久保靖彥寫的 大顯示器疑問全攻略【圖解版】 可以從中找到所需的評價。
國立中興大學 電機工程學系所 劉漢文所指導 曾傳龍的 配向膜印刷製程亮點異常改善之研究 （2019），提出tft四種結構優缺點關鍵因素是什麼，來自於配向膜、亮點。
而第二篇論文元智大學 電機工程學系丙組 劉維昇所指導 許志豪的 以雙閘極結構改善經電漿處理之IGZO薄膜電晶體 （2019），提出因為有 氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、雙閘極、電漿處理的重點而找出了 tft四種結構優缺點的解答。
大顯示器疑問全攻略【圖解版】
為了解決tft四種結構優缺點 的問題，作者西久保靖彥 這樣論述：
資訊化的現代，日常生活隨處可見跟影像相關的電子產品，無論是家中的電視、電腦，隨身攜帶的手機、PDA，外出使用的GPS、電子計算機，以及戶外經常可見的巨型螢幕、電子看板等。「面板」扮演著讓這些電子產品順利傳播影像的重要角色。 本書將從最早的映像管電視談起，介紹跟各種顯示器相關的結構、驅動方式、特色以及優缺點，舉凡液晶、電漿、OLED、LED、電子紙、電子書等都有提及，並以最容易理解的圖說方式，解開複雜構造之下的基本原理，帶你一探科技且充滿驚奇的「面板」世界。 「液晶」跟「電漿」哪種畫質比較好？ 「HD」跟「Full HD」的差別在哪裡？ 能夠應用在生活週遭的「電子紙」是？
「OLED」能成為未來的市場主力嗎？…100則面板相關知識盡在本書中 本書將以液晶．電漿．OLED(有機電激發光顯示器)為中心介紹，也會加入FED和電子紙等相關技術的說明，並對常有的疑問淺顯易懂地用圖解回答。如果能夠了解書中所舉的100個答案，相信對於薄型顯示器將不會有任何疑問。 作者簡介 西久保靖彥 1945年生於埼玉縣，電器通信大學畢業後，任職過Citizen鐘錶公司技術研究所、大日本印刷公司微細型製品研究所、同公司的電子工學研究所、Innotech公司，目前就職於三榮高技術公司，並擔任靜岡大學資訊學部的客座教授。自大學畢業以來，從事日本半導體產業約40年，興趣是業餘無線電事
業(JA1EGN的一級無線技師)與海外旅遊。著有《通俗易懂的最新半導體基礎和結構》(秀和System出版)、《基本ASIC用語辭典》、《基本System LSI用語辭典》(CQ出版)、《迴路仿真器SPICE入門》(日本工業技術中心)、《LSI設計實態與日本半導體產業課題》(半導體產業研究所)等書。 譯者簡介 游念玲 接觸日文已經有八年時間，目前在輔仁大學日文所持續進修中。喜愛日本文化裡的細緻與美感，也喜歡觀察中日文化的差異，期待自己有朝一日能在中日文化的交流上貢獻一己之力。譯作有《睡覺為什麼會做夢？》(晨星出版)。
配向膜印刷製程亮點異常改善之研究
為了解決tft四種結構優缺點 的問題，作者曾傳龍 這樣論述：
摘要大陸在官方支持下，面板已不再是以韓國、台灣為首的一種產業。面板業需思考著該如何從中做出不同，並藉由無可披靡的品質及價值，才能從中脫穎而出。面對著大陸滔滔不絕的新世代生產線投入，8.5代、10.5代都已經陸續量產，如何讓生產的面板價值更加提升，生產的良率指標是首要的課題。配向膜印刷製程中，亮點缺陷為面板良率降低及報廢的重要異常原因，而造成此異常的主因為，聚烯亞胺(Polyimide，PI)又稱為配向膜，於基板上有沾附不良的問題，造成面板點燈後出現局部點位顯示異常，加上8.5大世代後使用噴墨(INK JET)印刷機，此為使用噴吐方式再依靠流動模式於基板上成膜，在此亮點缺陷上有更加容易發生的機
率。本研究首先針對產品發生亮點的異常位置做討論，再由機台參數設定改善液滴密度、增加洗淨能力讓基板接觸角變低增加流動能力，或由改善畫素圖案設計，增加流動範圍、減少流動阻礙，本論文的研究讓高規格面板良率提升及產品得以量產。在本論文中，我們得到一些結論，噴墨機台的印刷方式，流動均勻為重要影響因子，故有以下三點結論，一、印刷密度較大的機台可改善印刷距離極限，有利於生產較高階窄邊框產品。二、印刷密度較大的機台可改善彩色濾光片綠畫素沾附不佳的異常。三、產品設計結構過於封閉阻礙配向膜的流動，需納入新產品開發需避免的事項，避免開發失敗。展望未來，4K×2K使用目前主流噴墨機台，Y間距99微米機台已能對應，未來
在8K×4K的運用上，需注意畫素圖案設計不能過於封閉，以及導入更小Y間距的噴墨機台。
以雙閘極結構改善經電漿處理之IGZO薄膜電晶體
為了解決tft四種結構優缺點 的問題，作者許志豪 這樣論述：
目錄中文摘要 iAbstract ii誌謝 iii目錄 iv表目錄 vii圖目錄 viii第一章 緒論 11.1、 薄膜電晶體發展 11.1-1、 氫化非晶矽薄膜電晶體：（a-Si:H TFT） 21.1-2、 低溫多晶矽薄膜電晶體 21.1-3、 氧化物薄膜電晶體 41.1-4、 氧化銦鎵鋅（Indium Gallium Zinc Oxide）薄膜電晶體 41.1-5、 電漿處理通道層優點 61.1-6、 雙閘極的優點 7第二章 理論基礎及文獻回顧 102-1、 電晶體基本特性 102-2、 薄膜電晶體公式及重要參數 122-2-1、 電晶體電流公式 1
22-2-2、 場效應遷移率（Field-Effect Mobility，sat） 132-2-3、 電晶體電流開關比（On / Off Current Ratio，Ion / off） 132-2-4、 次臨界擺幅（Subthreshold Swing，S.S.） 142-2-5、 陷阱態位密度（Density Of States，Nit） 142-3、 氧化鋅晶體結構與特性 142-3-1、 材料特性 142-3-2、 結構特性 152-3-3、 電學特性 172-3-4、 光學特性 192-3-5、 表面粗糙度 212-3-6、 發光機制 242-3-7、 晶體結
構特性 292-4、薄膜的製備 31第三章 儀器原理 333-1、 濺鍍系統原理 333-1-1、 電漿原理 343-1-2、 磁控濺鍍系統 353-2、 電子束蒸鍍(E-beam evaporation) 373-3、 電漿輔助化學氣相沉積(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)系統 383-4、 高密度活性離子蝕刻系統(HDP-RIE) 403-5、 快速熱退火處理(Rapid Thermal Annealing，RTA) 413-6、 原子力掃描探針顯微鏡（AFM） 413-7、 霍爾量測原理 4
3第四章 實驗步驟與方法 454-1、實驗步驟 454-1-1、實驗流程圖 454-1-2、通道層薄膜氧化銦鎵鋅製備 464-1-3、電晶體製備流程 474-2、分析及量測儀器 544-2-1、薄膜厚度輪廓測量儀（alpha steper, α-steper） 544-2-2、原子力掃瞄探針顯微鏡(Atomic Force Microscopy, AFM) 544-2-3、X光繞射分析儀(X-Ray Diffraction, XRD) 564-2-4、霍爾量測 584-2-5、半導體量測分析儀 58第五章 量測結果與分析 595-1、薄膜電性量測 595-3、複合式薄
膜表面結構分析—AFM分析 605-3、 薄膜X光繞射 635-8、薄膜電晶體之元件特性與分析 645-9、IGZO薄膜電晶體之元件特性—耐久性測試分析 71第六章 結論與未來展望 73參考文獻 75 表目錄表 1.1不同薄膜電晶體之電性分析 2表 1.2 非晶矽、多晶矽薄膜電晶體之優缺點 3表 1.3 ZnO及IGZO薄膜電晶體之優點及缺點。 4表 2.1 ZnO基本屬性表 165表 2.2各儀器薄膜沉積方法優劣比較表 31表 3.1三種化學氣相沉積的比較與應用 39表 5-1 IGZO (SG-TF
T)之電晶體特性比較表 65表 5-2 IGZO (DG-TFT)之電晶體特性比較表 69 圖目錄圖 1.1、a-Si與IGZO顯示器比較 5圖1-2 (a)電漿處理IGZO TFT(b)雙閘極IGZO TFT 7圖1-3 (a)單閘極與雙閘極載子分布示意圖(b)Channel/Insulator介面散射 8圖1-4 雙閘極電晶體與單閘極電晶體特性曲線比較 8圖1-5 雙閘極模式比單閘極模式高出兩個數量級的的導通電流
8圖1-6給予頂閘極恆定正負電壓量測，特性呈現出增強型或空乏型電晶體 9圖 2.1 金屬-氧化物-半導體電容示意圖 10圖 2.2未加電場時的能階圖 11圖 2.3 增加一正偏壓電場時的能階圖 11圖 2.4增加一負偏壓電場時的能階圖 12圖 2.5 ZnO之晶體結構 16圖 2.6 Burstein-Moss效應示意圖 20圖 2.7不同粗糙度對薄膜電晶體元件特性比較圖 21圖 2.8不同粗糙度對應有機薄膜電晶體I-V特性之比較 22圖 2.9不同粗糙度對應有機薄膜電晶體遷移率之比較 23圖 2.10 氧化鋅摻雜各元素粗糙度比較圖……
…………………………..…………23圖 2.11氧化鋅能帶與激子能階示意圖 255圖 2.12氧化鋅綠光放射強度、VO*的數量和自由載子濃度隨溫度變化關係圖 27圖 2.13 B. Lin所提出氧化鋅之缺陷能階圖 27圖 2.14 H. S. Kang 所提出氧化鋅之缺陷能階圖 28圖 2.15氧化鋅能帶與激子躍遷示意圖 28圖 0.1 InGaZnO4結構圖 29圖 0.2 IGZO薄膜退火後及改變通氧量之XRD圖 30圖 0.3 IGZO薄膜
退火及改變通氧量之XRD圖 30圖 3.1表面濺鍍原理示意圖 33圖 3.2電子溫度Te、離子溫度Ti和氣體分子溫度Tg與壓力之關係圖 35圖 3.3磁控濺鍍法之示意圖 36圖3.4電子束蒸鍍工作原理示意圖 37圖3.5 PECVD系統架構圖 39圖3.6 乾蝕刻系統結構圖 40圖
3.7 快速熱退火處理示意圖 41圖 3.8 霍爾量測原理示意圖 44圖 4.1實驗步驟流程圖 45圖 4.2 Sputter 濺鍍系統示意圖 46圖 4.3 TFT元件結構圖與光學顯微鏡影像與元件圖 52圖 4.4薄膜電晶體製程流程示意圖 53圖 4.5 AFM 架構示意圖 55圖4.6布拉格繞射示意圖
56圖 4.7 X-ray 繞射原理及量測示意圖 57圖 5.1不同電漿處理的IGZO薄膜Hall量測關係圖 59圖 5.2 IGZO薄膜(50nm)之原子力顯微鏡三維表面影像 60圖 5.3電漿處理前後薄膜之表面粗糙度比較 63圖 5.4 IGZO 薄膜X光繞射圖 64圖 5.5 SG-TFT電晶體元件之IDS - VGS轉換特性 65圖 5.6 SG-TFT結構之電晶體輸出飽和特性曲線（IDS - VDS） 66圖 5.7 DG-TFT)電
晶體元件之IDS - VGS轉換特性 68圖 5.8 DG-TFT結構之電晶體輸出飽和特性曲線（IDS - VDS） 70圖 5.9 偏壓應力測試…………………………………………………………………72圖 6.1可撓式電子產品應用.. 74